纤锌矿结构砷化镓纳米线中的深能级缺陷研究

1

作者 乔旭冕 李新化 +5 位作者 谷毛毛 龚书磊 弓紫燕 吴超可 吴超 赵雷鸣 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期671-678,共8页

深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了... 深能级缺陷是造成纤锌矿结构砷化镓纳米线中持续光电导效应的主要原因。采用基于高斯分布的缺陷复合动力学方程分析了纤锌矿结构砷化镓纳米线的光电导衰减曲线,得到平均载流子捕获势垒为60.2 meV。通过分析光照下光电导瞬态行为,提出了基于缺陷光电离模型来提取特定缺陷能级水平特征的方法。通过拟合纤锌矿结构砷化镓纳米线的光离化谱,得到了0.69 eV的光电离能。光离化能和热捕获能之间的较大能量差异意味着缺陷与晶格有强耦合作用,这与闪锌矿结构砷化镓中EL2中心的行为相似。 展开更多

关键词 光电子学 光电导 纤锌矿结构砷化镓 深能级缺陷 分子束外延

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纤锌矿结构混晶Al_xGa_(1-x)N中的光学声子和极化子

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作者 张芳 李艳 +1 位作者 李伟 危书义 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第3期35-38,共4页

由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学声子频率与组分x的关系,运用微扰的方法计算纤锌矿结构混晶中极化子有效质量mi*和能量迁移Ei随组分x的变... 由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学声子频率与组分x的关系,运用微扰的方法计算纤锌矿结构混晶中极化子有效质量mi*和能量迁移Ei随组分x的变化关系.计算结果表明:纤锌矿结构混晶AlxGa1-xN中的LO声子和TO声子均表现为单模行为,极化子的有效质量mi*和能量迁移Ei随x的变化呈线性变化. 展开更多

关键词 赝原胞模型法 光学声子 极化子 纤锌矿结构混晶 ALXGA1-XN

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纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算

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作者 牛海波 陈光德 耶红刚 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期29-33,共5页

以现代极化理论为基础,通过构建一种结构简单、直观的计算模型,分别采用Berry phase和最大局域化Wannier函数方法并结合第一性原理,计算了纤锌矿结构的ZnO、AlN及GaN半导体的自发极化及压电系数,研究了自发极化与晶体结构之间的关系.计... 以现代极化理论为基础,通过构建一种结构简单、直观的计算模型,分别采用Berry phase和最大局域化Wannier函数方法并结合第一性原理,计算了纤锌矿结构的ZnO、AlN及GaN半导体的自发极化及压电系数,研究了自发极化与晶体结构之间的关系.计算结果与已有报道结果吻合较好.结果表明:AlN的自发极化及压电系数在三种半导体中最大,其自发极化超过另外两种半导体的两倍.发现最大局域化Wannier函数方法与Berry phase方法相比,由于产生了Wannier中心,因此在分析自发极化、电子结构及原子成键上具有独特的优势,能给出更清晰的物理图像. 展开更多

关键词 自发极化 压电系数 纤锌矿结构 现代极化理论

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纤锌矿结构AlN、GaN及ZnO自发极化的第一性原理研究

4

作者 牛海波 竹有章 李冠强 《陕西科技大学学报》 CAS 2017年第6期171-178,共8页

根据现代极化理论,分别利用Berry phase方法和最大局域化Wannier函数方法系统计算了纤锌矿结构AlN、GaN及ZnO中的自发极化,并从电子项和离子项引起的极化变化具体分析了自发极化的起源.研究表明AlN自发极化中电子项的贡献占据主导地位,... 根据现代极化理论,分别利用Berry phase方法和最大局域化Wannier函数方法系统计算了纤锌矿结构AlN、GaN及ZnO中的自发极化,并从电子项和离子项引起的极化变化具体分析了自发极化的起源.研究表明AlN自发极化中电子项的贡献占据主导地位,而GaN及ZnO自发极化中以离子项的贡献为主.研究发现其他文献计算自发极化时,由于计算模型和参考模型使用相同的体积,导致计算结果偏小.利用Wannier中心,从结构中最小重复单元的电偶极矩出发对原有计算公式进行了修正,使得自发极化的计算结果更趋合理.研究发现在特定建模条件下,可以不用计算参照模型中的极化,利用Wannier中心确定纤锌矿结构中正负电荷的重心,通过经典的静电学理论直接计算出自发极化,直观解释了自发极化的形成. 展开更多

关键词 纤锌矿结构 自发极化 Wannier中心 第一性原理

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纤锌矿和亚稳岩盐矿结构氧化锌的电学光学特性 被引量：1

5

作者 李立新 张动天 +2 位作者 李明 蔡红新 曹伟涛 《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第6期735-739,共5页

利用密度泛函赝势法对纤锌矿结构和亚稳岩盐矿结构氧化锌电学和光学特性进行了对比研究,计算表明,亚稳岩盐矿结构氧化锌的电离度下降,对于亚稳岩盐矿结构氧化锌得到的GGA带隙略大于纤锌矿结构氧化锌,两种多形体电学结构的差别导致了光... 利用密度泛函赝势法对纤锌矿结构和亚稳岩盐矿结构氧化锌电学和光学特性进行了对比研究,计算表明,亚稳岩盐矿结构氧化锌的电离度下降,对于亚稳岩盐矿结构氧化锌得到的GGA带隙略大于纤锌矿结构氧化锌,两种多形体电学结构的差别导致了光学特性的不同.预测了亚稳岩盐氧化锌具有负的微分电导效应,特别是在施主杂质重掺杂的情况下.强烈的电子-光子的耦合以及宽的光学响应区使它更适合于光学领域的应用,特别是在极短的波段,尽管它具有间接带隙的特性. 展开更多

关键词 纤锌矿结构氧化锌 亚稳岩盐矿结构氧化锌 光电特性 密度泛函赝势法

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CdO及Cd_xZn_(1-x)O化合物的结构、能量和电子性能分析 被引量：8

6

作者 孙慧卿 丁少锋 +2 位作者 王雨田 邓贝 范广涵 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1233-1238,共6页

采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构的基态电子特性和体结构,分析了CdO的稳定性.通过对比纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构CdO... 采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构的基态电子特性和体结构,分析了CdO的稳定性.通过对比纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构CdO的内聚能,发现岩盐结构和纤锌矿结构CdO的稳定性好,闪锌矿结构相对较差;通过对CdxZn1-xO化合物在不同Cd组分下的电子结构计算,得到了较好的禁带宽度拟合结果,能带弯曲参量B=1.02eV;通过形成能与组分关系的分析,我们认为当Cd的组分x=0.4左右时,CdxZn1-xO化合物最不稳定,容易出现相分离现象. 展开更多

关键词 CDO CdxZn1-xO 纤锌矿结构 电子结构 密度泛函理论

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氧化锌晶体的研究进展 被引量：17

7

作者 宋词 杭寅 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期81-87,共7页

基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义。目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩... 基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮。ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义。目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高。 展开更多

关键词 氧化锌晶体 晶体生长 半导体 水热法 助熔剂法 气相法 坩埚下降法 紫外激光器 ZnO 纤锌矿结构

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电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析 被引量：3

8

作者 吴玉新 薛成山 +3 位作者 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1420-1422,共3页

采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收(FTIR)谱、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。

关键词 氮化镓薄膜 SI衬底 电泳沉积 六方纤锌矿结构

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高压下AlN的电子结构和光学性质 被引量：4

9

作者 李泽涛 党随虎 李春霞 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1123-1129,共7页

基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同压强下六方纤锌矿AlN的晶体结构、电子结构和光学性质.通过比较压力作用下能带结构的变化行为,得出AlN在16.7 GPa附近存在等结构相变,即由直接带隙结构转变为间接带隙结构.结合电子结构分析了高压对AlN光学性质的影响,发现在压力的作用下AlN吸收光谱有蓝移的趋势. 展开更多

关键词 密度泛函理论 六方纤锌矿结构AlN 电子结构 光学性质

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半导体所在GaAs纳米线结构相变的研究方面取得重要成果

10

《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期375-375,共1页

作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar d... 作为传统的Ⅲ-V族半导体,GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时,由于表面积相对增加,又由于纤锌矿结构的表面能较低,使得GaAs纳米线上容易出现纤锌矿结构,互相竞争的结果往往是两相共存,还夹着很多平面缺陷(planar defect)。 展开更多

关键词 纳米线 纤锌矿结构 半导体 闪锌矿结构 纳米尺度 平面缺陷 表面能 稳定相 结构相变 晶体结构

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均匀沉淀法制备纳米氧化锌研究 被引量：1

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作者 曾宪华 史运泽 樊慧庆 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期165-167,共3页

以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌。实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌。通过 X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构... 以六水硝酸锌为锌源、氢氧化钠为碱源、甲醇溶液作为溶剂,采用均匀沉淀法合成了纳米氧化锌。实验结果表明制备出的纳米氧化锌为纯相六角纤锌矿结构氧化锌。通过 X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)等测试手段对所得产物的组成、形貌、结构进行了研究。该方法制备的纳米氧化锌平均粒径在11 nm 左右。 展开更多

关键词 氧化锌 纳米粒子 均匀沉淀法 六角纤锌矿型晶体结构

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脉冲激光沉积方法生长硅基ZnO薄膜的特性(英文) 被引量：1

12

作者 何建廷 庄惠照 +5 位作者 薛成山 田德恒 吴玉新 刘亦安 胡丽君 薛守斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期978-980,985,共4页

用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现... 用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构。利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜。 展开更多

关键词 PLD ZNO 薄膜 六方纤锌矿结构

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不同形貌InxGa1-xN纳米材料的制备及发光性能研究

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作者 刘海瑞 赵丹 +4 位作者 梁建 张竹霞 刘旭光 贾虎生 许并社 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1177-1182,共6页

采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱... 采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱(PL)对比研究了InxGa1-xN(x=0,0.25)纳米材料在形貌,化学成分,晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明:当没有催化剂时,所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构,而在催化剂Au的作用下,生成的InxGa1-xN纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的"塔"状结构;虽然在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN(x=0.25)形貌发生了很大变化,但晶体结构未发生改变,均为六方纤锌矿结构;PL分析结果显示InxGa1-xN纳米结构的发光性能随着In含量的增加,发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区,在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN的发光强度最强。最后对不同形貌InxGa1-xN其生长机理做简单分析。 展开更多

关键词 InGaN纳米晶 Au催化 六方纤锌矿结构 PL谱

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热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究

14

作者 王丹 张喜田 +4 位作者 刘益春 张吉英 吕有明 申德振 范希武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期570-572,共3页

　用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大。光致发... 　用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大。光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的,且随热氧化温度升高,激子发光峰发生红移,激子发光和深能级缺陷发光强度之比逐渐增大,在热氧化温度为800℃时,其比值为10。 展开更多

关键词 纳米ZNO薄膜 热氧化 X射线衍射 发光特性 紫外光致发光 六角纤锌矿结构

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粉末靶磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的特性 被引量：2

15

作者 刘思宁 周艳文 +1 位作者 吴川 吴法宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期937-943,共7页

室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜。通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能。采用原子力显微镜和X射线衍射仪分别对薄膜的形貌和结构进行检测分... 室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜。通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能。采用原子力显微镜和X射线衍射仪分别对薄膜的形貌和结构进行检测分析;采用紫外可见分光光度计和霍尔效应仪分别对薄膜的光电性能进行检测分析。结果表明,所制备的三层膜表面平整,颗粒大小错落均称;三层膜呈现多晶结构,AZO层薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,Ag层薄膜具有(111)择优取向的立方结构;当三层薄膜为AZO(20 nm)/Ag(12 nm)/AZO(20 nm)时,在550 nm处的透光率为88%,方块电阻为4.3Ω/□,电阻率为2.2×10^(-5)Ω·cm,载流子浓度为2.8×1022/cm^3,迁移率为10 cm^2/(V·s),品质因子为3.5×10-2Ω^(-1)。 展开更多

关键词 AZO/Ag/AZO 多层透明导电薄膜 六方纤锌矿结构 粉末靶 射频磁控溅射

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GaN薄膜的椭偏光谱研究 被引量：1

16

作者 余养菁 张斌恩 +3 位作者 李孔翌 姜伟 李书平 康俊勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期821-825,865,共6页

采用椭圆偏振光谱法,在1.50～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier... 采用椭圆偏振光谱法,在1.50～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50～6.50 eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 展开更多

关键词 GAN薄膜 椭圆偏振光谱 光学各向异性 色散关系 纤锌矿结构

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GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征 被引量：1

17

作者 王珊珊 王雪文 +4 位作者 阎军峰 邓周虎 段晓峰 赵武 张志勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期171-174,共4页

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结... 采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜;XPS分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且Ga:N约为1:1;PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能. 展开更多

关键词 氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 六角纤锌矿结构

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水热法制备ZnO抗静电导电粉研究

18

作者 刘雪佳 张有为 +1 位作者 张丹丹 郑冀 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期253-255,共3页

采用水热法制备掺杂镓(Ga)的氧化锌(ZnO)导电粉体,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDX)等,对材料的组织结构、形貌、粒度等进行了分析和表征。结果表明,制得的ZnO纳米导电粉体具有六方纤锌矿结构,结晶完好,颗粒呈棒状... 采用水热法制备掺杂镓(Ga)的氧化锌(ZnO)导电粉体,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDX)等,对材料的组织结构、形貌、粒度等进行了分析和表征。结果表明,制得的ZnO纳米导电粉体具有六方纤锌矿结构,结晶完好,颗粒呈棒状、球状或片状,平均粒径20.04nm,具有导电性,在160℃水热反应3h,Ga用量为1.8%(wt,质量分数)条件下,ZnO纳米导电粉体的电阻率最低,为2.18×10~6Ω·cm。 展开更多

关键词 水热法 纳米氧化锌 掺杂 导电性 六方纤锌矿结构

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宽带半导体InGaN的生长及特性

19

作者 师庆华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第3期35-38,共4页

有宽带隙能量的四元半导体 InGaAsN 是一种Ⅲ—Ⅴ族材料,可被用于制备蓝色发光器件。它包括具有纤锌矿结构的InN,GaN和 AIN。其宽带隙能量可以在2.0—6.2eV之间选择。这种材料用于发光二极管是非常理想的,特别是用于激光二极管。也就是说。

关键词 纤锌矿结构 发光器件 INGAN 发光二极管 激光二极管 晶格失配 晶格常数 无辐射复合 外延层 单晶结构

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卤素输运CVD法形成的ZnS:Mn薄膜EL显示技术

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作者 李文连 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第5期41-43,共3页

前言薄膜EL显示器件的显示质量高、性能可靠,在平板显示应用中正引人注目。目前ZnS:Mn橙黄色显示业已付诸实际应用。ZnS:Mn发光层的制作技术有三种:(1)电子束蒸发法(含溅射法)。把ZnS与Mn制成混合块,通过电子束使其加热蒸发,以物理沉积... 前言薄膜EL显示器件的显示质量高、性能可靠,在平板显示应用中正引人注目。目前ZnS:Mn橙黄色显示业已付诸实际应用。ZnS:Mn发光层的制作技术有三种:(1)电子束蒸发法(含溅射法)。把ZnS与Mn制成混合块,通过电子束使其加热蒸发,以物理沉积的方式蒸发到基板上。(2)原子层外延法(ALE)。把原料气体交互地向基板上供给,通过生长表面上的化学反应一层一层地形成原子层。尽管这种ALE法的成膜速度慢,在生产上有问题,但可形成高质量的ZnS薄膜。 展开更多

关键词 电子束蒸发法 CVD法 EL ZNS:MN 原子层外延 溅射法 纤锌矿结构 发光层 热蒸发 生长表

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