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改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管
被引量：
2
1
作者
何进
张兴
+2 位作者
黄如
林晓云
何泽宏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期298-300,共3页
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂...
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂移区长度下 ,该新结构较之于优化的常规RESURFLDMOS晶体管 ,它的击穿电压可由 178V提高到 2 34V ,增加了 1 5倍 ,而比导通电阻却从 7 7mΩ·cm2 下降到 5mΩ·cm2 ,减小了 30 % ,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能 .
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关键词
LDMOS器件
RESURF原理
线性变化掺杂漂移区
击穿电压
导通电阻
晶体管
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职称材料
题名
改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管
被引量：
2
1
作者
何进
张兴
黄如
林晓云
何泽宏
机构
北京大学微电子学研究所
绵阳应用电子技术研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期298-300,共3页
文摘
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂移区长度下 ,该新结构较之于优化的常规RESURFLDMOS晶体管 ,它的击穿电压可由 178V提高到 2 34V ,增加了 1 5倍 ,而比导通电阻却从 7 7mΩ·cm2 下降到 5mΩ·cm2 ,减小了 30 % ,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能 .
关键词
LDMOS器件
RESURF原理
线性变化掺杂漂移区
击穿电压
导通电阻
晶体管
Keywords
LDMOS
linearly graded doped profile
on resistance
breakdown voltage
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管
何进
张兴
黄如
林晓云
何泽宏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
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