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半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究被引量：4: 1; 作者铁健铁生年《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第14期88-91,共4页; 采用水流分级和高能纳米冲击磨对原始SiC粉料进行微纳米粉体加工。研究结果表明:水流分级得到纯度98.42%、中位粒径0.404μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.0321m2/g;高能冲击磨得到纯度95.5%、中位粒径0.257μm的SiC粉体,比表... 展开更多; 关键词微纳米碳化硅粉体粒径分布水流分级冲击磨; 在线阅读下载PDF 职称材料

微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究被引量：3: 2; 作者铁健铁生年《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2311-2316,共6页; 利用微波消解技术和酸碱化学介质对微纳米碳化硅粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺进行了研究。正交试验结果表明:微波功率4 k W,微波频率2450 MHz时,反应温度90℃,盐酸浓度3 mol·L^(-1),反应时间10 min,液固比4∶1,Fe_2O_3去除率达... 展开更多; 关键词微纳米碳化硅粉体提纯微波酸碱处理; 在线阅读下载PDF 职称材料

催化反应制备碳化硅纳米粉体的密度泛函理论计算及实验研究被引量：3: 3; 作者王军凯韩磊 +3 位作者黄亮张海军李俊怡李赛赛《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1602-1610,共9页; 以Si_(55),Si_(43)M_(12)和Si_(37)M_(18)(M=Fe,Co或Ni)团簇为模型,采用密度泛函理论(DFT)研究了Fe,Co及Ni纳米团簇催化硅粉转化为SiC的机理.计算结果表明,Fe,Co及Ni纳米催化剂先与Si形成合金,拉长并弱化Si—Si键的强度,起到活化Si粉的... 展开更多; 关键词密度泛函理论碳化硅纳米粉体催化碳化反应硅粉酚醛树脂; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光诱导制备纳米SiC粉体被引量：7: 4; 作者线全刚梁勇 +1 位作者杨柯王淑兰《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2003年第2期170-172,共3页; 以硅烷SiH4和乙炔C2H2为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积制各(LICVD)理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20... 展开更多; 关键词制备纳米碳化硅粉体纳米SIC粉体激光诱导化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究被引量：4: 1; 作者铁健铁生年; 机构青海大学新能源光伏产业研究中心; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第14期88-91,共4页; 基金青海省重点实验室发展专项资金(2014-Z-Y31 2015-Z-Y02); 文摘采用水流分级和高能纳米冲击磨对原始SiC粉料进行微纳米粉体加工。研究结果表明:水流分级得到纯度98.42%、中位粒径0.404μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.0321m2/g;高能冲击磨得到纯度95.5%、中位粒径0.257μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.2773m2/g,SiC的粒径及比表面积达到半导体制造业用微纳米碳化硅粉体的技术标准。纯度分析表明碳化硅粉体的水流分级未引入杂质,化学成分基本不变;SiC粉体冲击磨加工纯度下降,其他杂质含量偏高。粉体形貌分析表明原始SiC粉料形貌为非球形,粒度分布不均匀,水流分级和冲击磨加工碳化硅粉体形貌为非球形,粒度分布较加工前更均匀。; 关键词微纳米碳化硅粉体粒径分布水流分级冲击磨; Keywords micro-nano SiC powder, particle size distribution, water flow classification, impact grinding; 分类号 TQ163.4 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究被引量：3: 2; 作者铁健铁生年; 机构青海大学新能源光伏产业研究中心; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2311-2316,共6页; 基金青海省重点实验室发展专项资金(2014-Z-Y31 2015-Z-Y02); 文摘利用微波消解技术和酸碱化学介质对微纳米碳化硅粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺进行了研究。正交试验结果表明:微波功率4 k W,微波频率2450 MHz时,反应温度90℃,盐酸浓度3 mol·L^(-1),反应时间10 min,液固比4∶1,Fe_2O_3去除率达到97.4%;反应温度90℃,氢氧化钠浓度180 g·L^(-1),反应时间10 min,液固比3∶1,Si的去除率达到97.31%,SiO_2达到97.26%;除杂后SiC粉体的纯度达到98.1%;通过碳化硅粉体形貌分析,除杂后SiC粉体表面附着物质明显减少,较除杂前更加光滑。; 关键词微纳米碳化硅粉体提纯微波酸碱处理; Keywords micro-nano SiC powder purification microwave acid/alkali treatment; 分类号 O613 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名催化反应制备碳化硅纳米粉体的密度泛函理论计算及实验研究被引量：3: 3; 作者王军凯韩磊黄亮张海军李俊怡李赛赛; 机构武汉科技大学材料与冶金学院省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室; 出处《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1602-1610,共9页; 基金国家自然科学基金(批准号:51472184 51472185) 湖北省教育厅高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目(批准号:T201602)资助~~; 文摘以Si_(55),Si_(43)M_(12)和Si_(37)M_(18)(M=Fe,Co或Ni)团簇为模型,采用密度泛函理论(DFT)研究了Fe,Co及Ni纳米团簇催化硅粉转化为SiC的机理.计算结果表明,Fe,Co及Ni纳米催化剂先与Si形成合金,拉长并弱化Si—Si键的强度,起到活化Si粉的作用;合金的形成有利于C原子的吸附及Si原子和C原子间的反应;Fe的催化能力强于Co和Ni.在此基础上,以Si粉和酚醛树脂为原料,以Fe,Co及Ni硝酸盐为催化剂前驱体,通过微波加热反应制备了3C-SiC纳米粉体.研究了催化剂种类、反应温度、催化剂用量和反应时间等对制备3C-SiC纳米粉体的影响.结果表明,催化剂Fe,Co和Ni的加入均可显著降低3C-SiC的合成温度.当以2.0%(质量分数)的Fe为催化剂时,Si粉在1100℃下反应30 min后即可全部转化为3C-SiC纳米粉体;而在相同条件下,无催化剂时Si粉的完全转化温度为1250℃;Fe的催化效果优于Co和Ni,与DFT计算结果吻合.; 关键词密度泛函理论碳化硅纳米粉体催化碳化反应硅粉酚醛树脂; Keywords Density functional theory（DFT） 3C-SiC nano powders Catalytic carbonization reaction Silicon powder Phenolic resin; 分类号 O641 [理学—物理化学] TB35 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光诱导制备纳米SiC粉体被引量：7: 4; 作者线全刚梁勇杨柯王淑兰; 机构中国科学院金属研究所; 出处《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2003年第2期170-172,共3页; 文摘以硅烷SiH4和乙炔C2H2为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积制各(LICVD)理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中含氧量低于1%.; 关键词制备纳米碳化硅粉体纳米SIC粉体激光诱导化学气相沉积; Keywords laser synthesis nanometer SiC; 分类号 TF123.31 [冶金工程—粉末冶金] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究	铁健铁生年	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究	铁健铁生年	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	催化反应制备碳化硅纳米粉体的密度泛函理论计算及实验研究	王军凯韩磊黄亮张海军李俊怡李赛赛	《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	激光诱导制备纳米SiC粉体	线全刚梁勇杨柯王淑兰	《沈阳工业大学学报》 EI CAS	2003	7	在线阅读下载PDF 职称材料