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一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET
1
作者
王俊生
肖胜安
彭俊彪
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第12期948-956,共9页
提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容...
提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32~5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。
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关键词
超级结
mosfet
纵向
双扩散
mosfet
(VD
mosfet
)
电磁干扰(EMI)
有机发光二极管(OLED)电视电源
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职称材料
玻耳兹曼输运模型有限元数值解误差分析的研究
2
作者
童建农
邹雪城
沈绪榜
《光通信研究》
北大核心
2004年第4期64-66,共3页
文章应用有限元方法的器件玻耳兹曼输运模型进行了误差分析.模型与模拟结果表明扰动误差是在有限元积分的网格剖分加密过程中产生的,提高数值精度是改进稳定性的途径之一.
关键词
有限元方法
误差分析
纵向mosfet
SOI
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职称材料
题名
一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET
1
作者
王俊生
肖胜安
彭俊彪
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
深圳尚阳通科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第12期948-956,共9页
文摘
提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32~5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。
关键词
超级结
mosfet
纵向
双扩散
mosfet
(VD
mosfet
)
电磁干扰(EMI)
有机发光二极管(OLED)电视电源
Keywords
superjunction
mosfet
vertical double diffused
mosfet
(VD
mosfet
)
electromagnetic interference(EMI)
organic light emission diode(OLED)TV power
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
玻耳兹曼输运模型有限元数值解误差分析的研究
2
作者
童建农
邹雪城
沈绪榜
机构
华中科技大学IC设计中心
出处
《光通信研究》
北大核心
2004年第4期64-66,共3页
文摘
文章应用有限元方法的器件玻耳兹曼输运模型进行了误差分析.模型与模拟结果表明扰动误差是在有限元积分的网格剖分加密过程中产生的,提高数值精度是改进稳定性的途径之一.
关键词
有限元方法
误差分析
纵向mosfet
SOI
Keywords
finite element analysis
error analysis
vertical n
mosfet
SOI
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET
王俊生
肖胜安
彭俊彪
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
0
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职称材料
2
玻耳兹曼输运模型有限元数值解误差分析的研究
童建农
邹雪城
沈绪榜
《光通信研究》
北大核心
2004
0
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职称材料
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参考文献
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