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基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
1
作者
唐鑫
柳志成
+1 位作者
江弘胜
李国强
《半导体技术》
北大核心
2025年第5期443-448,共6页
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀...
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀的NiO薄层,形成了异质结核壳结构。得益于GaN纳米柱阵列异质结的结构优势,如高吸光特性和高载流子迁移率,制备的紫外光电探测器在没有任何电源的情况下,在365 nm波长紫外光照射下展现出高响应度(350 mA/W)、短响应(上升/下降)时间(36 ms/42 ms)、高电流开关比(2.1×10^(5))和高紫外-可见光抑制比(2.9×10^(4)),性能优于目前报道的薄膜型异质结紫外光电探测器,在下一代紫外光探测中显示出巨大的应用潜力。
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关键词
NiO/GaN
紫外光电探测器
纳米柱阵列异质结
分子束外延(MBE)
高温热氧化法
自供电光探测
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职称材料
题名
基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
1
作者
唐鑫
柳志成
江弘胜
李国强
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
东莞市东华高级中学
出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第5期443-448,共6页
基金
国家重点研发计划(2022YFB3604500,2022YFB3604501)。
文摘
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀的NiO薄层,形成了异质结核壳结构。得益于GaN纳米柱阵列异质结的结构优势,如高吸光特性和高载流子迁移率,制备的紫外光电探测器在没有任何电源的情况下,在365 nm波长紫外光照射下展现出高响应度(350 mA/W)、短响应(上升/下降)时间(36 ms/42 ms)、高电流开关比(2.1×10^(5))和高紫外-可见光抑制比(2.9×10^(4)),性能优于目前报道的薄膜型异质结紫外光电探测器,在下一代紫外光探测中显示出巨大的应用潜力。
关键词
NiO/GaN
紫外光电探测器
纳米柱阵列异质结
分子束外延(MBE)
高温热氧化法
自供电光探测
Keywords
Nio/GaN
UV photodetector
nanorod array heterojunction
molecular beam epitaxy
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
唐鑫
柳志成
江弘胜
李国强
《半导体技术》
北大核心
2025
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