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题名纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术
被引量：5
- 1
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作者
成立
李春明
王振宇
祝俊
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机构
江苏大学电气与信息工程学院
南通工学院计算机科学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期30-34,44,共6页
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基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
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文摘
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
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关键词
集成电路
纳米cmos器件
超浅结离子掺杂
等离子体浸没掺杂
投射式气体浸入激光掺杂
离子淋浴掺杂
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Keywords
VLSI
ULSI
ion beam doping
cmos device
nanoelectronic technology
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
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作者
成立
王振宇
武小红
范木宏
祝俊
赵倩
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机构
江苏大学电气信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期35-40,共6页
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基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
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文摘
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。
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关键词
超大规模集成电路
纳米cmos器件
离子束蚀刻
考夫曼离子源
电子回旋共振
电感耦合等离子体蚀刻器
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Keywords
VLSI
nanometer cmos device
ion beam etching
Kaufman ion source
ECR
inductively coupled plasma etcher(ICPE)
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN405.98
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名纳米CMOS图像传感器及其在航空航天中的应用
- 3
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作者
李芹
蔡理
吴刚
王森
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机构
空军工程大学理学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2007年第11期989-993,共5页
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基金
空军工程大学理学院科研资助项目(2005ZK19)
陕西省自然科学基金项目(2005F20)
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文摘
随着超大规模集成技术的飞速发展,CMOS图像传感器已成为研究开发的热点。简要介绍和分析了基于非平衡格林函数、维格纳函数与密度矩阵、单粒子薛定谔方程的三种纳米CMOS器件的输运模型,并指出了各种模型的优缺点和适用对象;针对纳米CMOS图像传感器面临的关键技术问题,给出了相应的解决方法;讨论了纳米CMOS图像传感器在航空航天中的应用。
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关键词
纳米cmos器件
图像传感器
电荷耦合器件
航空航天
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Keywords
nano-cmos device
image sensor
charge coupled device （CCD）
aviation and spaceflight
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分类号
TP212.9
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名纳米器件的发展动态
被引量：8
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作者
翁寿松
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机构
无锡市罗特电子有限公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2005年第8期345-349,共5页
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文摘
介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。
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关键词
纳米器件
纳米cmos器件
纳米电子器件
量子器件
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Keywords
nanodevice
nano-cmos device
nanoelectronic device
quantum device
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分类号
TN40
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名限散射角电子束光刻技术及其应用前景
被引量：2
- 5
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作者
成立
赵倩
王振宇
祝俊
范木宏
刘合祥
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机构
江苏大学电气信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期18-22,共5页
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基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
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文摘
在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。
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关键词
超大规模集成电路
纳米cmos器件
电子束光刻
散射
技术优势
应用前景
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Keywords
VLSI
nanometer cmos device
electron-beam lithography
scattering
technique superiority
a pplication prospect
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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