自组装半导体量子点在纳米电子器件中的应用 被引量：2

1

作者 孙捷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期61-65,共5页

随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。本文按纵向输运器件、横向输运器件... 随着微电子工艺逐渐逼近其物理极限,具有量子特性的纳米电子器件的研制被提上日程。自组装半导体量子点由于缺陷少、生长技术成熟和具有δ函数形式的能态密度等优点而被广泛用于纳米电子器件制备中。本文按纵向输运器件、横向输运器件的分类扼要评述了该领域的最新进展,并对待解决的问题和发展前景作了分析。 展开更多

关键词 微电子工艺 量子特性 自组装半导体量子点 纳米电子器件

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纳米电子器件

2

作者 薛增泉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期395-404,共10页

评述了纳米电子器件的理论及应用意义、研究领域和最新进展。

关键词 纳米电子器件 量子线 量子点 单电子晶体管

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二维半导体材料纳米电子器件和光电器件 被引量：32

3

作者 王根旺 侯超剑 +2 位作者 龙昊天 杨立军 王扬 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1319-1340,共22页

近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德... 近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。 展开更多

关键词 二维半导体纳米材料 过渡金属二硫化物 黑磷 范德瓦尔斯异质结 纳米电子器件 纳米光电器件

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新型纳米电子器件制成

4

作者 吴引江 《稀有金属快报》 CSCD 2001年第7期24-,共1页

关键词 纳米电子器件 RTD 高频率

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上海交大纳米光电子器件研制有突破

5

作者 化信 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期112-112,共1页

上海交通大学微纳科学技术研究院长江学者特聘教授张亚非和他的学生陈长鑫博士等人研发出一种新型的碳纳米管太阳能光伏电池。

关键词 纳米光电子器件 上海交大 太阳能光伏电池 上海交通大学 碳纳米管 长江学者 科学技术 研究院

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基于28nm MOSFET集成RNVM的1T1R纳米阵列器件可靠性研究 被引量：1

6

作者 徐顺 陈冰 《电子测量技术》 北大核心 2024年第14期18-25,共8页

针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性... 针对下一代新型纳米电子器件应用可靠性,设计制备了基于28 nm CMOS工艺MOSFET有源集成RNVM的存算一体化1T1R纳米阵列器件,测试评价了其在开关比(107-8)、操作电压(±1 V)、存储窗口等方面的综合电学性能,并设计实施了专门的可靠性试验。结果表明1T1R纳米阵列器件存在MOSFET Ion、Ileak应力退化-44.90%、751.64%以及RRAM循环耐受过程反向硬击穿等不单独出现于分立器件的特有失效现象。分析微观器件物理,得出1T1R纳米阵列器件因其独特结构特征和操作模式下复杂微观交互机制引发高源漏电压和弱栅控条件下特有可靠性原理的结论。提出了专门测试调控方案以提高1T1R纳米阵列器件可靠性。为解决28 nm及以下节点CMOS逻辑器件集成纳米RNVM技术引发的特有可靠性问题提供参考。 展开更多

关键词 新型纳米电子器件 1T1R存算一体化 MOSFET RNVM 28nm制程 可靠性测试 器件物理

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纳米电子技术——21世纪的电子热点 被引量：2

7

作者 陈岩 《北京工商大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期14-17,共4页

主要阐述纳米电子技术产生的背景 ,纳米电子学研究的内容和领域 ,纳米电子学研究的新进展 ,以及纳米电子的应用前景 .

关键词 纳米电子学 纳米电子器件 单电子器件 纳米电子技术 微电子技术 纳米芯片

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用STM的纳米导电图形加工技术的研究 被引量：3

8

作者 潘钢 严学俭 +4 位作者 吉小松 叶钢锋 张群 章壮健 华中一 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第2期123-126,共4页

用STM针尖对有机络合物电双稳薄膜材料施加强电场作用 ,可在材料表面产生纳米线度的导电几何图形。实验证明 :对针尖本身的几何构形、施加在针尖上的脉冲幅度、周期和占空比都必须进行细致的选择。用Ag TCNQ络合物进行实验 ,在适合的针... 用STM针尖对有机络合物电双稳薄膜材料施加强电场作用 ,可在材料表面产生纳米线度的导电几何图形。实验证明 :对针尖本身的几何构形、施加在针尖上的脉冲幅度、周期和占空比都必须进行细致的选择。用Ag TCNQ络合物进行实验 ,在适合的针尖 样品距离下 ,发现所加脉冲偏压的极性为负时 。 展开更多

关键词 纳米导电图形 加工技术 集成电路 扫描隧道显微镜 纳米加工 纳米电子器件

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单层碳纳米管的磁输运特性 被引量：2

9

作者 曾晓英 张振华 +1 位作者 彭景翠 陈小华 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期27-30,共4页

依据磁场中Boltzmann输运方程及单层磁纳米管 (SWNTs)的能量色散关系 ,对单个SWNTs中轴向磁场诱发的低温磁阻进行了数值计算。分析表明 :当电子以低能输运时 ,SWNTs的磁阻有明显的Aharonov Bohn(A -B)效应 。

关键词 单层磁纳米管 BOLTZMANN方程 能量色散关系 磁阻 A-B效应 磁输运特性 纳米电子器件

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二维金纳米微粒有序阵列的制备 被引量：1

10

作者 廖建辉 吴仲岿 +4 位作者 葛存旺 虞伟 徐丽娜 陈坤基 顾宁 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期471-474,共4页

对于用十二烷基硫醇包覆的金纳米微粒 ,用Langmuir Blodgett(LB)技术制备了二维金纳米微粒有序阵列 .在单纯的硫醇包覆的金纳米微粒形成的LB膜中 ,由于硫醇分子之间的疏水相互作用 ,容易导致金纳米微粒的自组织而在LB膜中形成缺陷 .为... 对于用十二烷基硫醇包覆的金纳米微粒 ,用Langmuir Blodgett(LB)技术制备了二维金纳米微粒有序阵列 .在单纯的硫醇包覆的金纳米微粒形成的LB膜中 ,由于硫醇分子之间的疏水相互作用 ,容易导致金纳米微粒的自组织而在LB膜中形成缺陷 .为了改善金纳米微粒的成膜性能和提高金纳米微粒阵列的有序性 ,正十二醇作为添加剂和润滑剂加入到金纳米微粒的氯仿溶液中与金纳米微粒一起形成LB膜 .用透射电子显微镜对金纳米微粒的二维阵列进行了表征 .结果表明 ,正十二醇的加入可以有效地减少用LB技术制备的二维金纳米微粒阵列中的缺陷 。 展开更多

关键词 金纳米微粒 有序阵列 LB技术 二维阵列 成膜性能 纳米电子器件

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动态电场诱导氧化实现纳米结构的加工 被引量：1

11

作者 郭彤 胡晓东 胡小唐 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期131-133,共3页

利用原子力显微镜 (AFM )进行表面的局部氧化加工是进行纳米结构加工的一种很有前途的方法。它具有广泛的应用范围 ,可以进行功能性纳米电子器件和纳米机械结构的加工。实验采用了动态电场作用下的AFM诱导氧化的方法 ,提高了氧化物的生... 利用原子力显微镜 (AFM )进行表面的局部氧化加工是进行纳米结构加工的一种很有前途的方法。它具有广泛的应用范围 ,可以进行功能性纳米电子器件和纳米机械结构的加工。实验采用了动态电场作用下的AFM诱导氧化的方法 ,提高了氧化物的生长速度 ,并且改善了氧化结构的纵横比 ,能够更好地控制生成氧化物的结构和电属性。 展开更多

关键词 纳米结构 电场诱导氧化 加工 原子力显微镜(AFM) 动态 纳米电子器件 局部氧化 应用范围 机械结构 电场作用 生长速度 氧化物 功能性 纵横比

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锗纳米线的制备与生长机理 被引量：2

12

作者 裴立宅 赵海生 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 2007年第3期43-48,共6页

介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要对溶剂热合成法、化学气相沉积(CVD)法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固(VLS)生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。

关键词 半导体材料 纳米电子器件 锗纳米线 制备技术 生长机理

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一种简便的制备碳纳米管装填Fe纳米丝的方法 被引量：1

13

作者 陆国飞 包建春 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期272-272,共1页

关键词 碳纳米管 纳米丝 装填 FE 制备 简便 纳米电子器件 化学稳定性 磁记录材料

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电位控制的固液界面有序纳米结构(英文)

14

作者 王栋 万立骏 白春礼 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期301-305,共5页

在电极电势控制下 ,用原子、离子和有机分子在固液界面构筑了有序的纳米结构。利用电化学扫描隧道显微镜能够观察纳米结构的形成过程及电势控制下的结构转变和分子位相变化。

关键词 电位控制 纳米结构 固液界面 电化学扫描隧道显微镜 结构转变 分子位相 纳米电子器件 有序结构

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用SPM纳米刻蚀方法在Ti表面制备纳米结构的研究

15

作者 申自勇 侯士敏 薛增泉 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期252-254,259,共4页

本文用导电原子力显微镜 (AFM)针尖诱导局域氧化反应的方法 ,在Ti膜表面制备了TiO2 纳米结构。实验结果表明 ,Ti膜的氧化阈值为 - 7伏 ,制备的TiO2 纳米线的最小线宽达到 10nm ,TiO2 纳米线的高度和宽度随针尖偏压的增大而增大。在优化... 本文用导电原子力显微镜 (AFM)针尖诱导局域氧化反应的方法 ,在Ti膜表面制备了TiO2 纳米结构。实验结果表明 ,Ti膜的氧化阈值为 - 7伏 ,制备的TiO2 纳米线的最小线宽达到 10nm ,TiO2 纳米线的高度和宽度随针尖偏压的增大而增大。在优化的氧化刻蚀条件下 ,通过控制针尖偏压和扫描方式制备出了图形化的TiO2 结构 。 展开更多

关键词 原子力显微镜 纳米刻蚀 纳米线 纳米结构 钛表面 二氧化钛 氧化刻蚀 纳米电子器件 扫描探针显微镜

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ZnO纳米棒的制备与表征

16

作者 杨春娜 李英 +1 位作者 徐舸 马秀良 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期34-34,共1页

关键词 ZnO 纳米棒 表征 制备 一维纳米材料 纳米电子器件 化学气相沉积 光电子器件

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ZnS一维纳米结构中的高密度孪晶

17

作者 李英 马秀良 杨春娜 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期247-247,共1页

关键词 一维纳米结构 ZNS 高密度 一维纳米材料 孪晶 纳米电子器件 场效应晶体管 光电子器件 太阳能电池

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TPA-PPV纳米粒子的制备和尺度效应

18

作者 王震宇 于贵 +5 位作者 刘云圻 白风莲 曹灵超 徐新军 吴玉英 朱道本 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期278-281,共4页

TPA-PPV是一种优秀的电致发光材料,具有很高的荧光量子产率.介绍了用再沉淀的方法制备粒子尺寸为20～100 nm的TPA-PPV纳米粒子.研究发现,当纳米粒子的尺寸从100 nm逐渐减小到20 nm时,紫外-可见吸收光谱在400 nm附近的吸收和荧光发射光谱... TPA-PPV是一种优秀的电致发光材料,具有很高的荧光量子产率.介绍了用再沉淀的方法制备粒子尺寸为20～100 nm的TPA-PPV纳米粒子.研究发现,当纳米粒子的尺寸从100 nm逐渐减小到20 nm时,紫外-可见吸收光谱在400 nm附近的吸收和荧光发射光谱在500 nm附近的发光都向高能端移动,其光谱发生了蓝移.讨论了其光谱尺度效应的机理.研究结果表明其在新型纳米光电子器件中有着广阔的应用前景. 展开更多

关键词 纳米光电子器件 再沉淀 纳米粒子 尺度效应 蓝移

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石墨烯制备与带隙调控的研究进展 被引量：5

19

作者 焦小亮 张悦炜 +3 位作者 何潺 徐剑峰 杨靖霞 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期12-17,共6页

石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍了半导体石墨烯在... 石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍了半导体石墨烯在纳米电子器件上的应用前景,提出今后值得关注的研究方向。 展开更多

关键词 石墨烯 半导体 禁带宽度 带隙调控 纳米电子器件

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六方氮化硼二维材料的制备及光电特性的研究进展 被引量：3

20

作者 丁馨 马锡英 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第S1期11-14,18,共5页

介绍了六方氮化硼(h-BN)材料的几种主要制备方法,如剥离法、化学气相沉积法、水热法等,并讨论了各种制备方法的特点。同时展示了以h-BN二维材料制备的晶体管的特性,发现其具有良好的电学和放大特性。综述了h-BN与石墨烯、硫化钼等其他... 介绍了六方氮化硼(h-BN)材料的几种主要制备方法,如剥离法、化学气相沉积法、水热法等,并讨论了各种制备方法的特点。同时展示了以h-BN二维材料制备的晶体管的特性,发现其具有良好的电学和放大特性。综述了h-BN与石墨烯、硫化钼等其他二维材料构成的异质结的光电特性,因为h-BN带隙宽,与其他二维材料形成的异质结势垒高度增加,载流子复合速率降低,使光电流响应率增加,响应时间减小,从而使器件的频率特性得到显著提升。这些优异特性可用于制备光电探测器和太阳能电池等高效率的纳米光电子器件。最后,还对h-BN未来的发展方向进行了展望,其制备工艺和应用领域还有待进一步深入拓展。 展开更多

关键词 六方氮化硼 二维材料 机械剥离法 化学气相沉积法 水热法 晶体管 光电探测器 纳米电子器件

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