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基于VHDL-AMS的结型场效应管行为建模与仿真
被引量：
1
1
作者
高献伟
冼立勤
+1 位作者
耿彦明
赵成
《实验室研究与探索》
CAS
2006年第6期604-607,共4页
提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5.5中验证了模型的正确性。
关键词
结型场效应管
SPICE
VHDL—AMS
行为建模
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职称材料
一种互补结型场效应管负阻器件
2
作者
舒小华
《现代电子技术》
2003年第11期11-13,共3页
介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件 ,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析 。
关键词
负阻器件
温度稳定性
互补
结型场效应管
JFET
特性分析
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职称材料
振动筒传感器自动增益谐振电路仿真设计和测试
3
作者
陈晓锦
康志宏
+1 位作者
姚敏强
宋继红
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第10期88-91,共4页
基于结型场效应管(JFET)可变电阻区和夹断区的特性,对振动筒传感器自动增益谐振电路进行仿真设计和测试。重点论述了激励信号占空比与振动筒电气特性的关系,自动增益控制谐振电路的实现方式和谐振电路激励端输出信号的波形、幅值和占空...
基于结型场效应管(JFET)可变电阻区和夹断区的特性,对振动筒传感器自动增益谐振电路进行仿真设计和测试。重点论述了激励信号占空比与振动筒电气特性的关系,自动增益控制谐振电路的实现方式和谐振电路激励端输出信号的波形、幅值和占空比设计思路。通过对振动筒的激励信号波形、幅值和占空比的设计,有效提高了传感器性能稳定和输出信号质量。
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关键词
结型场效应管
可变电阻区
夹断区
自动增益
占空比
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职称材料
一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
4
作者
黄浪尘
李俊桦
+2 位作者
何东
兰征
曾进辉
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2024年第9期51-63,共13页
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容...
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容二极管(RCD)型、金属氧化物变阻器(MOV)型、RCD+MOV混合型三类经典缓冲电路应用于SiC SSCB时的工作原理,并对其性能进行了评估。基于对三类经典缓冲电路特点的全面分析,为SiC SSCB设计了一种基于金属氧化物变阻器-电阻-电容MOV-RC结构的新型缓冲电路拓扑,基于该电路的工作原理提供了适配的参数调制方法。最后,搭建了以三个1200 V/38 A常通型SiC JFET器件串联组成的1.5 kV/38 A SSCB实验样机,验证了本文所提设计方案的有效性。仿真及实验结果表明该缓冲电路不仅有效抑制了SiC SSCB故障隔离期间的过电压,还具有较快的故障清除时间和低成本的优势。
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关键词
碳化硅固态断路器
过电压
结型场效应管
缓冲电路
寄生电感
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职称材料
JFET高精度可变电阻器的设计及其应用
被引量：
11
5
作者
行鸿彦
赵晨
+1 位作者
余炳莹
徐伟
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期1884-1891,共8页
根据JFET线性区漏源之间沟道电阻受栅源电压控制的机理,推导JFET电流公式,对可变电阻的性能进行了分析。通过PSpice软件仿真了JFTT压控可变电阻,提出了改善JFET可变电阻非线性及扩展电阻动态范围的方法。结合单片机和D/A转换器,利用该...
根据JFET线性区漏源之间沟道电阻受栅源电压控制的机理,推导JFET电流公式,对可变电阻的性能进行了分析。通过PSpice软件仿真了JFTT压控可变电阻,提出了改善JFET可变电阻非线性及扩展电阻动态范围的方法。结合单片机和D/A转换器,利用该方法设计了程控JFET可变电阻,其阻值范围为75.703~141.004Ω,分辨率低于0.025Ω,满足了自动气象站信号模拟器温度通道所需电阻阻值范围80.305~130.894Ω及分辨率低于0.03Ω的要求,为数据采集器温度通道的检定提供标准的可变电阻信号。
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关键词
结型场效应管
压控可变电阻
模拟温度传感器
PSPICE
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职称材料
SiC新一代电力电子器件的进展
被引量：
27
6
作者
赵正平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期81-88,共8页
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率...
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高和高温性能好的特点。SiC电力电子器件将成为兆瓦电子学和绿色能源发展的重要基础之一。综述了SiC新一代电力电子器件的发展历程、现状、关键技术突破和应用研究。所评估的器件包含SiC SBD、SiC pin二极管、SiC JBS二极管、SiC MOFET、SiC IGBT、SiC GTO晶闸管、SiC JFET和SiC BJT。器件的评估重点是外延材料的结构、器件结构优化、器件性能、可靠性和应用特点。最后总结了新世纪以来SiC新一代电力电子器件的技术进步的亮点并展望了其技术未来发展的趋势。
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关键词
碳化硅
肖特基二极管
PIN二极管
金属氧化物
场效应管
绝缘栅双极晶体管
栅关断晶闸管
结型场效应管
双极
型
晶体管
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职称材料
高增益低噪声热释电红外探测器前置放大器设计研究
7
作者
王芳
宋艳
+3 位作者
李蕾
岳春光
马春旺
刘玉芳
《红外技术》
CSCD
北大核心
2010年第11期663-665,共3页
提出一种新的高增益低噪声热释电红外探测器电路模型。采用双极型结型场效应(BJFET),通过改变时间常数解决了热释电前置放大器输出信号弱和易受干扰的关键问题,理论推导了热释电电路的输出电流和电压响应,系统地分析了改进的前置放大器...
提出一种新的高增益低噪声热释电红外探测器电路模型。采用双极型结型场效应(BJFET),通过改变时间常数解决了热释电前置放大器输出信号弱和易受干扰的关键问题,理论推导了热释电电路的输出电流和电压响应,系统地分析了改进的前置放大器的噪声和温度特性。经实验验证:该电路实现了大电流、宽频带、高增益、低噪声等优化特性。
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关键词
热释电探测器
双极
型
结型场效应管
前置放大器
电路模
型
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职称材料
多分立电流源低噪声JFET差分放大技术研究
被引量：
2
8
作者
李文彬
王圣捷
+2 位作者
朱平杰
叶璇
张洋
《电子测量技术》
北大核心
2023年第1期134-141,共8页
结型场效应管具有输入阻抗大、噪声低的优点,已被广泛用于设计高性能瞬变电磁传感器前置放大电路。然而,由于同一型号JFET器件间参数差异较大,多个JFET器件差分并联放大时难以匹配工作。针对这一问题,本文提出了一种基于多分立电流源的...
结型场效应管具有输入阻抗大、噪声低的优点,已被广泛用于设计高性能瞬变电磁传感器前置放大电路。然而,由于同一型号JFET器件间参数差异较大,多个JFET器件差分并联放大时难以匹配工作。针对这一问题,本文提出了一种基于多分立电流源的低噪声JFET差分放大技术,结合每一路JFET放大支路电路特性单独设计恒流源,并调整为最佳静态工作点,以消除JFET参数离散性引发的放大支路不均流、无法可靠工作问题。最后,通过LTspice仿真与实际电路测试结果表明基于该技术设计的差分放大电路能够可靠工作,其中每一JFET支路电流均为4.68mA、增益达到40.00d B,且具有较低的本底噪声(0.51n V/√Hz@1.10k Hz)。本文提出的新方法能够有效消除JFET参数离散性问题,为设计差分并联低噪声TEM传感器前置放大电路奠定良好的技术基础。
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关键词
前置放大电路
低噪声
结型场效应管
分立电流源
瞬变电磁
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职称材料
带前放压电水听器噪声建模及低噪声设计方法
被引量：
1
9
作者
肖屹立
郭世旭
《压电与声光》
CAS
北大核心
2023年第2期264-270,共7页
为满足低频压电水听器工作需求,针对带前置放大器压电水听器自噪声优化问题,理论推导二端口网络等效噪声模型,利用LTSPIC建立SPICE模型对关键器件进行噪声仿真,并基于结型场效应管设计制作低噪声放大电路。对设计的放大器及带前放水听...
为满足低频压电水听器工作需求,针对带前置放大器压电水听器自噪声优化问题,理论推导二端口网络等效噪声模型,利用LTSPIC建立SPICE模型对关键器件进行噪声仿真,并基于结型场效应管设计制作低噪声放大电路。对设计的放大器及带前放水听器自噪声测试表明,放大器等效输入噪声为8.48 nV/√Hz@1 kHz,1/f噪声拐点约为350 Hz,优于现有集成运放式放大器;带前放水听器噪声谱级为33.577 dB@1 kHz,其噪声谱级低于零级海况噪声谱。
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关键词
水听器
前置放大器
结型场效应管
噪声模
型
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职称材料
高稳定性电源
10
作者
赵钟秀
《电测与仪表》
1975年第5期28-29,共2页
最近国外试制了一种简单的高稳定性的电源。它既可以作为稳流源,又可以作为稳压源。由于结型场效应管的高稳定性,低噪声以及容易选取零温度系数的工作点等主要优点,所以促使人们去利用它。这种场效应管的特性一定时,在一个不十分大的温...
最近国外试制了一种简单的高稳定性的电源。它既可以作为稳流源,又可以作为稳压源。由于结型场效应管的高稳定性,低噪声以及容易选取零温度系数的工作点等主要优点,所以促使人们去利用它。这种场效应管的特性一定时,在一个不十分大的温度区间内,它的温度系数可以保持为零。将几只管子累接起来,就可以得到稳定的电流。如再加上一、两个固定电阻,就可以得到相当稳定的电压。且这电压的值是可变的。
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关键词
电源
高稳定性
结型场效应管
温度系数
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职称材料
题名
基于VHDL-AMS的结型场效应管行为建模与仿真
被引量：
1
1
作者
高献伟
冼立勤
耿彦明
赵成
机构
北京电子科技学院
出处
《实验室研究与探索》
CAS
2006年第6期604-607,共4页
基金
北京市高等学校教育教学改革试点项目(编号:1999068)
北京电子科技学院重点实验室资助项目(编号:YZD0429)
文摘
提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5.5中验证了模型的正确性。
关键词
结型场效应管
SPICE
VHDL—AMS
行为建模
Keywords
JFET
SPICE
VHDL-AMS
behavioral modeling
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种互补结型场效应管负阻器件
2
作者
舒小华
机构
株洲工学院电气工程系
出处
《现代电子技术》
2003年第11期11-13,共3页
文摘
介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件 ,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析 。
关键词
负阻器件
温度稳定性
互补
结型场效应管
JFET
特性分析
Keywords
JFET
negativeresistance device
stable temperature property
characteristic analysis
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
振动筒传感器自动增益谐振电路仿真设计和测试
3
作者
陈晓锦
康志宏
姚敏强
宋继红
机构
空军装备部驻太原地区军事代表室
太原航空仪表有限公司
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第10期88-91,共4页
文摘
基于结型场效应管(JFET)可变电阻区和夹断区的特性,对振动筒传感器自动增益谐振电路进行仿真设计和测试。重点论述了激励信号占空比与振动筒电气特性的关系,自动增益控制谐振电路的实现方式和谐振电路激励端输出信号的波形、幅值和占空比设计思路。通过对振动筒的激励信号波形、幅值和占空比的设计,有效提高了传感器性能稳定和输出信号质量。
关键词
结型场效应管
可变电阻区
夹断区
自动增益
占空比
Keywords
JFET
variable resistance region
central break region
automatic gain
duty ratio
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
4
作者
黄浪尘
李俊桦
何东
兰征
曾进辉
机构
湖南工业大学电气与信息工程学院
出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2024年第9期51-63,共13页
基金
湖南省自然科学基金项目(2021JJ40172)。
文摘
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容二极管(RCD)型、金属氧化物变阻器(MOV)型、RCD+MOV混合型三类经典缓冲电路应用于SiC SSCB时的工作原理,并对其性能进行了评估。基于对三类经典缓冲电路特点的全面分析,为SiC SSCB设计了一种基于金属氧化物变阻器-电阻-电容MOV-RC结构的新型缓冲电路拓扑,基于该电路的工作原理提供了适配的参数调制方法。最后,搭建了以三个1200 V/38 A常通型SiC JFET器件串联组成的1.5 kV/38 A SSCB实验样机,验证了本文所提设计方案的有效性。仿真及实验结果表明该缓冲电路不仅有效抑制了SiC SSCB故障隔离期间的过电压,还具有较快的故障清除时间和低成本的优势。
关键词
碳化硅固态断路器
过电压
结型场效应管
缓冲电路
寄生电感
Keywords
SiC SSCB
overvoltage
JFET
snubber
parasitic inductance
分类号
TM561 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
JFET高精度可变电阻器的设计及其应用
被引量：
11
5
作者
行鸿彦
赵晨
余炳莹
徐伟
机构
南京信息工程大学气象灾害预报预警与评估协同创新中心
南京信息工程大学江苏省气象探测与信息处理重点实验室
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期1884-1891,共8页
基金
国家自然科学基金(61072133)
江苏省产学研联合创新资金计划(BY2013007-02
+3 种基金
BY2011112)
江苏省高校科研成果产业化推进项目(JHB2011-15)
江苏省"信息与通信工程"优势学科
江苏省"六大人才高峰"计划课题资助
文摘
根据JFET线性区漏源之间沟道电阻受栅源电压控制的机理,推导JFET电流公式,对可变电阻的性能进行了分析。通过PSpice软件仿真了JFTT压控可变电阻,提出了改善JFET可变电阻非线性及扩展电阻动态范围的方法。结合单片机和D/A转换器,利用该方法设计了程控JFET可变电阻,其阻值范围为75.703~141.004Ω,分辨率低于0.025Ω,满足了自动气象站信号模拟器温度通道所需电阻阻值范围80.305~130.894Ω及分辨率低于0.03Ω的要求,为数据采集器温度通道的检定提供标准的可变电阻信号。
关键词
结型场效应管
压控可变电阻
模拟温度传感器
PSPICE
Keywords
JFET
vohage-controlled resistor
analog temperature sensor
PSpice
分类号
TH811 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
SiC新一代电力电子器件的进展
被引量：
27
6
作者
赵正平
机构
中国电子科技集团公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期81-88,共8页
文摘
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高和高温性能好的特点。SiC电力电子器件将成为兆瓦电子学和绿色能源发展的重要基础之一。综述了SiC新一代电力电子器件的发展历程、现状、关键技术突破和应用研究。所评估的器件包含SiC SBD、SiC pin二极管、SiC JBS二极管、SiC MOFET、SiC IGBT、SiC GTO晶闸管、SiC JFET和SiC BJT。器件的评估重点是外延材料的结构、器件结构优化、器件性能、可靠性和应用特点。最后总结了新世纪以来SiC新一代电力电子器件的技术进步的亮点并展望了其技术未来发展的趋势。
关键词
碳化硅
肖特基二极管
PIN二极管
金属氧化物
场效应管
绝缘栅双极晶体管
栅关断晶闸管
结型场效应管
双极
型
晶体管
Keywords
SiC
Schottky barrier diode （SBD）
pin diodes
metal-oxide-semiconductor field- effect transistor （MOFET）
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
gate turn-off thyristor （GTO）
JFET
bipolar junction transistor （BJT）
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高增益低噪声热释电红外探测器前置放大器设计研究
7
作者
王芳
宋艳
李蕾
岳春光
马春旺
刘玉芳
机构
河南师范大学物理与信息工程学院
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2010年第11期663-665,共3页
基金
国家自然科学基金(编号:0577050)
河南省教育厅自然科学研究计划项目(编号:2008B510013)
文摘
提出一种新的高增益低噪声热释电红外探测器电路模型。采用双极型结型场效应(BJFET),通过改变时间常数解决了热释电前置放大器输出信号弱和易受干扰的关键问题,理论推导了热释电电路的输出电流和电压响应,系统地分析了改进的前置放大器的噪声和温度特性。经实验验证:该电路实现了大电流、宽频带、高增益、低噪声等优化特性。
关键词
热释电探测器
双极
型
结型场效应管
前置放大器
电路模
型
Keywords
pyroelectricdetector, bipolarjunctionFET, preamplifier, circuit model
分类号
TM13 [电气工程—电工理论与新技术]
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职称材料
题名
多分立电流源低噪声JFET差分放大技术研究
被引量：
2
8
作者
李文彬
王圣捷
朱平杰
叶璇
张洋
机构
中国船舶集团有限公司第七二二研究所低频电磁通信技术实验室
吉林大学仪器科学与电气工程学院
出处
《电子测量技术》
北大核心
2023年第1期134-141,共8页
基金
中国船舶重工集团第七二二所重点实验室基金
吉林省自然科学基金(2020122207JC)项目资助
文摘
结型场效应管具有输入阻抗大、噪声低的优点,已被广泛用于设计高性能瞬变电磁传感器前置放大电路。然而,由于同一型号JFET器件间参数差异较大,多个JFET器件差分并联放大时难以匹配工作。针对这一问题,本文提出了一种基于多分立电流源的低噪声JFET差分放大技术,结合每一路JFET放大支路电路特性单独设计恒流源,并调整为最佳静态工作点,以消除JFET参数离散性引发的放大支路不均流、无法可靠工作问题。最后,通过LTspice仿真与实际电路测试结果表明基于该技术设计的差分放大电路能够可靠工作,其中每一JFET支路电流均为4.68mA、增益达到40.00d B,且具有较低的本底噪声(0.51n V/√Hz@1.10k Hz)。本文提出的新方法能够有效消除JFET参数离散性问题,为设计差分并联低噪声TEM传感器前置放大电路奠定良好的技术基础。
关键词
前置放大电路
低噪声
结型场效应管
分立电流源
瞬变电磁
Keywords
preamplifier circuit
low noise
junction field-effect transistor
discrete current sources
transient electromagnetic method
分类号
TP212.13 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TH76 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
带前放压电水听器噪声建模及低噪声设计方法
被引量：
1
9
作者
肖屹立
郭世旭
机构
中国计量大学计量测试工程学院
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2023年第2期264-270,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(11904346)。
文摘
为满足低频压电水听器工作需求,针对带前置放大器压电水听器自噪声优化问题,理论推导二端口网络等效噪声模型,利用LTSPIC建立SPICE模型对关键器件进行噪声仿真,并基于结型场效应管设计制作低噪声放大电路。对设计的放大器及带前放水听器自噪声测试表明,放大器等效输入噪声为8.48 nV/√Hz@1 kHz,1/f噪声拐点约为350 Hz,优于现有集成运放式放大器;带前放水听器噪声谱级为33.577 dB@1 kHz,其噪声谱级低于零级海况噪声谱。
关键词
水听器
前置放大器
结型场效应管
噪声模
型
Keywords
hydrophone
pre-amplifier
junction field effect transistor
noise model
分类号
TB565.1 [交通运输工程—水声工程]
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职称材料
题名
高稳定性电源
10
作者
赵钟秀
出处
《电测与仪表》
1975年第5期28-29,共2页
文摘
最近国外试制了一种简单的高稳定性的电源。它既可以作为稳流源,又可以作为稳压源。由于结型场效应管的高稳定性,低噪声以及容易选取零温度系数的工作点等主要优点,所以促使人们去利用它。这种场效应管的特性一定时,在一个不十分大的温度区间内,它的温度系数可以保持为零。将几只管子累接起来,就可以得到稳定的电流。如再加上一、两个固定电阻,就可以得到相当稳定的电压。且这电压的值是可变的。
关键词
电源
高稳定性
结型场效应管
温度系数
分类号
G6 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于VHDL-AMS的结型场效应管行为建模与仿真
高献伟
冼立勤
耿彦明
赵成
《实验室研究与探索》
CAS
2006
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种互补结型场效应管负阻器件
舒小华
《现代电子技术》
2003
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职称材料
3
振动筒传感器自动增益谐振电路仿真设计和测试
陈晓锦
康志宏
姚敏强
宋继红
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024
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职称材料
4
一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
黄浪尘
李俊桦
何东
兰征
曾进辉
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2024
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职称材料
5
JFET高精度可变电阻器的设计及其应用
行鸿彦
赵晨
余炳莹
徐伟
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
11
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职称材料
6
SiC新一代电力电子器件的进展
赵正平
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
27
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职称材料
7
高增益低噪声热释电红外探测器前置放大器设计研究
王芳
宋艳
李蕾
岳春光
马春旺
刘玉芳
《红外技术》
CSCD
北大核心
2010
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职称材料
8
多分立电流源低噪声JFET差分放大技术研究
李文彬
王圣捷
朱平杰
叶璇
张洋
《电子测量技术》
北大核心
2023
2
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职称材料
9
带前放压电水听器噪声建模及低噪声设计方法
肖屹立
郭世旭
《压电与声光》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
10
高稳定性电源
赵钟秀
《电测与仪表》
1975
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