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线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征 被引量：3
1
作者 杜雪峰 祝迎春 +3 位作者 许钫钫 杨涛 曾毅 沈悦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期65-68,共4页
采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明... 采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶;线型α-Si3N4直径约为100~300nm,长为几十微米;而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm^2μm之间,长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明,较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构. 展开更多
关键词 分区沉积 线型和带型-αsi3n4 准一维结构
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冷冻-干燥法生产直通型多孔Si_3N_4 被引量：1
2
作者 黄卫国 《耐火材料》 CAS 北大核心 2002年第6期338-338,共1页
关键词 冷冻-干燥法 直通型 多孔si3n4 多孔陶瓷 氮化硅
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