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NMOS阱内外碰撞SEU特性的仿真分析
1
作者
汪俊
师谦
谢国雄
《山东科技大学学报（自然科学版）》
CAS
2011年第4期95-98,104,共5页
通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等因素变化时,SRAM单元的SEU特性将发生变化,器件阱外碰撞一直比阱内碰撞时对SEU敏感。参数变化过程中对阱内外碰撞时器件SEU敏感...
通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等因素变化时,SRAM单元的SEU特性将发生变化,器件阱外碰撞一直比阱内碰撞时对SEU敏感。参数变化过程中对阱内外碰撞时器件SEU敏感性的影响情况不同,器件阱外碰撞时参数变化对SEU特性影响较小,但器件阱内碰撞时参数变化对SEU特性影响较大。
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关键词
单粒子翻转
线能量传输
耦合电阻
阱内碰撞
阱外碰撞
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职称材料
题名
NMOS阱内外碰撞SEU特性的仿真分析
1
作者
汪俊
师谦
谢国雄
机构
滁州学院电子信息工程系
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
出处
《山东科技大学学报（自然科学版）》
CAS
2011年第4期95-98,104,共5页
基金
滁州学院科研项目(2010kj012B)
文摘
通过二维器件模拟软件MEDICI对小尺寸硅SRAM单元SEU特性进行了分析。在阱内外碰撞时,当耦合电阻,NMOS阱深等因素变化时,SRAM单元的SEU特性将发生变化,器件阱外碰撞一直比阱内碰撞时对SEU敏感。参数变化过程中对阱内外碰撞时器件SEU敏感性的影响情况不同,器件阱外碰撞时参数变化对SEU特性影响较小,但器件阱内碰撞时参数变化对SEU特性影响较大。
关键词
单粒子翻转
线能量传输
耦合电阻
阱内碰撞
阱外碰撞
Keywords
single event upset
linear energy transfer
coupling resistance
strike inside trap
strike outside trap
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NMOS阱内外碰撞SEU特性的仿真分析
汪俊
师谦
谢国雄
《山东科技大学学报（自然科学版）》
CAS
2011
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