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光学元件表面离子束抛光过程边缘效应抑制
被引量：
8
1
作者
李晓静
王大森
+5 位作者
王刚
张旭
张宁
裴宁
聂凤明
齐子诚
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期349-355,共7页
目的为解决光学元件表面进行离子束抛光加工过程中存在边缘效应的问题。方法采用将驻留时间网格在面形采样网格的基础上进行延拓的方法来抑制边缘效应的产生,即将驻留点的网格范围向外进行延拓,使元件边缘部分的采样点中有去除作用的驻...
目的为解决光学元件表面进行离子束抛光加工过程中存在边缘效应的问题。方法采用将驻留时间网格在面形采样网格的基础上进行延拓的方法来抑制边缘效应的产生,即将驻留点的网格范围向外进行延拓,使元件边缘部分的采样点中有去除作用的驻留点的数量与中间部分相同,延拓距离大于离子束半径。使用截断奇异值方法求解线性方程组模型的驻留时间,分析仿真结果中边缘效应出现的原因。结果当驻留时间采用和面形误差同样的网格划分时,残留面形不收敛,且发生严重的边缘效应。当取截断参数k=80时,其面形PV值由初始的104.489 nm下降到11.675 nm,RMS值由28.009 nm收敛到1.572 nm,且没有边缘效应的产生。采用上述模拟结果作为实验设定参数,在平面光学元件上进行离子束抛光实验研究,抛光前后,PV值由102 nm降为37 nm,RMS由23 nm降为2 nm。结论实验结果验证了模拟结果的有效性,使用驻留时间网格延拓的方法可以避免边缘效应的产生,在此基础上进行离子束抛光,光学元件面形PV及粗糙度达到了非常好的收敛效果。
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关键词
离子束抛光
光学元件
驻留时间
线性方程组模型
边缘效应
边缘延拓
面形误差
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职称材料
题名
光学元件表面离子束抛光过程边缘效应抑制
被引量：
8
1
作者
李晓静
王大森
王刚
张旭
张宁
裴宁
聂凤明
齐子诚
机构
中国兵器科学研究院宁波分院
成都精密光学工程研究中心
长春理工大学电子信息工程学院
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第1期349-355,共7页
基金
国家科技重大专项(2017ZX04022001-205-001)
宁波市科技服务示范项目(2019F1036)~~
文摘
目的为解决光学元件表面进行离子束抛光加工过程中存在边缘效应的问题。方法采用将驻留时间网格在面形采样网格的基础上进行延拓的方法来抑制边缘效应的产生,即将驻留点的网格范围向外进行延拓,使元件边缘部分的采样点中有去除作用的驻留点的数量与中间部分相同,延拓距离大于离子束半径。使用截断奇异值方法求解线性方程组模型的驻留时间,分析仿真结果中边缘效应出现的原因。结果当驻留时间采用和面形误差同样的网格划分时,残留面形不收敛,且发生严重的边缘效应。当取截断参数k=80时,其面形PV值由初始的104.489 nm下降到11.675 nm,RMS值由28.009 nm收敛到1.572 nm,且没有边缘效应的产生。采用上述模拟结果作为实验设定参数,在平面光学元件上进行离子束抛光实验研究,抛光前后,PV值由102 nm降为37 nm,RMS由23 nm降为2 nm。结论实验结果验证了模拟结果的有效性,使用驻留时间网格延拓的方法可以避免边缘效应的产生,在此基础上进行离子束抛光,光学元件面形PV及粗糙度达到了非常好的收敛效果。
关键词
离子束抛光
光学元件
驻留时间
线性方程组模型
边缘效应
边缘延拓
面形误差
Keywords
ion beam figuring
optical element
dwell time
linear equations model
edge effect
edge extension
surface error
分类号
TG580 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光学元件表面离子束抛光过程边缘效应抑制
李晓静
王大森
王刚
张旭
张宁
裴宁
聂凤明
齐子诚
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
8
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职称材料
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