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膨胀石墨孔隙结构及表征方法研究进展 被引量：9
1
作者 罗立群 刘斌 安峰文 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期611-617,共7页
膨胀石墨是制备柔性石墨材料及相关制品的原料,其微观结构特性对柔性石墨制品有重要影响。本文简述了膨胀石墨中宏观-介观-微观多尺度的孔隙分布、孔隙尺寸、孔隙形貌等孔隙结构,论述了石墨粒度、氧化插层工艺、氧化程度、水洗工艺、膨... 膨胀石墨是制备柔性石墨材料及相关制品的原料,其微观结构特性对柔性石墨制品有重要影响。本文简述了膨胀石墨中宏观-介观-微观多尺度的孔隙分布、孔隙尺寸、孔隙形貌等孔隙结构,论述了石墨粒度、氧化插层工艺、氧化程度、水洗工艺、膨化方式、破碎等加工处理对孔隙结构的影响,介绍了低温N2吸附法、压汞法(MIP)、扫描电子显微镜(SEM)等膨胀石墨孔隙结构传统表征技术的基本原理,总结了小角度X射线散射法(SAXS)、原子力显微镜法(AFM)、差示扫描热孔计法(DSCT)、核磁共振冷孔计法(NMRC)等表征方法的优缺点,提出今后应结合多种表征技术重点探索膨胀石墨介微观孔隙结构,以此为切入点探讨膨胀石墨的理化性能,有助于推动膨胀石墨孔隙结构的深入研究及在其他领域的应用。 展开更多
关键词 膨胀石墨 显微结构 微尺度 化学过程 表征方法
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铁电纳米材料和纳米结构研究的进展(英文) 被引量：12
2
作者 朱信华 朱健民 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第3期238-258,共21页
铁电纳米材料和纳米结构(如纳米线、纳米管、纳米环)具有新型尺寸效应特性,在铁电基电子器件的微型化方面受到广泛关注。近年来在铁电纳米材料和纳米结构的制备和(电性能和微结构)表征及理论模拟方面取得了相当进展,本文对这方面的最新... 铁电纳米材料和纳米结构(如纳米线、纳米管、纳米环)具有新型尺寸效应特性,在铁电基电子器件的微型化方面受到广泛关注。近年来在铁电纳米材料和纳米结构的制备和(电性能和微结构)表征及理论模拟方面取得了相当进展,本文对这方面的最新进展进行评述。首先对高质量的铁电纳米材料和纳米结构的制备方法进行了简短评述,然后介绍铁电纳米材料和纳米结构的纳尺度物性表征。随后介绍了最近发展的四种理论模型(尤其对铁电纳米管、纳米线、纳米点),以及从第一原理出发理论模拟铁电纳米结构的新现象,如铁电纳米结构的自发极化螺旋有序和自发极化涡旋结构。最后总结了铁电纳米材料和纳米结构的微结构研究进展,并讨论了有关铁电纳米结构中自发极化螺旋畴的一些基础物理问题以及实验上寻找自发极化螺旋畴的研究进展。 展开更多
关键词 铁电纳米材料 铁电纳米结构 制备 纳尺度物性和微结构表征
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BiFeO3多铁性低维纳米结构研究进展 被引量：1
3
作者 周骏 梁爽 +3 位作者 李淑义 刘子东 朱瑛莺 朱信华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2013年第6期504-524,共21页
BiFeO3多铁性低维纳米结构(如纳米晶、纳米线、纳米管、纳米岛等)因其出色的室温多铁性能以及纳尺度下的新型尺寸效应特性,在新型多态存储器及自旋电子学器件方面受到广泛关注。近年来,人们在BiFeO3多铁性低维纳米结构的制备与表征(电... BiFeO3多铁性低维纳米结构(如纳米晶、纳米线、纳米管、纳米岛等)因其出色的室温多铁性能以及纳尺度下的新型尺寸效应特性,在新型多态存储器及自旋电子学器件方面受到广泛关注。近年来,人们在BiFeO3多铁性低维纳米结构的制备与表征(电、磁性能以及微结构)方面取得了相当进展,本文对此进行了评述。首先,对高质量的BiFeO3多铁性低维纳米结构的制备方法进行了简短评述,然后介绍了BiFeO3多铁性低维纳米结构的纳尺度电性能与磁性能表征以及磁电耦合效应。最后,综述了BiFeO3多铁性低维纳米结构的微结构研究进展以及BiFeO3多铁性低维纳米结构的理论研究结果,并指出了未来BiFeO3多铁性低维纳米结构研究需要重点解决的一些问题。 展开更多
关键词 BIFEO3 多铁性低维纳米结构 制备 纳尺度物性和微结构表征
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高k栅介质原子分辨率的电镜表征:研究进展和展望(英文) 被引量：1
4
作者 朱信华 朱健民 +1 位作者 刘治国 闵乃本 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期280-302,共23页
随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像... 随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨(分析型)透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像(振幅衬度像)、高分辨像(相位衬度像)、选区电子衍射和会聚束电子衍射、X射线能谱(EDS)及电子能量损失谱(EELS)等分析手段,已作为半导体器件结构表征的基本工具。配有高角度环形暗场探测器的扫描透射电镜(STEM),因其像的强度近似正比于原子序数(Z)的平方,它可在原子尺度直接确定材料的结构和化学组成。利用Z-衬度像配合高分辨电子能量损失谱技术,可确定新型CMOS堆垛层中的界面结构、界面及界面附近的元素分布及化学环境。近年来新开发的球差校正器使得HRTEM/STEM的分辨率得到革命性提高(空间分辨率优于0.08 nm,能量分辨率优于0.2 eV),在亚埃尺度上实现单个纳米器件的结构表征。装备球差校正器的新一代HRTEM和STEM,使得高k栅介质材料的研究进入一个新时代。本文首先介绍了原子分辨率电镜(HRTEM和STEM)的基本原理和关键特征,对相关高分辨谱分析技术(如EDS和EELS)加以比较;然后综述了HRTEM/STEM在高k栅介质材料(如铪基氧化物、稀土氧化物和外延钙钛矿结构氧化物)结构表征方面的最新进展;最后对亚埃分辨率高k栅介质材料的结构表征进行了展望。 展开更多
关键词 高k栅介质材料 纳尺度结构和化学表征 HRTEM STEM EELS和EDS
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