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线宽增强因子对外光注入半导体激光器非线性单周期振荡特性的影响 被引量:6
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作者 张明江 刘铁根 +1 位作者 李静霞 王云才 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期542-546,共5页
线宽增强因子是影响半导体激光器输出特性的一个重要参量,不同材料不同结构类型的半导体激光器的线宽增强因子有较大的差异.利用光注入半导体激光器的单模速率方程模型,数值研究了线宽增强因子对外光注入半导体激光器的非线性单周期振... 线宽增强因子是影响半导体激光器输出特性的一个重要参量,不同材料不同结构类型的半导体激光器的线宽增强因子有较大的差异.利用光注入半导体激光器的单模速率方程模型,数值研究了线宽增强因子对外光注入半导体激光器的非线性单周期振荡特性的影响.结果表明:外光注入半导体激光器的动态特性对线宽增强因子的变化极为敏感,随着线宽增强因子的增加,在负失谐注入范围内单周期振荡区域显著增大,同时注入锁定的稳态输出被大大抑制.分析了线宽增强因子对非线性单周期振荡光谱特性和振荡频率的影响,结果表明:随着半导体激光器线宽增强因子的增大,单周期振荡的频率越大;当线宽增强因子不变时,单周期振荡的频率随注入光强度和频率失谐的增加而增加. 展开更多
关键词 半导体激光器 非线性动力学 线宽增强因子 混沌 周期振荡
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MQW EA调制器用于短脉冲光子源驱动条件的优化设计 被引量:3
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作者 丁永奎 谭莉 +2 位作者 田贺斌 贾东方 李世忱 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期536-540,共5页
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.数值计算结果证明EAM产生的脉冲形状比较接近Gauss脉冲,具有较小的啁啾,接近于变换限的光脉冲,十分适... 本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.数值计算结果证明EAM产生的脉冲形状比较接近Gauss脉冲,具有较小的啁啾,接近于变换限的光脉冲,十分适用于高速时分复用系统. 展开更多
关键词 MQW EA 短脉冲 光子源 驱动条件 优化设计 多量子阱电吸收调制器 量子限制 STARK效应 啁啾 线宽增强因子 时间带宽积 光通信
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高斯脉冲在半导体光放大器中传输的解析表征(英文) 被引量:1
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作者 贺炜 惠战强 吴惠民 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1357-1364,共8页
采用解析方法,在考虑材料损耗和色散的情况下,详细研究了无啁啾高斯脉冲和啁啾高斯脉冲在半导体光放大器中传输的物理过程,分析了强度增益、脉冲宽度和频率啁啾与线宽增强因子、色散系数、小信号增益特征参数及初始啁啾之间的关系。结... 采用解析方法,在考虑材料损耗和色散的情况下,详细研究了无啁啾高斯脉冲和啁啾高斯脉冲在半导体光放大器中传输的物理过程,分析了强度增益、脉冲宽度和频率啁啾与线宽增强因子、色散系数、小信号增益特征参数及初始啁啾之间的关系。结果表明:当输入变换极限的高斯脉冲时,色散会引起增益压缩,脉冲展宽和频率啁啾;同样情况下,线宽增强因子越大,脉宽加宽越明显,输出脉冲啁啾越大,且随着线宽增强因子的增大,输出脉冲啁啾极大值向特征参数值较小的一边移动。当输入啁啾高斯脉冲时,初始脉冲啁啾越大,增益压缩越明显,啁啾系数为正时,脉冲单纯展宽,输出啁啾随特征参数的增大而逐渐减小,啁啾系数为负时,初始啁啾与群速度色散导致的啁啾相互竞争,致使脉冲先被压缩后被展宽;脉冲最窄处对应的特征参数随线宽增强因子的增大而先增大后减小,输出啁啾随特征参数的增大而经历振荡后趋于平稳。 展开更多
关键词 高斯脉冲 线宽增强因子 色散 频率啁啾
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