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硅纳米线界面态的化学钝化方法概述: 1; 作者窦亚梅韩伟华杨富华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期675-683,共9页; 分析了界面态对硅无结纳米线晶体管（JNT）亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响。化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸（HF）腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀钝... 展开更多; 关键词硅无结纳米线晶体管(JNT) 电导率亚阈值摆幅界面态化学处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅纳米线传感器灵敏度研究进展被引量：1: 2; 作者方敏闫江 +7 位作者魏千惠张青竹魏淑华王艳蓉张兆浩熊恩毅张双张静《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期225-232,253,共9页; 对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(L... 展开更多; 关键词硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET) 一维纳米材料传感器灵敏度检测限(LOD) 表面修饰; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法: 3; 作者张栋肖淼 +2 位作者马迅程国胜张兆春《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期25-28,50,共5页; 以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶... 展开更多; 关键词金纳米颗粒硅材料荧光分析硅纳米线场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳电子学与神经形态芯片的新进展被引量：3: 4; 作者赵正平《微纳电子技术》北大核心 2018年第1期1-5,共5页; 综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管（Fin FET）的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及... 展开更多; 关键词纳电子学鳍式场效应晶体管(FinFET) 10 nm互补金属氧化物半导体(CMOS) 纳米线晶体管自旋电子学碳纳米管栅神经形态芯片类脑芯片神经形态处理器忆阻器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅纳米线界面态的化学钝化方法概述: 1; 作者窦亚梅韩伟华杨富华; 机构中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心中国科学院大学微电子学院中国科学院大学电子电气与通信工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期675-683,共9页; 基金国家重点研发计划资助项目(2016YFA0200503); 文摘分析了界面态对硅无结纳米线晶体管（JNT）亚阈值摆幅和电导率的影响,并详细总结了化学钝化硅纳米线界面态的方法以及对器件性能的影响。化学钝化方法主要包括各向同性的氢氟酸（HF）腐蚀钝化和各向异性的四甲基氢氧化铵（TMAH）腐蚀钝化。HF钝化方法以氢饱和硅表面悬挂键来减少其表面界面态,TMAH钝化方法则通过各向异性腐蚀形成Si—O键。化学处理后得到了光滑的硅纳米线晶面表面结构,从而有效地抑制界面态对电导率的影响,使器件达到理想的亚阈值摆幅。研究结果表明,利用化学腐蚀钝化方法优化界面态,能够有效改善硅纳米线晶体管的性能。; 关键词硅无结纳米线晶体管(JNT) 电导率亚阈值摆幅界面态化学处理; Keywords junctionless nanowire transistor （JNT） conductivity subthreshold swing interface state chemical treatment; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅纳米线传感器灵敏度研究进展被引量：1: 2; 作者方敏闫江魏千惠张青竹魏淑华王艳蓉张兆浩熊恩毅张双张静; 机构北方工业大学信息学院有研科技集团有限公司智能传感功能材料国家重点实验室有研工程技术研究院有限公司中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心中国科学院大学; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期225-232,253,共9页; 基金国家科技重大专项资助项目(2017ZX02301007-001) 中国科学院青年促进会基金资助项目(Y9YQ01R004) 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放基金资助项目(E0YS01X001)。; 文摘对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(LOD)。重点讨论了通过对SiNW表面修饰方法的优化、使用不同结构形状SiNW和降低传感器德拜屏蔽效应等方法提高SiNW-FET传感器的灵敏度,对各种提高灵敏度的方法和对应方法下SiNW-FET传感器的检测限或灵敏度进行了对比总结。最后,总结了提高SiNW-FET传感器灵敏度的方法和目前亟待解决的问题,并展望了其发展趋势。; 关键词硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET) 一维纳米材料传感器灵敏度检测限(LOD) 表面修饰; Keywords silicon nanowire field-effect transistor(SiNW-FET) one-dimensional nanomaterial sensor sensitivity limit of detection(LOD) surface modification; 分类号 TP212.3 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法: 3; 作者张栋肖淼马迅程国胜张兆春; 机构上海大学材料科学与工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期25-28,50,共5页; 基金国家重大科学研究计划(973)(2014CB965003) 国家自然科学基金(Y1CDS11001); 文摘以氯金酸、L-半胱氨酸为反应试剂,利用内电流和金硫自组装效应,在硅材料表面组装了较为均一的金纳米颗粒,并利用荧光分析与硅纳米线场效应晶体管对该方法进行了相关验证。结果表明:经氢氟酸处理后的硅材料,在氯金酸和L-半胱氨酸混合溶液中反应3min可在硅表面得到较为均匀、稳定的金纳米颗粒层,其中,氯金酸浓度为0.5mmol/L,氯金酸和L-半胱氨酸浓度比为3∶1。荧光分析表明该方法组装的金颗粒表面已氨基功能化,使得金纳米颗粒修饰的硅材料在应用于生物检测时可直接醛基化修饰蛋白,简化了实验操作。同时,该方法可以在硅纳米线场效应晶体管中特异性组装金纳米颗粒,有力地支持了相关器件在疾病检测方面的应用。; 关键词金纳米颗粒硅材料荧光分析硅纳米线场效应晶体管; Keywords gold nanoparticles, silicon material, fluorescence analysis, silicon nanowire field effect transistor; 分类号 TB33 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳电子学与神经形态芯片的新进展被引量：3: 4; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司专用集成电路重点实验室; 出处《微纳电子技术》北大核心 2018年第1期1-5,共5页; 文摘综述了纳电子学和神经形态芯片进入新世纪后所处发展阶段以及近两年的最新进展。在纳电子领域,综述并分析了当今集成电路的发展现状,包括鳍式场效应晶体管（Fin FET）的发展、10 nm节点的技术突破、7 nm和5 nm节点的前瞻性技术研究以及三类后互补金属氧化物半导体（CMOS）器件（自旋电子器件、隧穿FET和碳纳米管栅的二维半导体Mo S2晶体管）的探索性研究,指出摩尔定律将沿着加强栅对沟道电子的控制（三栅和环栅）、更换高迁移率材料和采用新机理等技术路线继续前行。在神经形态芯片领域,综述并分析了神经形态芯片的发展历程、＂真北＂类脑芯片的技术创新和应用、当今嵌入式神经处理器的四个发展特点和采用新器件提高能量效率的探索。采用纳电子技术的神经形态芯片的发展将成为未来智能时代发展的基础。; 关键词纳电子学鳍式场效应晶体管(FinFET) 10 nm互补金属氧化物半导体(CMOS) 纳米线晶体管自旋电子学碳纳米管栅神经形态芯片类脑芯片神经形态处理器忆阻器; Keywords nanoelectronics Fin field-effect transistor（FinFET） 10 nm complementary metal-oxide-semiconductor（CMOS） nanowire transistor spintronics carbon nanotube gate neuromorphic chip class brain chip neuromorphic processor memristor; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学] TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅纳米线界面态的化学钝化方法概述	窦亚梅韩伟华杨富华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	硅纳米线传感器灵敏度研究进展	方敏闫江魏千惠张青竹魏淑华王艳蓉张兆浩熊恩毅张双张静	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种在硅材料表面组装金纳米颗粒的新方法	张栋肖淼马迅程国胜张兆春	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳电子学与神经形态芯片的新进展	赵正平	《微纳电子技术》北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料