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题名半导体激光器
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2003年第4期17-18,共2页
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文摘
TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K。图5参6(李士范)
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关键词
半导体激光器
线阵二极管激光器
斜率效率
特性分析
应变量子阱激光器
远场发散角
特征温度
灾变性损伤
变温测试
信息与控制
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体激光器
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出处
《中国光学》
EI
CAS
2002年第1期28-31,共4页
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文摘
TN248.4 2002010200大功率激光二极管的微片棱镜堆光束整形和光纤耦合输出=Micro - prism stack beam shapers for highpower laser diode arrays[刊,中]/石鹏,李小莉,张贵芬,郭明秀,陆雨田(中科院上海光机所,上海(201800))∥光学学报.—2000,20(11).
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关键词
光纤光栅外腔半导体激光器
线阵二极管激光器
大功率激光二极管阵列
高功率半导体激光器
光子学
中科院
国家重点实验室
光束整形
量子阱半导体激光器
输出功率
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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