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基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
1
作者
王悦杨
马英杰
+4 位作者
白永林
吴佳颖
廉浩哲
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期339-344,共6页
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理,确立并修正了部分相关的物理参数,准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化,完成核/壳NSFET的SPICE模型构建及验证。结果表明,单器件的直流特性参数的平均提取误差小于3%,验证误差小于5%。所建模型可以准确描述不同沟道外壳厚度的n型核/壳NSFET的器件特性,为核/壳NSFET的研发及仿真应用提供参考。
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关键词
核壳结构
纳米
片场
效应
晶体管
(
nsfet
)
TCAD
伯克利短沟道绝缘栅场
效应
晶体管
公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型
SPICE建模
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职称材料
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
被引量：
1
2
作者
陈光前
王悦杨
+1 位作者
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期442-448,共7页
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的准确性。最后,构建并验证分组模型与工艺角模型。这些模型能准确描述不同尺寸和工艺波动对NSFET器件特性的影响,为加快高性能、低功耗NSFET的开发提供理论参考和实践指导。
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关键词
纳米
片场
效应
晶体管
(
nsfet
)
TCAD
伯克利短沟道绝缘栅场
效应
晶体管
公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型
直流特性
参数提取
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职称材料
题名
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
1
作者
王悦杨
马英杰
白永林
吴佳颖
廉浩哲
唐敏
刘伟景
机构
上海电力大学电子与信息工程学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第4期339-344,共6页
文摘
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过分析核壳结构沟道的材料与结构设计特点及其导通原理,确立并修正了部分相关的物理参数,准确地描述了沟道外壳厚度改变引起的器件特性变化,完成核/壳NSFET的SPICE模型构建及验证。结果表明,单器件的直流特性参数的平均提取误差小于3%,验证误差小于5%。所建模型可以准确描述不同沟道外壳厚度的n型核/壳NSFET的器件特性,为核/壳NSFET的研发及仿真应用提供参考。
关键词
核壳结构
纳米
片场
效应
晶体管
(
nsfet
)
TCAD
伯克利短沟道绝缘栅场
效应
晶体管
公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型
SPICE建模
Keywords
core-shell structure
nanosheet field effect transistor(
nsfet
)
TCAD
Berkley short-channel insulated gate field-effect transistor model-common multi-gate(BSIM-CMG)compact model
SPICE modeling
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
被引量：
1
2
作者
陈光前
王悦杨
唐敏
刘伟景
机构
上海电力大学电子与信息工程学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第5期442-448,共7页
基金
国家自然科学基金(62174055)。
文摘
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的准确性。最后,构建并验证分组模型与工艺角模型。这些模型能准确描述不同尺寸和工艺波动对NSFET器件特性的影响,为加快高性能、低功耗NSFET的开发提供理论参考和实践指导。
关键词
纳米
片场
效应
晶体管
(
nsfet
)
TCAD
伯克利短沟道绝缘栅场
效应
晶体管
公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型
直流特性
参数提取
Keywords
nanosheet field⁃effect transistor(
nsfet
)
TCAD
Berkeley short⁃channel insulated gate field⁃effect transistor(IGFET)model⁃common multi⁃gate(BSIM⁃CMG)compact model
DC characteristic
parameter extraction
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
王悦杨
马英杰
白永林
吴佳颖
廉浩哲
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
北大核心
2025
0
在线阅读
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职称材料
2
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模
陈光前
王悦杨
唐敏
刘伟景
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
1
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职称材料
已选择
0
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引证文献
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