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具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用
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作者 徐国庆 王仍 +6 位作者 陈心恬 乔辉 杨晓阳 储开慧 王大辉 杨鹏翎 李向阳 《应用光学》 CAS 北大核心 2024年第3期549-556,共8页
该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在P... 该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在PN结附近构建不同的电场,不同电场下样品暗电流和噪声电流随温度的变化曲线表明,构建的电场越强,降低结区附近热激发载流子浓度的效果越明显。通过数据分析,提出构建103 V/cm量级的组分梯度内建电场可抑制热激发载流子向结区的扩散运动,有效地降低结区附近热激发载流子浓度。 展开更多
关键词 组分梯度内建电场 HgCdTe外延薄膜材料 热激发载流子浓度 暗电流 噪声电流
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