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题名n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究
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作者
李妤晨
沈路
张鹤鸣
刘树林
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机构
西安科技大学电气与控制工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期585-591,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61474085)
西安科技大学博士启动金资助项目(2014QDJ035)
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文摘
n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同。在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性。研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限。该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值。
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关键词
双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)
带带隧穿
亚阈值摆幅
阈值电压
纳米非对称结构
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Keywords
double-gate tunneling field effect transistor （DG-TFET）
band-to-band tunneling
subthreshold swing
threshold voltage
nanoscale asymmetric structure
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分类号
TN389
[电子电信—物理电子学]
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