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纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能
被引量：
19
1
作者
梁继然
胡明
+6 位作者
王晓东
李贵柯
季安
杨富华
刘剑
吴南健
陈弘达
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1523-1529,共7页
采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利...
采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对二氧化钒薄膜的红外透射性能进行了测试分析.结果表明,所制备的氧化钒薄膜以非晶态V2O5和四方金红石结构VO2为主,经400℃、2h热处理后获得了(011)择优取向的单斜金红石结构纳米VO2薄膜,提高热处理温度至450℃,纳米结构VO2薄膜的晶粒尺寸减小.FT-IR结果显示,纳米VO2薄膜透射率对比因子超过0.99,高温关闭状态下透射率接近0.小晶粒尺寸纳米VO2薄膜更适合在热光开关器件领域应用.
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关键词
双离子束溅射
纳米二氧化钒薄膜
透射率
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职称材料
纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性
被引量：
11
2
作者
梁继然
胡明
+7 位作者
王晓东
李贵柯
阚强
季安
杨富华
刘剑
吴南健
陈弘达
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期1002-1007,共6页
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变...
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63℃,高于光学相变温度,60℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性。
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关键词
纳米二氧化钒薄膜
光学相变
电学相变
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职称材料
题名
纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能
被引量：
19
1
作者
梁继然
胡明
王晓东
李贵柯
季安
杨富华
刘剑
吴南健
陈弘达
机构
天津大学电子信息工程学院
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期1523-1529,共7页
基金
国家高技术研究发展计划(863)项目(2008AA031401)
国家自然科学基金(60771019)
天津市应用基础及前沿技术研究重点项目(08JCZDJC17500)资助~~
文摘
采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对二氧化钒薄膜的红外透射性能进行了测试分析.结果表明,所制备的氧化钒薄膜以非晶态V2O5和四方金红石结构VO2为主,经400℃、2h热处理后获得了(011)择优取向的单斜金红石结构纳米VO2薄膜,提高热处理温度至450℃,纳米结构VO2薄膜的晶粒尺寸减小.FT-IR结果显示,纳米VO2薄膜透射率对比因子超过0.99,高温关闭状态下透射率接近0.小晶粒尺寸纳米VO2薄膜更适合在热光开关器件领域应用.
关键词
双离子束溅射
纳米二氧化钒薄膜
透射率
Keywords
Dual ion beam sputtering
Nano-vanadium dioxide thin film
Transmission
分类号
O614.511 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性
被引量：
11
2
作者
梁继然
胡明
王晓东
李贵柯
阚强
季安
杨富华
刘剑
吴南健
陈弘达
机构
天津大学电子信息工程学院
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
中国科学院半导体研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期1002-1007,共6页
基金
国家自然科学基金项目(60771019)
国家(863计划)项目(2008AA031401)
天津市应用基础及前沿技术研究重点项目(08JCZDJC17500)资助
文摘
采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63℃,高于光学相变温度,60℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性。
关键词
纳米二氧化钒薄膜
光学相变
电学相变
Keywords
Nano VO2 thin films
Optical phase transition
Electrical phase transition
分类号
O484 [理学—固体物理]
O434 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能
梁继然
胡明
王晓东
李贵柯
季安
杨富华
刘剑
吴南健
陈弘达
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2009
19
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职称材料
2
纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性
梁继然
胡明
王晓东
李贵柯
阚强
季安
杨富华
刘剑
吴南健
陈弘达
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
11
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