在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级...在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.展开更多
TN383 95010021超辐射发光二极管的结构特性及其应用=Structurefeatures and application of superluminescentdiodes[刊,中]/马东阁,石家纬(吉林大学集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区.吉林,长春(130023))//激光技术.—1994,18...TN383 95010021超辐射发光二极管的结构特性及其应用=Structurefeatures and application of superluminescentdiodes[刊,中]/马东阁,石家纬(吉林大学集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区.吉林,长春(130023))//激光技术.—1994,18(4).—214—219超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面有重要应用,综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景。展开更多
TN312.8 2002010034两种不同的结构及掺杂的白色有机发光二极管=Whiteemitting organic thin film electroluminescent de-vices doped with dye[刊,中]/张步新,朱文清,蒋雪茵,张志林,许少鸿(上海大学嘉定校区材料系.
文摘在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.
文摘TN383 95010021超辐射发光二极管的结构特性及其应用=Structurefeatures and application of superluminescentdiodes[刊,中]/马东阁,石家纬(吉林大学集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区.吉林,长春(130023))//激光技术.—1994,18(4).—214—219超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面有重要应用,综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景。
文摘TN312.8 2002010034两种不同的结构及掺杂的白色有机发光二极管=Whiteemitting organic thin film electroluminescent de-vices doped with dye[刊,中]/张步新,朱文清,蒋雪茵,张志林,许少鸿(上海大学嘉定校区材料系.