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结构化磨料抛光速度对单晶硅表面损伤机理研究
1
作者
陆蔚熙
李家春
《组合机床与自动化加工技术》
北大核心
2024年第12期107-110,共4页
为研究结构化磨料的不同抛光速度对单晶硅的抛光行为的影响,采用分子动力学方法研究了纳米尺度下结构化磨料对单晶硅的抛光行为。根据抛光热、抛光力和静水应力的变化以及原子缺陷的产生与变化,综合分析了结构化磨料抛光速度对单晶硅的...
为研究结构化磨料的不同抛光速度对单晶硅的抛光行为的影响,采用分子动力学方法研究了纳米尺度下结构化磨料对单晶硅的抛光行为。根据抛光热、抛光力和静水应力的变化以及原子缺陷的产生与变化,综合分析了结构化磨料抛光速度对单晶硅的表面损伤机理。研究表明:高结构化磨料抛光速度可降低单晶硅的应力,并以此降低单晶硅的位错成核;但单晶硅原子的运动受到高结构化磨料抛光速度增加系统温度的影响,造成亚表面损伤层厚度的增加。此外,抛光力受到热软化效应的影响,选择合适的抛光速度可以有效控制加工后的表面粗糙度、位错成核的产生和形成、高压相变原子数量以及亚表面变形层的厚度。
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关键词
结构化磨料抛光
单晶硅
表面损伤机理
分子动力学
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职称材料
题名
结构化磨料抛光速度对单晶硅表面损伤机理研究
1
作者
陆蔚熙
李家春
机构
贵州大学机械工程学院
出处
《组合机床与自动化加工技术》
北大核心
2024年第12期107-110,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(51275532)
贵州省科技计划项目([2022]196)
+2 种基金
黔科合中引地项目([2023]010)
贵州省科技厅项目(黔科合服企[2021]4号)
水利部重大科技项目(SKS-2022056)。
文摘
为研究结构化磨料的不同抛光速度对单晶硅的抛光行为的影响,采用分子动力学方法研究了纳米尺度下结构化磨料对单晶硅的抛光行为。根据抛光热、抛光力和静水应力的变化以及原子缺陷的产生与变化,综合分析了结构化磨料抛光速度对单晶硅的表面损伤机理。研究表明:高结构化磨料抛光速度可降低单晶硅的应力,并以此降低单晶硅的位错成核;但单晶硅原子的运动受到高结构化磨料抛光速度增加系统温度的影响,造成亚表面损伤层厚度的增加。此外,抛光力受到热软化效应的影响,选择合适的抛光速度可以有效控制加工后的表面粗糙度、位错成核的产生和形成、高压相变原子数量以及亚表面变形层的厚度。
关键词
结构化磨料抛光
单晶硅
表面损伤机理
分子动力学
Keywords
structured abrasive polishing
monocrystalline silicon
surface damage mechanism
molecular dynamics
分类号
TH16 [机械工程—机械制造及自动化]
TG506 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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作者
出处
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1
结构化磨料抛光速度对单晶硅表面损伤机理研究
陆蔚熙
李家春
《组合机床与自动化加工技术》
北大核心
2024
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