-
题名薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响
被引量：4
- 1
-
-
作者
赵晓锋
温殿忠
王天琦
丁玉洁
-
机构
黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室
黑龙江大学集成电路重点实验室
-
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期1753-1756,共4页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60676044
61006057)
+1 种基金
黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室资助项目(DZZD20100013)
黑龙江省教育厅科学技术研究资助项目(11521215)
-
文摘
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响。结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强。
-
关键词
纳米多晶硅薄膜
结构特性
LPCVD
退火
-
Keywords
nano polysilicon thin films
structure properties
LPCVD
annealing
-
分类号
O484
[理学—固体物理]
-
-
题名多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器
被引量：4
- 2
-
-
作者
王健
揣荣岩
何晓宇
刘伟
张大为
-
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
沈阳化工学院
中国电子科技集团公司第四十七研究所
-
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009年第9期6-8,共3页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60776049)
辽宁省科学技术基金资助项目(20072036)
-
文摘
多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性。为了使这种良好的压阻特性得到实际应用,文中给出了多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器的设计方法。根据多晶硅纳米薄膜压阻特性和硅杯腐蚀技术条件确定弹性膜片结构,并采用有限元分析方法对弹性膜片尺寸以及应变电阻分布进行了优化。依据优化设计结果试制了压力传感器芯片。实验表明该传感器工艺简单、高温特性好、灵敏度高。
-
关键词
压力传感器
有限元
多晶硅纳米薄膜
-
Keywords
pressure sensor
finite-element
polysilicon nano-film
-
分类号
TK312
[动力工程及工程热物理—热能工程]
-
-
题名多晶硅纳米薄膜牺牲层压力敏感结构设计
被引量：2
- 3
-
-
作者
揣荣岩
崔林
王健
刘本伟
郑雁公
李新
-
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
沈阳化工学院
-
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2010年第2期10-12,21,共4页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60776049)
辽宁省科学技术基金资助项目(20072036)
+2 种基金
辽宁省教育厅创新团队资助项目(2007T130)
辽宁省微纳米技术及系统重点实验室
微系统与微制造辽宁省高校重点实验室开放基金资助项目
-
文摘
为使多晶硅纳米薄膜良好的压阻特性在MEMS（微机电系统）压阻传感器中得到有效应用，在设计牺牲层结构压力传感器芯片中探索性地采用了多晶硅纳米薄膜作为应变电阻，并给出这种传感器的设计方法。分析了牺牲层结构弹性膜片的应力分布对传感器灵敏度的影响，优化设计了量程为0—0．2MPa多晶硅纳米膜压力传感器芯片的结构参数。有限元法仿真结果表明：在保证传感器灵敏度大于50mV／（MPa·V）的前提下，零点温漂系数可小于1×10^-3FS／℃；灵敏度温漂（无电路补偿）可小于1×10^-1FS／℃．为高灵敏、低温漂、低成本的高温压力传感器集成化发展提供了一条可行途径。
-
关键词
牺牲层
有限元
多晶硅纳米薄膜
密封腔
-
Keywords
sacrificial layer
finite-element
polysilicon nano-film
seal cavity
-
分类号
TK312
[动力工程及工程热物理—热能工程]
-
-
题名多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究
- 4
-
-
作者
刘晓为
李金锋
揣荣岩
施长治
陆学斌
吴娅静
-
机构
哈尔滨工业大学MEMS中心
沈阳工业大学信息科学与工程学院
-
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2008年第8期45-47,共3页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60776049)
-
文摘
用低压化学气相淀积(LPCVD)法淀积了膜厚为60～250nm的多晶硅纳米薄膜,研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响。结合扫描电镜(SEM)图片,在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上,分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响。结果表明:重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性,电阻率温度系数可达到1×10-4～3×10-4/℃的水平。
-
关键词
多晶硅纳米薄膜
电学特性
掺杂浓度
膜厚
-
Keywords
polysilicon nano-films
electrical properties
doping concentration
film thicknesses
-
分类号
O738
[理学—晶体学]
-
-
题名多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性
被引量：1
- 5
-
-
作者
陆学斌
于斌
-
机构
哈尔滨理工大学软件与微电子学院
-
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期956-960,共5页
-
基金
黑龙江省自然科学基金项目(F2018018,F2018020)。
-
文摘
本文制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,研究了掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻和电学修正特性的影响。利用低压化学气相淀积法制备了不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜,掺杂浓度分别为1.0×10^20 cm^-3、2.0×10^20 cm^-3、4.1×10^20 cm^-3和7.1×10^20 cm^-3。利用应变系数测量装置对不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的应变系数进行了测量;利用恒流源和万用表测量不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的电学修正特性。实验结果表明:多晶硅纳米薄膜的应变系数与掺杂浓度有关,应变系数范围:33.38~38.41;利用电学方法能够修正多晶硅纳米薄膜的电阻,最大修正范围可达15.4%。多晶硅纳米薄膜具有较高的应变系数,适用于制作压阻式传感器;电学修正可用来调整多晶硅纳米薄膜的电阻,进而降低传感器的失调。
-
关键词
多晶硅纳米薄膜
压阻特性
电学修正
传感器
-
Keywords
polysilicon nanofilm
piezoresistive characteristics
electrical trimming
senor
-
分类号
TP393
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
-
-
题名基于电学修正多晶硅纳米薄膜的压力传感器
被引量：1
- 6
-
-
作者
陆学斌
孙伟
于斌
-
机构
湖州职业技术学院物流与信息工程学院
湖州职业技术学院建筑工程学院
哈尔滨理工大学计算机科学与技术学院
-
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第10期1335-1339,共5页
-
基金
黑龙江省自然科学基金项目(F2018018)
湖州职业技术学院校级教师创新团队项目(2021023)
+1 种基金
湖州职业技术学院高层次人才专项课题项目(2022GY21)
湖州市物联网智能系统集成技术重点实验室资助项目(2022001)。
-
文摘
为了进一步提高多晶硅纳米薄膜压力传感器的性能,使用80 nm厚度的多晶硅纳米薄膜作为压力传感器的压敏电阻,设计制作了一款压力传感器。压力传感器制备封装完毕后,利用电学修正技术使多晶硅纳米薄膜压敏电阻更精确地匹配。对压力传感器的制备流程进行了完整描述,在25℃至200℃的温度范围内,测试了压力传感器的性能。压力传感器的满量程为0.6 MPa,在25℃和200℃时,灵敏度分别为22.19(mV/V)/MPa和18.30(mV/V)/MPa,在没有外界补偿的情况下,灵敏度的温度系数约为-0.10%/℃。在25℃和200℃时,失调分别是1.653 mV和1.615 mV,失调的温度系数约为-0.013%/℃。由于电学修正多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性和温度稳定性,压力传感器表现出较好的性能。
-
关键词
压力传感器
多晶硅纳米薄膜
电学修正
压阻特性
-
Keywords
pressure sensors
polysilicon nanofilm
electrical trimming
piezoresistive characteristics
-
分类号
TP393
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
-
-
题名复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析
- 7
-
-
作者
揣荣岩
张大为
孙显龙
刘斌
李新
-
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
-
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2009年第B11期215-217,224,共4页
-
基金
辽宁省科学技术基金资助项目(20072036)
辽宁省教育厅项目(2007T130
20060631)
-
文摘
多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究。基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系。结果表明:采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。
-
关键词
多晶硅纳米薄膜
钝化
应力分布
有限元
压力传感器
-
Keywords
polysilicon nano-films
passivation
stress distribution
finite-element
pressure sensor
-
分类号
TN401
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
