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纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
1
作者
吴成昌
肖夏
+1 位作者
赵新为
张生才
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期357-358,362,共3页
在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(T...
在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
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关键词
纳米晶体硅量子点
场致发射
冷阴极
弹道电子
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职称材料
题名
纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
1
作者
吴成昌
肖夏
赵新为
张生才
机构
天津大学
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z1期357-358,362,共3页
基金
天津市自然科学基金资助项目(043612311)
天津市外专局引智项目(2004074)
文摘
在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
关键词
纳米晶体硅量子点
场致发射
冷阴极
弹道电子
分类号
TN873 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究
吴成昌
肖夏
赵新为
张生才
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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