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题名薄膜场发射阴极中纳米线密度的理论优化
被引量：12
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作者
赵晓雪
张耿民
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机构
北京大学电子学系
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出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期357-359,365,共4页
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基金
君政基金
国家自然科学基金项目 (No 60 1710 2 50 12 810 1)
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文摘
现在人们正在研究各种纳米线薄膜 ,因为它们很有可能成为新一代的场发射阴极而被应用于平面显示器等器件中。研究表明 ,除了纳米线的物理特性 ,薄膜的场发射特性也强烈地依赖于纳米线阵列的几何构造。一方面 ,薄膜阴极的纳米线阵列密度要足够大 ,使得大量的场发射源能够产生。另一方面 ,过大的密度带来的屏蔽效应将严重削弱纳米线尖端的局域电场。在本文的参数下 。
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关键词
理论优化
薄膜场发射阴极
纳米线密度
场增强因子
ANSYS软件
纳米线薄膜
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Keywords
Thin film field emission cathode,Nanowire density,Field enhancement factor,Ansys
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分类号
O462.4
[理学—电子物理学]
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