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LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用
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作者 周欢欢 陈岚 +2 位作者 尹明会 王晨 张卫华 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第2期1-5,共5页
本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比N... 本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度. 展开更多
关键词 PDK LOD WPE 纳米工艺
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纳米工艺处理技术及设备在生酒人工老熟方面的应用 被引量:6
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作者 姚纪 《酿酒科技》 1998年第3期47-50,共4页
将90年代尖端的纳米工艺处理技术及设备应用于生酒人工老熟,取得成功。该设备可除去新酒中的苦味,增强新酒的酯化作用,提高酒的品位,属于高新科学技术,有发展前景。
关键词 白酒 人工老熟 纳米工艺 设备
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纳米工艺可制造性设计EDA技术 被引量:1
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作者 田之勤 《中国集成电路》 2007年第2期30-38,共9页
近几年来,可制造性设计(DFM,design for manufncturability)一直是全球EDA业界最热门的题材。似乎任何产品只要跟DFM沾上边,马上就修成正果,得道升天。综观诸子百家对于DFM的定义则是见仁见智,莫衷一是。就从各家EDA公司的网页... 近几年来,可制造性设计(DFM,design for manufncturability)一直是全球EDA业界最热门的题材。似乎任何产品只要跟DFM沾上边,马上就修成正果,得道升天。综观诸子百家对于DFM的定义则是见仁见智,莫衷一是。就从各家EDA公司的网页上进行了解,DFM可以是优化标准单元库的成品率,或是压缩版图,也有说是优化晶圆映射(WaferMapping),以至于平坦化填充,以及时序收敛。很明显的,就以上所涵盖的领域来说并没有一个交集。也由此可知,DFM事实上是一个非常广阔的领域。因此,在开始谈DFM之前就必须先对本篇所提及的DFM做一个明确的定义。 展开更多
关键词 可制造性设计 EDA技术 纳米工艺 DFM 标准单元库 时序收敛 for 成品率
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飞利浦在IMEC上发布最新90纳米工艺RF CMOS技术
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期76-76,共1页
飞利浦半导体日前在IEEE举办的国际电子器件会议(IEDM)上,发布了超过17篇的半导体研究论文。这些论文介绍了飞利浦与比利时微电子研究中心(IMEC)以及Crolles2 Alliance的研发成果,内容涵盖65及45纳米节点CMOS工艺、90纳米节点RF CMOS... 飞利浦半导体日前在IEEE举办的国际电子器件会议(IEDM)上,发布了超过17篇的半导体研究论文。这些论文介绍了飞利浦与比利时微电子研究中心(IMEC)以及Crolles2 Alliance的研发成果,内容涵盖65及45纳米节点CMOS工艺、90纳米节点RF CMOS性能等。 展开更多
关键词 飞利浦 RF CMOS技术 90纳米工艺 微电子 半导体 CMOS工艺 发布 IEEE 节点
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90纳米A64渐趋成熟AMD试产65纳米工艺
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期79-79,共1页
AMD在德国Dresden的300毫米晶圆厂Fab36日前开始试生产。据AMD的APM技术主管Tom Sonderman表示,该厂将于2006年开始进行商业生产。
关键词 AMD 纳米工艺 90纳米 300毫米晶圆 试产 成熟 2006年 试生产 TOM APM
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05年台积电将大辐提升90纳米工艺产能
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《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期74-75,共2页
台积电日前表示,该公司以90纳米Nexsys工艺技术为多家客户量产芯片,并将于2005年大幅增加产能,以满足客户对此先进工艺技术的需求。台积电据称是全球唯一同时提供全铜、低介电系数(Low—k technology)以及12英寸晶圆90纳米工艺技术... 台积电日前表示,该公司以90纳米Nexsys工艺技术为多家客户量产芯片,并将于2005年大幅增加产能,以满足客户对此先进工艺技术的需求。台积电据称是全球唯一同时提供全铜、低介电系数(Low—k technology)以及12英寸晶圆90纳米工艺技术的晶圆代工厂商。 展开更多
关键词 台积电 产能 客户 晶圆代工厂 厂商 量产 公司 90纳米工艺 芯片 12英寸晶圆
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纳米工艺技术进程
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《微纳电子技术》 CAS 2003年第2期42-43,共2页
90nm工艺2003年世界进程 2002年Intel公司宣布,他们已经采用90nm工艺制造了测试芯片,获得了最小的晶体管,宽度只有50nm。Intel预计,它将在2003年下半年采用90nm制造工艺进行大规模量产。 与此同时,AMD也宣布,AMD将于明年下半年转换到90n... 90nm工艺2003年世界进程 2002年Intel公司宣布,他们已经采用90nm工艺制造了测试芯片,获得了最小的晶体管,宽度只有50nm。Intel预计,它将在2003年下半年采用90nm制造工艺进行大规模量产。 与此同时,AMD也宣布,AMD将于明年下半年转换到90nm工艺上,采用此工艺的晶体管尺寸将小于50nm。 展开更多
关键词 纳米工艺 大规模集成电路 英特尔 东芝 索尼
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德州仪器65纳米工艺通过验证,计划2006年初投入量产
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《现代电子技术》 2005年第24期108-108,共1页
日前,德州仪器(TI)宣布其65纳米工艺技术已经达标,即将投入量产,而此时距相关无线器件样片的首次推出不过8个月的时间。TI称其65纳米工艺技术可在更紧凑的空间内为各种高级应用提供更高的处理性能,同时不会导致功耗增加。TI将面... 日前,德州仪器(TI)宣布其65纳米工艺技术已经达标,即将投入量产,而此时距相关无线器件样片的首次推出不过8个月的时间。TI称其65纳米工艺技术可在更紧凑的空间内为各种高级应用提供更高的处理性能,同时不会导致功耗增加。TI将面向包括无线通信领域等在内的各种目标市场大量推出65纳米工艺产品。 展开更多
关键词 纳米工艺 德州仪器 投入量 验证 无线通信领域 工艺技术 无线器件 高级应用 工艺产品 目标市场
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Synopsys推出可用于TSMC 28纳米工艺的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库
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《电子设计工程》 2012年第5期171-171,共1页
全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技有限公司宣布:即日起推出其用于台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)28纳米高性能(HP)和移动高性能(HPM)工艺技术的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库知识产权... 全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技有限公司宣布:即日起推出其用于台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)28纳米高性能(HP)和移动高性能(HPM)工艺技术的DesignWare嵌入式存储器和逻辑库知识产权(IP)。 展开更多
关键词 嵌入式存储器 纳米工艺 逻辑 知识产权 半导体设计 积体电路 供应商 性能
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Mentor新一代45纳米工艺的OPC技术
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作者 崔澎 《电子产品世界》 2007年第1期72-72,共1页
低k1光刻(Photolithography)工艺提高了RET(Resolution Enhancement Technology)在纳米设计中的应用复杂度。在45纳米,更多的复杂模式、工艺的窗口修正(window correction)、以及验证需求增加了计算负担。在双重压力下,45纳米... 低k1光刻(Photolithography)工艺提高了RET(Resolution Enhancement Technology)在纳米设计中的应用复杂度。在45纳米,更多的复杂模式、工艺的窗口修正(window correction)、以及验证需求增加了计算负担。在双重压力下,45纳米工艺需要更加先进的光刻工具。 展开更多
关键词 纳米工艺 OPC技术 纳米设计 复杂度 光刻
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GLOBALFOUNDRIES年底验证14纳米工艺明年量产
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《电子产品世界》 2014年第8期6-6,共1页
现任GLOBALFOUNDRIES高级副总裁暨新加坡分公司总经理洪启财日前接受记者独家专访时表示,通过与韩国三星公司的技术合作,GLOBALFOUNDRIES的14纳米工艺产线将在今年年底完成验证工作,2015年将在Fab8厂顺利进入量产阶段,量产规模可从... 现任GLOBALFOUNDRIES高级副总裁暨新加坡分公司总经理洪启财日前接受记者独家专访时表示,通过与韩国三星公司的技术合作,GLOBALFOUNDRIES的14纳米工艺产线将在今年年底完成验证工作,2015年将在Fab8厂顺利进入量产阶段,量产规模可从最初的每月1万片增长到6万片。 展开更多
关键词 纳米工艺 验证工作 韩国三星公司 技术合作 总经理 新加坡
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英特尔下一代65纳米工艺制程投入使用
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《电子产品世界》 2004年第01A期101-101,共1页
关键词 英特尔公司 65纳米工艺 SRAM 应变硅 低-K电介质材料 晶体管
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台积电承诺2011年年底推出28纳米工艺
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《中国集成电路》 2011年第8期8-8,共1页
TSMC台积电公司近日确认,该公司将于2011年年底左右正式开始生产基于28纳米制造工艺的半导体芯片。台积电计划将于2011年第三季度的某个时候开始完成28纳米制造工艺的商业化生产,
关键词 台积电公司 纳米工艺 纳米制造工艺 商业化生产 半导体芯片 TSMC
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TSMC采用28纳米工艺生产的ARM@CortexTM-A9测试芯片超越3GHz
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《中国集成电路》 2012年第6期9-9,共1页
TSMC日前宣布,采用28纳米高效能工艺生产的ARM@CortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3.1GHz。TSMC是采用28纳米高效能移动运算工艺(28nmHighPerformanceMobileComputing,28HPM)实现此优异成果,提供高速与低漏... TSMC日前宣布,采用28纳米高效能工艺生产的ARM@CortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3.1GHz。TSMC是采用28纳米高效能移动运算工艺(28nmHighPerformanceMobileComputing,28HPM)实现此优异成果,提供高速与低漏电的解决方案。配合各种设计最后验证的要求, 展开更多
关键词 纳米工艺 TSMC 芯片 测试 生产 双核心处理器 漏电
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Intel5座晶圆厂导入65纳米工艺可节支20亿
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《集成电路应用》 2005年第6期18-18,共1页
卸任英特尔CEO一职的Craig Barrett日前对股东表示,在半导体产业竞争中如不加速投资,只有死路一条。英特尔CEO—Andy Brant则透露,英特尔决定同时在5个12英寸晶圆厂导入65纳米(O.065微米)制造工艺,并称此举可节支20亿美元。
关键词 晶圆厂 Intel公司 65纳米工艺 成本
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193纳米光刻将延至22纳米工艺!
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《集成电路应用》 2004年第12期13-13,共1页
日前在美国所举行有关半导体光刻技术研讨会SPIEMicmlithography中,新墨西哥大学学者宣称,运用湿浸式技术,可望将193纳米光刻设备向下延伸至22纳米工艺以下。
关键词 光刻技术 纳米工艺 光刻设备 半导体 延伸 美国 研讨会 学者
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Cadence认证的RF关键技术用于TSMC65纳米工艺节点
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《电子与电脑》 2008年第5期107-107,共1页
电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布授权 Cadence QRC Extraction和Virtuoso Passive Component Designer 使用于TSMC 65nm工艺设计工具包(PDK).
关键词 Cadence设计系统公司 纳米工艺 CE认证 VIRTUOSO DESIGNER 节点 技术 RF
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高通与TSMC在28纳米工艺技术上携手合作
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《中国集成电路》 2010年第2期7-7,共1页
美商高通公司(Qualcomm Incorporated)与其专业集成电路制造服务伙伴-TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)日前共同宣布,双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。这项工艺可以更具成本效益的将更多功能整合在更小的芯... 美商高通公司(Qualcomm Incorporated)与其专业集成电路制造服务伙伴-TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)日前共同宣布,双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。这项工艺可以更具成本效益的将更多功能整合在更小的芯片上,加速无线通讯产品在新市场上的扩展。 展开更多
关键词 纳米工艺 高通公司 SEMICONDUCTOR TSMC 合作 技术 集成电路制造 功能整合
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英特尔大连芯片厂十月投产采用65纳米工艺
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《中国集成电路》 2010年第3期3-3,共1页
英特尔近日宣布,其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。据悉,英特尔大连芯片厂的准备工作有条不紊,生产设备已陆续安装调试到位,而200多人的外籍专家团队和在美国培训的中国员工也... 英特尔近日宣布,其大连芯片厂将在2010年10月份如期投产。大连芯片厂将采用65纳米工艺生产300毫米芯片组。据悉,英特尔大连芯片厂的准备工作有条不紊,生产设备已陆续安装调试到位,而200多人的外籍专家团队和在美国培训的中国员工也已经回归大连,确保十月份工厂投产。 展开更多
关键词 纳米工艺 芯片厂 英特尔 大连 投产 生产设备 安装调试 芯片组
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台积电推出设计参考流程10.0版以支援28纳米工艺
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《中国集成电路》 2009年第8期8-8,共1页
台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10.0版,能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10.0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一,并能延续其实现更先进设计方法的传统,解决28... 台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10.0版,能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10.0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一,并能延续其实现更先进设计方法的传统,解决28纳米工艺所面临的新设计挑战,并有多项创新以促成系统级封装设计的应用。 展开更多
关键词 芯片设计 参考流程 纳米工艺 台积电 先进设计方法 创新平台 最新版本 构成要素
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