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题名硅基高通量单细胞阵列芯片制备与研究
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作者
孟祥
周晓峰
车录锋
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室
中国科学院大学
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
2017年第3期14-16,20,共4页
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文摘
采用微机电系统(MEMS)技术结合金属辅助化学腐蚀工艺制作出关键结构为纳米氧化硅的阵列芯片,细胞可以定点黏附在纳米氧化硅上。通过实验计算和分析得知,在0.7~23μm内,纳米线长度约为3μm时深宽比适宜,有利于黏附蛋白充分铺展,黏附效率达到最高85%。改变培养时间(5~480 min)和细胞浓度(0.5~4.0),发现培养时间在不低于4 h,细胞浓度在1.5时,由于伪足充分缠绕于纳米线上,阵列饱和度达到最高83%。实验结果表明:制作出的单细胞阵列芯片具有较高的黏附效率和阵列饱和度,达到了高通量的标准。
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关键词
微机电系统技术
细胞黏附效率
阵列饱和度
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Keywords
MEMS technology
cell adhesion efficiency
array saturation
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
Q819
[生物学—生物工程]
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