期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
料浆喷涂法制备纳米晶TiO2薄膜及其在DSSC中的应用 被引量:3
1
作者 骆志坚 李天广 +2 位作者 刘江 金超 丁姣 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期387-390,共4页
采用料浆喷涂法在ITO导电玻璃上制备了纳米晶TiO2,SEM测试结果表明该薄膜呈多孔结构,构成薄膜的TiO2颗粒均为20~30nm,薄膜的厚度能够很好地控制在5~20μm之间。将此薄膜组装成染料敏化太阳电池(DSSC),在标准模拟太阳光(AM1.5G)下测试... 采用料浆喷涂法在ITO导电玻璃上制备了纳米晶TiO2,SEM测试结果表明该薄膜呈多孔结构,构成薄膜的TiO2颗粒均为20~30nm,薄膜的厚度能够很好地控制在5~20μm之间。将此薄膜组装成染料敏化太阳电池(DSSC),在标准模拟太阳光(AM1.5G)下测试,短路电流密度达7.78mA/cm2、光电转换效率为1.94%。讨论了制备工艺对电池性能的影响。 展开更多
关键词 料浆喷涂法 纳米晶tio2薄膜 DSSC ITO导电玻璃
在线阅读 下载PDF
TiO_2纳米晶薄膜的制备及其体外细胞毒性的实验研究 被引量:1
2
作者 俞菲 王海花 +3 位作者 陈炜 张锴 谢东 冷永祥 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期181-184,共4页
分别采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术和直流磁控溅射(DCMS)技术在单晶硅基片上制备出两种晶粒尺寸的TiO_2纳米晶薄膜;采用ISO10993-5:1999标准中的浸提液法对TiO_2薄膜的体外细胞毒性进行评价和研究。实验结果表明,在TiO_2纳米晶薄... 分别采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术和直流磁控溅射(DCMS)技术在单晶硅基片上制备出两种晶粒尺寸的TiO_2纳米晶薄膜;采用ISO10993-5:1999标准中的浸提液法对TiO_2薄膜的体外细胞毒性进行评价和研究。实验结果表明,在TiO_2纳米晶薄膜浸提液中细胞生长相对增殖率(RGR)为93%~96%,细胞毒性评级为1级,TiO_2纳米晶薄膜作为生物医学材料满足临床应用的要求;对两种晶粒尺寸的薄膜进行体外细胞毒性的评级,结果无差异。 展开更多
关键词 tio2纳米薄膜 粒尺寸 体外细胞毒性 磁控溅射
在线阅读 下载PDF
常压射频等离子体沉积TiO_2纳米晶颗粒薄膜的气相反应影响因素分析 被引量:1
3
作者 戴林君 徐雨 +5 位作者 SIDDIG Eshraga.A.A. 王德信 李雪 吴茂水 石建军 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2017年第5期752-758,共7页
采用常压射频等离子体增强化学气相沉积法(AP-PECVD)制备了TiO_2纳米晶颗粒薄膜,研究了不同等离子体滞留时间下气相反应对沉积过程的影响.采用发射光谱(OES)测量拟合了等离子体的电子温度Te约为32 492.6K、离子温度Ti约为850K,采用热电... 采用常压射频等离子体增强化学气相沉积法(AP-PECVD)制备了TiO_2纳米晶颗粒薄膜,研究了不同等离子体滞留时间下气相反应对沉积过程的影响.采用发射光谱(OES)测量拟合了等离子体的电子温度Te约为32 492.6K、离子温度Ti约为850K,采用热电偶(TC)在线测量等离子体外电极温度T约为662K;由于沉积所获样品为TiO_2锐铁矿晶型,认为等离子体气相温度为662~850K,主要受功率密度的影响.外加电压和电流的研究结果表明,放电形式为等离子体容性耦合辉光放电.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)等测量了沉积薄膜的形貌和结构,分析后发现:当反应气体在等离子体相滞留时间仅为27ns时,沉积的薄膜就开始出现明显的锐钛矿相TiO_2结晶结构,并均为粒径10nm左右的纳米颗粒组成的薄膜;同时随着滞留时间的增加,结晶度增加,薄膜的形貌由分离的纳米团簇变为由锐钛矿纳米颗粒连接的多孔均匀薄膜.研究结果对快速制备多孔锐钛矿TiO_2纳米晶颗粒薄膜有重要的指导意义. 展开更多
关键词 tio2纳米颗粒薄膜 射频放电 等离子体气相反应 结构和形貌
在线阅读 下载PDF
二氧化钛纳米晶薄膜的吸收光谱和激发发射光谱(英文) 被引量:3
4
作者 孙振范 李玉光 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2173-2178,共6页
由TiO2反胶束溶胶制备一系列TiO2纳米晶薄膜,对膜的吸收光谱和激发发射光谱研究表明制备的膜存在有二种模式的跃迁,直接跃迁和间接跃迁。由于厚膜中存在较强的表面相互作用,厚膜的直接跃迁禁带宽与薄膜相比发生了红移。在不同陈化时间,... 由TiO2反胶束溶胶制备一系列TiO2纳米晶薄膜,对膜的吸收光谱和激发发射光谱研究表明制备的膜存在有二种模式的跃迁,直接跃迁和间接跃迁。由于厚膜中存在较强的表面相互作用,厚膜的直接跃迁禁带宽与薄膜相比发生了红移。在不同陈化时间,浸渍相同次数制得的膜具有相同的直接跃迁禁带宽。除浸渍一次的膜不存在间接跃迁外,所有的膜具有相同的间接跃迁禁带宽。所有的膜具有几乎相同的发射光谱模式。 展开更多
关键词 tio2纳米薄膜 禁带宽 光致发射光谱
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部