非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应

1

作者 刘立慧 高斐 +4 位作者 郝培风 刘晓静 张君善 权乃承 孙杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A03期544-547,共4页

采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶... 采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜。将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-Si)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性。由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%。实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应。温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA。 展开更多

关键词 横向热伏效应 纳米晶硅(nc-si)薄膜 Al诱导晶化 开路电压 短路电流

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氢稀释对纳米晶硅薄膜微结构的影响 被引量：5

2

作者 于威 卢海江 +4 位作者 路万兵 孟令海 王新占 韩理 傅广生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期524-527,共4页

采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氢化纳米硅薄膜,利用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术对不同氢稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究。结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,... 采用电感耦合等离子体化学气相沉积技术制备了氢化纳米硅薄膜,利用Raman散射、X射线衍射、红外吸收等技术对不同氢稀释条件下薄膜的微观结构和键合特性变化进行了研究。结果表明,较高的氢稀释比导致薄膜从非晶硅到纳米晶硅的结构转化,随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的晶化度及纳米晶硅的晶粒尺寸单调增加,纳米硅颗粒呈现在(110)方向的择优生长趋势。键合特性分析显示,随氢稀释比增加,薄膜中整体键合氢含量减小,而SiH2键合比例呈现显著增加趋势,该结果反映了氢原子刻蚀和纳米硅界面面积比的同时增强。光学吸收谱分析表明,通过改变反应气体的氢稀释比,可实现从1.72～1.84eV光学带隙可调的纳米硅薄膜制备。 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 电感耦合等离子体 晶态比 氢稀释比

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氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理 被引量：3

3

作者 于威 詹小舟 +3 位作者 李彬 徐艳梅 李晓苇 傅广生 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期927-931,共5页

以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢... 以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加. 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 晶化率 氢稀释 生长机理

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射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜 被引量：4

4

作者 陈城钊 邱胜桦 +4 位作者 刘翠青 吴燕丹 李平 余楚迎 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期848-850,共3页

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压（133～266Pa）下，以0．4nm／s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60％，平均晶粒尺寸约6．0nm，暗电导率为10^-3～10^-4／Ω·cm。红外吸收谱显示... 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的工作气压（133～266Pa）下，以0．4nm／s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60％，平均晶粒尺寸约6．0nm，暗电导率为10^-3～10^-4／Ω·cm。红外吸收谱显示，薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键，随晶化率的提高，Si-H键也逐渐消失。 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 RF-PECVD 生长速率

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衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响 被引量：3

5

作者 刘翠青 陈城钊 +3 位作者 邱胜桦 吴燕丹 李平 余楚迎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1853-1855,共3页

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>10... 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4Ω-1.cm-1数量级,激活能为0.31eV。当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加。 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 衬底温度 微结构特性 电学性能

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氢化非晶硅薄膜退火形成的纳米硅及其光致发光(英文) 被引量：6

6

作者 周国运 黄远明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1200-1204,共5页

本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si... 本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 .6～ 1 5nm范围内 ,并且在强激光辐照下观察了 nc-Si在薄膜中的结晶和生长情况 .经退火所形成的 nc-Si可见光辐射较弱 ,不能检测到它们的光致发光 ( PL) ,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红 PL,并且钝化后的 nc-Si在空气中暴露一定的时间后 ,其辐射光波长产生了蓝移 .文中就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论 . 展开更多

关键词 纳米晶硅 光致发光 RAMAN散射 快速退火 氢化非晶硅薄膜

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用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究 被引量：1

7

作者 黄锐 林璇英 +1 位作者 余云鹏 林揆训 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期483-485,共3页

以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速... 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致。通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35 nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜。 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 SiCl4 生长速率 晶化度

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反应磁控溅射沉积SiO_x薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究 被引量：1

8

作者 方应翠 朱仁胜 +4 位作者 夏锡全 汪洪波 王旭迪 朱武 陈长琦 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期461-464,共4页

用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx(x<2)薄膜。X射线光电子谱(XPS)分析证实,射频功率对x值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2,通过调节氧气分压调节x值非常困难。只有当射... 用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx(x<2)薄膜。X射线光电子谱(XPS)分析证实,射频功率对x值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2,通过调节氧气分压调节x值非常困难。只有当射频功率较高时,才可以通过调节氧分压调节x值。实验结果证实了射频反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅(nc-Si/SiO2)的前驱体SiOx膜。文中讨论了相关机制。 展开更多

关键词 反应磁控溅射 X射线光电子谱 SIOX 薄膜纳米晶硅

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镍诱导纳米晶硅薄膜的生长 被引量：1

9

作者 冯嘉猷 何悦 毕磊 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2007年第2期123-126,共4页

采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强... 采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度.对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长. 展开更多

关键词 纳米晶硅 金属镍诱导 薄膜 光致发光 磁控溅射 分相

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纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究 被引量：3

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作者 彭英才 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期26-29,共4页

最近的一些研究指出，纳米晶硅薄膜具有量子点（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔ－Ｑ．Ｄ）特征。本文依据一些典型的理论模型，具体计算了纳米晶硅量子点（ｎｃ－Ｓｉ：ＨＱ．Ｄ）的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺... 最近的一些研究指出，纳米晶硅薄膜具有量子点（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔ－Ｑ．Ｄ）特征。本文依据一些典型的理论模型，具体计算了纳米晶硅量子点（ｎｃ－Ｓｉ：ＨＱ．Ｄ）的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺寸的变化，并结合我们自己，初步分析并讨论了这些能量参数对纳米晶硅量子点的共振隧穿、光致发光（ＰＬ）和库仑阻塞的影响。 展开更多

关键词 量子尺寸效应 纳米晶硅薄膜 量子点 半导体

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低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用

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作者 邱胜桦 陈城钊 +5 位作者 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 黄翀 余楚迎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1839-1842,共4页

以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用。实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用。随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的... 以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用。实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用。随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s。 展开更多

关键词 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 RF-PECVD

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纳米晶硅多层薄膜的低温调控及其发光特性

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作者 李云 高东泽 +6 位作者 焦玉骁 张博惠 许贺菊 赵蔚 于威 路万兵 李晓苇 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期1516-1521,共6页

采用单-双靶交替溅射法低温沉积了纳米晶硅多层薄膜(nc-SiO_x/a-SiO_x),通过改变a-SiO_x势垒层的厚度和化学成分比例,实现了纳米晶硅多层薄膜的低温过程控制。透射电子显微镜(TEM)结果显示,a-SiO_x层太薄,不能有效阻断纳米硅生长,导致... 采用单-双靶交替溅射法低温沉积了纳米晶硅多层薄膜(nc-SiO_x/a-SiO_x),通过改变a-SiO_x势垒层的厚度和化学成分比例,实现了纳米晶硅多层薄膜的低温过程控制。透射电子显微镜(TEM)结果显示,a-SiO_x层太薄,不能有效阻断纳米硅生长,导致多层周期结构在后期沉积过程中受到破坏;增加a-SiO_x层厚度,周期性结构生长得以实现,但仍有部分纳米硅穿透a-SiO_x势垒层;傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,薄膜中的氧化反应以及活性氢对物相分离过程的促进作用均对纳米硅生长有影响。进而增加a-SiO_x层氧含量,纳米硅的纵向生长被成功阻断。在此基础上,通过调整nc-SiO_x层厚度实现了薄膜光学带隙调整和纳米硅粒度控制。光吸收谱分析显示,随nc-SiO_x层厚度的增加,薄膜光学带隙逐渐减小;光致发光谱表明,多层周期结构实现了纳米硅尺寸的调控,粒子尺寸为几个纳米的纳米硅表现出了较强的发光,发光机制为量子限制效应-缺陷态复合发光。 展开更多

关键词 纳米晶硅 多层薄膜 显微结构 低温过程控制 纳米粒子 光致发光

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乙烯对纳米硅碳薄膜晶化的影响

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作者 韩伟强 韩高荣 +1 位作者 聂东林 丁予上 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期87-92,共6页

在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ∶Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＧｘ∶Ｈ薄膜的晶化和其它光电性能的影响。Ｘｃ从０．１增加为０．... 在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了ｎｃ－ＳｉＣｘ∶Ｈ薄膜。系统研究了Ｃ２Ｈ４／（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）（Ｘｃ）气体流量比对ｎｃ－ＳｉＧｘ∶Ｈ薄膜的晶化和其它光电性能的影响。Ｘｃ从０．１增加为０．４时，薄膜的晶态率从４５％下降为１０％，平均晶粒尺寸从１０ｎｍ下降为５．５ｎｍ，对应薄膜中的Ｃ含量从０．０３增加为０．１２。当Ｘｃ≥０．５，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ∶Ｈ）薄膜。随着Ｘｃ从０．１增加为０．８，薄膜的暗电导率从８．５×１０－７（Ωｃｍ）－１下降为９×１０－１２（Ωｃｍ）－１，薄膜的光学能隙随Ｘｃ的增加而增加。 展开更多

关键词 纳米硅碳薄膜 晶化 晶态率 乙烯

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硅片上集成高介电调谐率的柱状纳米晶BaTiO_(3)铁电薄膜 被引量：1

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作者 赵玉垚 欧阳俊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期596-602,共7页

钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTi... 钛酸钡(BaTiO_(3))具有优异的介电、铁电、压电和热释电等性能,在微电子机械系统和集成电路领域具有广泛的应用。降低BaTiO_(3)薄膜的制备温度使其与现有的CMOS-Si工艺兼容,已成为应用研究和技术开发中亟需解决的问题。本研究引入与BaTiO_(3)晶格常数相匹配的LaNiO_(3)作为缓冲层,以调控其薄膜结晶取向,在单晶Si(100)基底上450℃溅射制备了结构致密的柱状纳米晶BaTiO_(3)薄膜。研究表明:450℃溅射温度在保持连续柱状晶结构和(001)择优取向的前提下,能获得相对较大的柱状晶粒(平均晶粒直径27 nm),一定残余应变也有助于其获得较好的铁电和介电性能。剩余极化强度和最大极化强度分别达到了7和43μC·cm^(-2)。该薄膜具有良好的绝缘性,在0.8 MV·cm^(-1)电场下,漏电流密度仅为10^(-5) A·cm^(-2)。其相对介电常数εr展现了优异的频率稳定性:在1 kHz时εr为155,当测试频率升至1 MHz,εr仅轻微降低至145。薄膜的介电损耗较小,约为0.01~0.03(1 kHz~1 MHz)。通过电容-电压测试,该薄膜材料展示出高达51%的介电调谐率,品质因子亦达到17(@1 MHz)。本研究所获得的BaTiO_(3)薄膜在介电调谐器件中有着良好的应用前景。 展开更多

关键词 硅 BaTiO_(3) 铁电薄膜 柱状纳米晶 介电调谐率 品质因子

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硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学

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作者 潘书万 庄琼云 +3 位作者 陈松岩 黄巍 李成 郑力新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1928-1931,1942,共5页

采用超高真空气相沉积系统在Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得Se纳米晶薄膜。SEM观察结果表明,当热退火温度高于140℃,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构。Raman和XRD测试分析发现,退火后的Se纳米... 采用超高真空气相沉积系统在Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得Se纳米晶薄膜。SEM观察结果表明,当热退火温度高于140℃,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构。Raman和XRD测试分析发现,退火后的Se纳米晶均为三角晶型结构,当退火温度高于140℃时,Se开始沿(100)方向择优取向结晶。分析得出,在Si(100)衬底上的Se晶粒(100)晶面的激活能比(101)晶面的激活能低,因而在(100)面上的结晶速率比(101)面上的结晶速率大,使得Se在(100)方向择优结晶。笔者认为这是因为Si(100)衬底对Se的结晶具有诱导作用,致使硒的结晶具有各向异性。 展开更多

关键词 硒 纳米晶薄膜 结晶动力学 硅衬底 快速热退火

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金属诱导制备纳米晶硅薄膜的研究进展

16

作者 王宁 马晓波 +2 位作者 侯毅 郑富 曹志杰 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第21期34-40,共7页

纳米晶硅是纳米尺度无定形态的硅晶粒,具备体硅所不具有的新颖光电性能,具有显著的量子限域效应,是发光半导体、光伏发电等领域中的关键材料。实验上,非晶硅通过气氛退火获得晶化的纳米晶硅,本质上破坏了非晶硅中的Si-Si共价键,局域生... 纳米晶硅是纳米尺度无定形态的硅晶粒,具备体硅所不具有的新颖光电性能,具有显著的量子限域效应,是发光半导体、光伏发电等领域中的关键材料。实验上,非晶硅通过气氛退火获得晶化的纳米晶硅,本质上破坏了非晶硅中的Si-Si共价键,局域生核形成纳米晶硅,因此,晶化温度近达1000℃,晶化时间长达数小时。金属诱导法通过金属与非晶硅直接接触,促使Si与金属在400~600℃的低温条件下形成离子键,弱化了界面处的Si-Si键,为纳米晶硅提供成核位点,有效降低了纳米晶硅的晶化温度并缩短晶化时间。同时,不同诱导金属(如Ni、Pt、Pd、Cu、Au、Al和Ag)与界面处Si原子的结合方式不同,诱导非晶硅晶化的机制和晶化效果不同。基于此,本文归纳汇总了Ni、Al、Cu、Au、Co几种常见金属以及Ag-Cu和Ni-Cu两种合金诱导a-Si晶化的诱导机制、诱导特征及晶化条件,可为纳米晶硅薄膜的制备工艺提供有益参考。 展开更多

关键词 金属诱导法 非晶硅 纳米晶硅薄膜 低温诱导

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纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究 被引量：3

17

作者 林璇英 姚若河 +4 位作者 余楚迎 刘兴盛 林揆训 王洪 石旺舟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期175-177,187,共4页

用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向... 用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明，发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的ＳｉＯ２层的发光中心。 展开更多

关键词 纳米晶 硅薄膜 表面发光中心 光致发光

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纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池 被引量：4

18

作者 赵占霞 崔容强 +4 位作者 古丽娜 陈凤翔 储开芹 孟凡英 周之斌 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期22-26,共5页

综述了纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池的制备方法、结构特性、光电特性等 ,显示出其有重要的应用前景。迄今为止 ,最好的纳米晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率已达 8.7%。

关键词 太阳电池 纳米晶硅薄膜 RF溅射方法 RF—PECVD方法

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高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜 被引量：1

19

作者 韩伟强 韩高荣 +1 位作者 聂东林 丁子上 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第6期427-432,共6页

在等离子体化学气相沉积系统（PECVD）中，使用高氢稀释硅烷（SiH_4）加乙烯（C_2H_4）为反应气氛制备了纳米硅碳（nc-SiC_x：H）薄膜。随着（C_2H_4＋SiH_4）／H_2（X_g）从2％增加到5％时，由于H蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从48％... 在等离子体化学气相沉积系统（PECVD）中，使用高氢稀释硅烷（SiH_4）加乙烯（C_2H_4）为反应气氛制备了纳米硅碳（nc-SiC_x：H）薄膜。随着（C_2H_4＋SiH_4）／H_2（X_g）从2％增加到5％时，由于H蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从48％下降到8％，平均晶粒尺寸在3．5～10nm。当X_g≥6％时，生成薄膜为非晶硅碳（a-SiC_x：H）薄膜。nc－SiC^x：H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相关的逾渗行为。本文将对nc－SiC_x：H薄膜的生长机制和晶化机制进行较详细讨论。 展开更多

关键词 纳米硅碳薄膜 高氢稀释法 晶化机制 薄膜制备

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氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展

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作者 韦文生 王天民 王聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期37-39,共3页

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件... 氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研究工作。 展开更多

关键词 氢化纳米硅(nc-si:H)薄膜 光电性质 量子功能器件 电导率 制备 发光机理 结构 光致发光 电致发光 光学性质

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