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非自治约瑟夫森结阵列的耦合同步研究
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作者 张立森 蔡理 冯朝文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1020-1024,共5页
针对电阻-电容-电感分路的约瑟夫森结耦合的阵列,当驱动电流的相位差为零时,分析了对称振子之间完全同步流形及其稳定性.当相位差不为零时,计算了误差系统随相位差变化的分岔图和李雅普诺夫指数曲线,发现相位差破坏了振子对之间的完全同... 针对电阻-电容-电感分路的约瑟夫森结耦合的阵列,当驱动电流的相位差为零时,分析了对称振子之间完全同步流形及其稳定性.当相位差不为零时,计算了误差系统随相位差变化的分岔图和李雅普诺夫指数曲线,发现相位差破坏了振子对之间的完全同步,但却可以抑制系统中的混沌.理论上讨论了约瑟夫森结阵列中延迟同步的存在性,发现距离较远的振子对之间的延迟同步化程度较高,而振子数较少的阵列中无法建立延迟同步,同时还得到了同步建立时的延迟时间与驱动电流相位差之间满足的关系式. 展开更多
关键词 约瑟夫森结阵列 电阻-电容-电感分路模型 同步 相位差 李雅普诺夫指数
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强逾渗无序下f=1/4约瑟夫森结阵列的有限温度相变
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作者 王玉莲 吕建平 陈庆虎 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期56-58,共3页
通过动力学模拟方法,研究了一种强逾渗无序下约瑟夫森结阵列的非平衡态行为.根据标度分析,精确地确定了相变温度、动力学指数以及关联长度指数,同时确认这种阻挫类型的约瑟夫森结的有限温度相变为涡旋玻璃型.
关键词 约瑟夫森结阵列 相变 标度分析
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用于量子电压基准中约瑟夫森结阵列的CMP平整化工艺研究 被引量:3
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作者 赵欣 曹文会 李劲劲 《计量学报》 CSCD 北大核心 2022年第3期412-415,共4页
化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺处理SiO_(2)绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术,尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化。设计了应用于热氧化生长的SiO_(2)薄膜和化学气象沉积生长的SiO... 化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺处理SiO_(2)绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术,尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化。设计了应用于热氧化生长的SiO_(2)薄膜和化学气象沉积生长的SiO_(2)薄膜的CMP工艺,得出两种薄膜的抛光速率分别为2 nm/s和3 nm/s,晶圆的全局材料去除高度差均在20 nm以内。并将CMP工艺应用到约瑟夫森结阵列的制作流程,结单元结构AFM高度轮廓扫描显示台阶高度由240 nm减小到约25 nm,其上的SiO_(2)绝缘层2×2μm^(2)区域内的表面粗糙度为0.535 nm,提供了后续器件制备所需的工艺窗口。 展开更多
关键词 计量学 约瑟夫森结阵列 化学机械平整化
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由一套共用微波源激励的1伏特约瑟夫森结阵列电压标准的比对
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作者 张朝军 《实用测试技术》 1995年第4期49-50,共2页
我们已经实现了由同一微波源激励的BIPM①和BNM/LCIE②的约瑟夫森结阵列之间的直接比对,测得1018V电平的平均值之差为1.2×10-10,总的不确定度低于1.7×10-10,这次测量从技术上考虑到了其... 我们已经实现了由同一微波源激励的BIPM①和BNM/LCIE②的约瑟夫森结阵列之间的直接比对,测得1018V电平的平均值之差为1.2×10-10,总的不确定度低于1.7×10-10,这次测量从技术上考虑到了其它因子的闭合检查,以此来消除频率的不稳定带来的不确定度。在这种情况下,我们还研究了不同指示器的分辨率。 展开更多
关键词 微波源激励 约瑟夫森结阵列 电压标准
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