SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系...SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self-consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag-Sn系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag_(3)Sn在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag-Sn系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高、排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag_(3)Sn,与前人研究Ag-Sn系统扩散的实验结果相符.展开更多
基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系。...基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系。结果表明:Ω相共价主干键络呈三维“梅花”状分布,“花心”由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α为0.20857,Ω相的n1Ω为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20%;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ′相的分别大2.67%和15.83%;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ′相的分别大91.31%和291.92%;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ′相强。展开更多
运用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET理论)计算了Ti(C,N)基多元陶瓷相和金属Ni(面心立方,fcc)的价电子结构以及Ni/陶瓷相界面价电子结构。结果表明:(Ti,Me)(C,N)/Ni界面电子密度差(Δρ)均大于10%,界面电子密度(...运用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET理论)计算了Ti(C,N)基多元陶瓷相和金属Ni(面心立方,fcc)的价电子结构以及Ni/陶瓷相界面价电子结构。结果表明:(Ti,Me)(C,N)/Ni界面电子密度差(Δρ)均大于10%,界面电子密度(ρ)不连续。碳化物对界面结合因子(ρ,Δρ,σ)影响大小依次是Mo2C>NbC>WC>TaC;其中添加Mo2C和WC可以有效改善Ni对陶瓷相的结合性能(润湿性),从而提高金属陶瓷的强韧性。展开更多
文摘SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self-consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag-Sn系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag_(3)Sn在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag-Sn系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高、排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag_(3)Sn,与前人研究Ag-Sn系统扩散的实验结果相符.
文摘基于固体与分子经验电子(Empirical electron theory of solids and molecules,EET)理论,计算了Ω相的价电子结构,分析了主键络的空间分布形态,研究了最强共价键与位错运动、共价电子密度与析出相强度、成键能力与析出相稳定性的关系。结果表明:Ω相共价主干键络呈三维“梅花”状分布,“花心”由Cu-Cu原子最强共价键连接;基体α最强共价键的键合力n1α为0.20857,Ω相的n1Ω为0.49056,基体{111}晶面上析出的Ω相使{111}晶面上位错滑移的阻力增加135.20%;从共价电子密度看,Ω相强度比S、θ′相的分别大2.67%和15.83%;从成键能力看,Ω相的稳定性比S和θ′相的分别大91.31%和291.92%;从共价电子结构看,{111}晶面析出的Ω相的沉淀硬化能力比{001}晶面析出的S、θ′相强。
文摘运用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET理论)计算了Ti(C,N)基多元陶瓷相和金属Ni(面心立方,fcc)的价电子结构以及Ni/陶瓷相界面价电子结构。结果表明:(Ti,Me)(C,N)/Ni界面电子密度差(Δρ)均大于10%,界面电子密度(ρ)不连续。碳化物对界面结合因子(ρ,Δρ,σ)影响大小依次是Mo2C>NbC>WC>TaC;其中添加Mo2C和WC可以有效改善Ni对陶瓷相的结合性能(润湿性),从而提高金属陶瓷的强韧性。
