设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作...设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试。结果表明,开关样机在DC^3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 d B,隔离度大于40 d B。展开更多
文摘设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试。结果表明,开关样机在DC^3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 d B,隔离度大于40 d B。
