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线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
被引量：
1
1
作者
何进
张兴
+1 位作者
黄如
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1108-1110,共3页
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般...
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 .
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关键词
线性余因子差分亚阀电压峰
电应力诱生
MOSFET
界面陷阱
MOS器件
应力时间
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职称材料
题名
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
被引量：
1
1
作者
何进
张兴
黄如
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
美国加州大学BERKELEY分校EECS系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期1108-1110,共3页
基金
国家重大基础研究项目 (No.2 0 0 0 0 3650 1 )
文摘
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 .
关键词
线性余因子差分亚阀电压峰
电应力诱生
MOSFET
界面陷阱
MOS器件
应力时间
Keywords
MOSFETs
interface traps
linear cofactor difference operator
electrical stress effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究
何进
张兴
黄如
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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