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级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理
被引量：
3
1
作者
钱乐
李胜
+2 位作者
张弛
刘斯扬
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1103-1108,共6页
对级联型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在非钳位感性负载开关(UIS)应力下的可靠性机理进行研究.通过实验分析和软件仿真验证,揭示级联型氮化镓功率器件在单脉冲UIS应力下的耐受机理、失效机理以及在多脉冲UIS应力下的电参数退化机...
对级联型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在非钳位感性负载开关(UIS)应力下的可靠性机理进行研究.通过实验分析和软件仿真验证,揭示级联型氮化镓功率器件在单脉冲UIS应力下的耐受机理、失效机理以及在多脉冲UIS应力下的电参数退化机理.在常开型氮化镓晶体管从开态转换到关态的过程中,器件源漏两端的电压增大.通过自配置级联的方式,观察器件内部节点的电压情况,从而分析其失效过程.实验结果表明器件的失效位置出现在低压硅基器件上,利用仿真软件分析得出逆压电效应引起关态漏电的增大,最终导致器件失效.此外,结合测试结果与仿真分析,发现重复UIS应力会引起电子陷阱的产生与积累,从而导致相关电参数的退化.
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关键词
级联型氮化镓hemt
UIS
失效
退化
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职称材料
一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型
2
作者
胡志富
崔玉兴
+3 位作者
杜光伟
方家兴
武继斌
蔡树军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期671-673,698,共4页
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善...
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。
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关键词
氮化镓
高电子迁移率晶体管(
hemt
)
模
型
鱼骨
型
分布式
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职称材料
题名
级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理
被引量：
3
1
作者
钱乐
李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期1103-1108,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2020YFF0218501)
江苏省科技成果转化基金资助项目(BA2020027)
江苏省成果转化项目(BA2020030).
文摘
对级联型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在非钳位感性负载开关(UIS)应力下的可靠性机理进行研究.通过实验分析和软件仿真验证,揭示级联型氮化镓功率器件在单脉冲UIS应力下的耐受机理、失效机理以及在多脉冲UIS应力下的电参数退化机理.在常开型氮化镓晶体管从开态转换到关态的过程中,器件源漏两端的电压增大.通过自配置级联的方式,观察器件内部节点的电压情况,从而分析其失效过程.实验结果表明器件的失效位置出现在低压硅基器件上,利用仿真软件分析得出逆压电效应引起关态漏电的增大,最终导致器件失效.此外,结合测试结果与仿真分析,发现重复UIS应力会引起电子陷阱的产生与积累,从而导致相关电参数的退化.
关键词
级联型氮化镓hemt
UIS
失效
退化
Keywords
cascode Gallium nitride high electron mobility transistor(GaN
hemt
)
unclamped inductive switching(UIS)
failure
degradation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型
2
作者
胡志富
崔玉兴
杜光伟
方家兴
武继斌
蔡树军
机构
河北半导体所
专用集成电路重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期671-673,698,共4页
文摘
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善,但也增加了建模的复杂度。采用分布式建模技术,为鱼骨型器件建立了一种分布式等效电路模型,模型在1~20 GHz内与实测S参数吻合较好,表明分布式建模技术可以用于准确地模拟鱼骨型GaN HEMT器件的高频特性。
关键词
氮化镓
高电子迁移率晶体管(
hemt
)
模
型
鱼骨
型
分布式
Keywords
GaN
high electron mobility transistor（
hemt
）
model
fish-bone
distribution
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
级联型氮化镓HEMT器件UIS可靠性机理
钱乐
李胜
张弛
刘斯扬
孙伟锋
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型
胡志富
崔玉兴
杜光伟
方家兴
武继斌
蔡树军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
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