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题名立方C_3N_4陶瓷第一性原理的计算
被引量：2
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作者
马秋花
田军辉
王改民
侯永改
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机构
河南工业大学材料科学与工程学院
河南工业大学理学院
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出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2011年第3期461-464,共4页
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基金
郑州市科技攻关(编号:5-82)
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文摘
本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C3N4不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性,而且具有较强的红外线穿透性,对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。
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关键词
立方C3N4
电子结构
高温耐磨
红外穿透性
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Keywords
cubic C3N4
electronic structures
high temperature wear resistant
infrared penetrating
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分类号
TQ174.75
[化学工程—陶瓷工业]
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