Eu^(2+)/Ce^(3+)激活的近紫外LED用发光材料研究进展 被引量：3

1

作者 王育华 张强 +3 位作者 李泽彬 康润天 刘政强 王浩洋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期1186-1201,共16页

作为新一代固态照明光源,白光LED在能量转换效率、亮度、化学稳定性和环保性等多方面显示出突出的性能优势,广泛应用于照明领域。而在其多种白光构筑方式中,“近紫外LED+多色荧光粉”更有利于实现高显色指数和低色温的健康照明,这种方... 作为新一代固态照明光源,白光LED在能量转换效率、亮度、化学稳定性和环保性等多方面显示出突出的性能优势,广泛应用于照明领域。而在其多种白光构筑方式中,“近紫外LED+多色荧光粉”更有利于实现高显色指数和低色温的健康照明,这种方法受到高度关注,高品质多色发光材料的开发和性能调控也是近年来的研究热点。本文主要介绍了Eu^(2+)/Ce^(3+)激活的近紫外LED用发光材料的最新进展,包括商用荧光粉的性能优化和新体系的开发,讨论了材料设计和性能调控的手段。最后,对近紫外LED用发光材料的部分机遇和挑战进行了讨论,从而对白光LED的发展提供一定的参考和指导。 展开更多

关键词 稀土元素 发光材料 近紫外led 性能调控

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紫外LED调制特性研究 被引量：2

2

作者 王少水 孙权社 黄刚 《现代电子技术》 2013年第21期15-17,共3页

与低压汞灯相比,紫外LED具有体积小、寿命长、低压供电等特点,广泛应用于杀菌消毒、生物分析/检测等领域。介绍了紫外LED在紫外光通信领域的国内外发展现状,对紫外LED的调制速率及调制光谱进行了测试。实验结果表明,紫外LED调制速率可达... 与低压汞灯相比,紫外LED具有体积小、寿命长、低压供电等特点,广泛应用于杀菌消毒、生物分析/检测等领域。介绍了紫外LED在紫外光通信领域的国内外发展现状,对紫外LED的调制速率及调制光谱进行了测试。实验结果表明,紫外LED调制速率可达10 MHz,调制状态下相对光谱与直流状态相吻合。实验数据可为紫外LED在紫外光通信中的应用提供理论依据。 展开更多

关键词 紫外led 紫外光通信 调制速率 调制光谱

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近紫外LED封装器件的热稳定性及可靠性 被引量：5

3

作者 樊嘉杰 曹建武 +3 位作者 刘杰 经周 孙博 胡爱华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期871-878,共8页

紫外发光二极管(紫外LED)已经在许多超越照明领域展示出了特殊的应用优势,例如健康医疗、消毒杀菌、环保及传感等领域。本文采用仿真和实验相结合的方法研究了具有不同封装结构的近紫外LED封装器件的热稳定性,并对其进行了高温老化可靠... 紫外发光二极管(紫外LED)已经在许多超越照明领域展示出了特殊的应用优势,例如健康医疗、消毒杀菌、环保及传感等领域。本文采用仿真和实验相结合的方法研究了具有不同封装结构的近紫外LED封装器件的热稳定性,并对其进行了高温老化可靠性测试评估。研究结果表明:LED器件的辐射功率和正向电压随温度的升高而下降,其中,具有倒装结构的器件下降趋势明显小于正装结构,这表明其热稳定性较好;经过55℃恒温额定电流条件下的可靠性测试发现具有倒装结构的器件光-色特性衰减速率小于正装器件。通过本文研究可以得出结论:具有低热阻、小尺寸等优点的的倒装封装结构有助于提高近紫外LED器件的光-热稳定性和可靠性。 展开更多

关键词 近紫外led 封装 光热性能 热稳定性 可靠性

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氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED

4

作者 张源涛 邓高强 孙瑜 《吉林大学学报（信息科学版）》 CAS 2023年第5期767-772,共6页

针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.3... 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题,设计了一种带有n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al_(0.65)Ga_(0.35)N电子提供层、 Al_(0.65)Ga_(0.35)N/Al_(0.5)Ga_(0.5)N多量子阱、组分渐变p-Al_(x)Ga_(1-x)N和n^(+)-GaN/Al_(0.4)Ga_(0.6)N/p^(+)-GaN隧道结构成。研究结果表明,相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率,同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善,归因于隧道结的引入提升了LED的空穴注入效率,提高了LED器件的电流扩展能力。通过模拟软件对半导体器件载流子输运、光电特性的模拟,有助于加深对半导体器件物理特性的理解。若在“半导体器件物理”学习课程加入对半导体器件模拟软件的学习,能有效提升学生对半导体器件物理知识的理解和探索。 展开更多

关键词 深紫外led 隧道结 铝镓氮 氮化物半导体

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日盲紫外LED实时视频传输系统设计 被引量：9

5

作者 杨宇 陈晓红 +1 位作者 尤波 韦玮 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期227-232,共6页

针对当前紫外光通信中气体灯与激光光源调制速率慢、体积较大,光电倍增管工作电压过高等问题,提出了一种基于现场可编程门阵列技术的日盲紫外LED实时视频传输系统,其发射光源采用波长为265 nm的单紫外LED,探测器采用紫外PIN;通过电路和... 针对当前紫外光通信中气体灯与激光光源调制速率慢、体积较大,光电倍增管工作电压过高等问题,提出了一种基于现场可编程门阵列技术的日盲紫外LED实时视频传输系统,其发射光源采用波长为265 nm的单紫外LED,探测器采用紫外PIN;通过电路和逻辑模块设计搭建了视频传输系统,研究了系统的光功率密度与通信距离之间的关系;基于二进制开关键控调制方式,实现日盲紫外LED实时视频传输系统最大传输速率为2.88 Mbit/s,当通信距离为4 m时,传输速率达到1.92 Mbit/s。 展开更多

关键词 日盲紫外光通信 紫外led 紫外PIN 视频传输 FPGA

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深紫外LED封装技术现状与展望 被引量：20

6

作者 彭洋 陈明祥 罗小兵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期542-559,共18页

深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值。近年来,深紫外LED技术取得了快速发... 深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值。近年来,深紫外LED技术取得了快速发展,主要体现在光效和可靠性的不断提高,这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步,另一方面归功于深紫外LED封装技术的发展。但是,与波长较长的近紫外和蓝光LED相比,深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空间。本综述重点对深紫外LED封装关键技术进行了系统分析,包括封装材料选择、封装结构设计、封装工艺优化、反射光损耗机制以及结温和热管理等,同时从提高光效与器件可靠性角度阐述了深紫外LED封装的最新研究进展,并对后续技术发展进行了展望。 展开更多

关键词 深紫外led 封装技术 光效 可靠性

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V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响 被引量：3

7

作者 聂晓辉 王小兰 +3 位作者 莫春兰 张建立 潘拴 刘军林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期735-741,共7页

使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随... 使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED,通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸,系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明,低温GaN插入层促进了V形坑的形成,并且V形坑尺寸随着插入层厚度的增加而增大。在电学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,-5 V下的漏电流从5.2×10^(-4)μA增加至6.5×10~2μA;350 mA下正向电压先从3.55 V降至3.44 V,然后升高至3.60 V。在光学性能方面,随着V形坑尺寸的增大,35 A/cm^2下的归一化外量子效率先从0.07提高至最大值1,然后衰退至0.53。对V形坑尺寸影响InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的物理机理进行了分析,结果表明:InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与V形坑尺寸密切相关,最佳的V形坑尺寸为120~190 nm,尺寸太大或者太小都会降低器件性能。 展开更多

关键词 硅衬底 近紫外led 低温GaN插入层 V形坑尺寸 光电性能

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近紫外LED用荧光粉的研究进展 被引量：4

8

作者 郎天春 韩涛 +1 位作者 彭玲玲 张进 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第23期53-56,65,共5页

综述了近年来国内外关于近紫外LED用荧光粉的研究进展,重点介绍了近紫外LED用三基色荧光粉(红、绿、蓝)、黄色荧光粉和白色荧光粉的光谱特性,并提出了需进一步研究的问题。

关键词 近紫外led 荧光粉 光谱特性

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高气密性的深紫外LED半无机封装技术 被引量：3

9

作者 万垂铭 曾照明 +3 位作者 肖国伟 蓝义安 谢子敬 王洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1842-1848,共7页

深紫外LED可通过物理方式破坏病毒和细菌的结构,从而获得高效消毒的效果。相比于工艺成熟的蓝光LED,如何提高深紫外LED的封装可靠性和出光率仍是关键问题。本文采用基底预热方式微固化封装胶,结合阵列点胶方式将石英玻璃固定在镀铜围坝... 深紫外LED可通过物理方式破坏病毒和细菌的结构,从而获得高效消毒的效果。相比于工艺成熟的蓝光LED,如何提高深紫外LED的封装可靠性和出光率仍是关键问题。本文采用基底预热方式微固化封装胶,结合阵列点胶方式将石英玻璃固定在镀铜围坝,制备了半无机封装的深紫外LED。该器件的输出波长为275 nm,半峰宽约为11 nm。对比传统类透明材料封装的器件,石英封装的深紫外LED有更高的出光率。在真空红墨水和氦气漏率实验中,采用本文提出的半无机封装技术的深紫外LED器件表现出高密封性。此外,在加速老化测试中,该封装器件的光衰速率在20%以内。实验结果表明,对比有机封装的深紫外LED器件,在基底预热条件下,采用阵列点胶固定石英玻璃是现阶段提高深紫外LED可靠性的一种封装方法。 展开更多

关键词 深紫外led 可靠性 出光率 基底预热 阵列点胶

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紫外LED冷光降解黄曲霉毒素B1技术对花生油品质影响的研究 被引量：6

10

作者 郑娟梅 王海波 +3 位作者 李昌宝 辛明 叶金 伍先绍 《食品安全质量检测学报》 CAS 2020年第8期2410-2420,共11页

目的考察紫外LED冷光降解黄曲霉毒素B1(AFB1)对花生油品质的影响。方法通过测定紫外LED冷光照射前后脂肪酸、酸价、过氧化值的变化来初步评价对花生油脂肪酸的影响。结果经紫外LED冷光技术处理的花生油,其脂肪酸组成及含量变化,酸价和... 目的考察紫外LED冷光降解黄曲霉毒素B1(AFB1)对花生油品质的影响。方法通过测定紫外LED冷光照射前后脂肪酸、酸价、过氧化值的变化来初步评价对花生油脂肪酸的影响。结果经紫外LED冷光技术处理的花生油,其脂肪酸组成及含量变化,酸价和过氧化值的变化均无显著性差异(P>0.05),对花生油的品质影响不大。结论黄曲霉毒素降解机(紫外LED冷光技术)基本对花生油品质无影响,为花生油加工企业的实际生产提供一定的参考。 展开更多

关键词 紫外led冷光照射 花生油 脂肪酸

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紫外LED冷光技术对花生油中黄曲霉毒素B1降解效果的研究 被引量：3

11

作者 莫紫梅 陈宁周 +3 位作者 宁芯 王警 王海波 韦柳敏 《中国油脂》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期83-88,共6页

以10种黄曲霉毒素B1(AFB1)含量不同的花生油为样品,采用紫外LED冷光照射花生油,探究紫外LED冷光技术对花生油中AFB1的降解效果。结果表明:紫外LED冷光照射能有效降低花生油中AFB1的含量,随着紫外照射时间的延长,花生油中AFB1含量呈逐渐... 以10种黄曲霉毒素B1(AFB1)含量不同的花生油为样品,采用紫外LED冷光照射花生油,探究紫外LED冷光技术对花生油中AFB1的降解效果。结果表明:紫外LED冷光照射能有效降低花生油中AFB1的含量,随着紫外照射时间的延长,花生油中AFB1含量呈逐渐降低的趋势;当样品中AFB1含量小于等于650μg/kg,紫外LED冷光照射时间120 s,可达到国家标准要求的花生油中AFB1含量不超过20μg/kg的要求;而当样品中AFB1含量大于650μg/kg,需延长其照射时间(样品3照射时间1 200 s),才可达到国家标准要求的花生油中AFB1含量不超过20μg/kg的要求;相同的照射时间(60 s)下,在3 500~450μW/cm2的照射强度下,随照射强度的降低AFB1降解率降低。花生油经紫外LED冷光照射后,其酸价、过氧化值没有显著的变化。 展开更多

关键词 紫外led冷光技术 黄曲霉毒素B1 花生油 酸价 过氧化值

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基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备 被引量：2

12

作者 文如莲 胡晓龙 +2 位作者 高升 梁思炜 王洪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1735-1742,共8页

为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365nm紫外LED的制备工艺。利用1cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件... 为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365nm紫外LED的制备工艺。利用1cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365nm外延片上并完成电极生长,制备成14mil×28mil的正装LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15eV。在600℃退火后,方块电阻降低6.2Ω/□,透过率在356nm处达到90.8%。在120mA注入电流下,365nmLED的电压降低0.3V,功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能。 展开更多

关键词 ITO 掺金属 薄膜带隙 紫外led

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AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响 被引量：2

13

作者 李婷婷 周玉春 +2 位作者 杨路华 李晓波 王静辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期684-688,696,共6页

在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。... 在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管（LED）。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED（波长395 nm）光电性能的影响。使用透射电子显微镜对外延层的截面结构及位错进行表征。结果表明,随着AlN成核层厚度的增加,位错密度不断减小,且量子阱表面V形坑尺寸逐渐减小。LED器件的光学性能和电学性能随着V形坑尺寸的减小而提高,归一化外量子效率最大值由0.55增至1;在电流350 m A时,正向电压从3.54 V降至3.45 V,又升高至3.60 V。当AlN成核层厚度超过临界值后,位错密度不降反升,量子阱表面的V形坑密度增加,导致量子阱的有效发光面积减小,外延层质量下降。InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与AlN成核层厚度密切相关,最佳AlN成核层厚度为50.22 nm。 展开更多

关键词 AlN成核层 近紫外led 蓝宝石图形衬底(PSS) 腐蚀坑密度 外量子效率

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高稳定度紫外LED定标的可行性分析与测试

14

作者 金辉 陆萌 尹达一 《红外》 CAS 2016年第6期19-23,共5页

为了满足紫外遥感器星上定标的高稳定度、小型化、低功耗的应用需求以及紫外发光二极管(Light Emitting Diode,LED)定标在工作电流的典型值为200 mA时的稳定度不大于1‰、稳定时间小于3 min的技术指标要求,提出了用基于FPGA的数字控制... 为了满足紫外遥感器星上定标的高稳定度、小型化、低功耗的应用需求以及紫外发光二极管(Light Emitting Diode,LED)定标在工作电流的典型值为200 mA时的稳定度不大于1‰、稳定时间小于3 min的技术指标要求,提出了用基于FPGA的数字控制电路驱动紫外LED发光并用增量式比例-积分-微分(Proportional-Integral-Derivative PID)进行闭环控制的方法。对紫外LED的电流稳定度进行了测试,获得了电流大小随时间变化的误差关系。测试结果表明,该系统可以使紫外LED上的电流在3 min内实现稳定,其稳定度达到0.2‰,满足星上紫外定标的要求。 展开更多

关键词 紫外led PID 稳定度 定标

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深紫外LED的前景及市场应用价值探究 被引量：3

15

作者 王佳乐 《现代信息科技》 2019年第8期49-50,共2页

随着我国社会经济的不断发展,科学技术也取得了不断进步,并且逐步应用到各个领域当中。深紫外LED的运用是目前较为流行的趋势,其有着寿命长、使用方便、便于携带等多种优势,有着十分广阔的市场前景以及应用价值。因而,加强对深紫外LED... 随着我国社会经济的不断发展,科学技术也取得了不断进步,并且逐步应用到各个领域当中。深紫外LED的运用是目前较为流行的趋势,其有着寿命长、使用方便、便于携带等多种优势,有着十分广阔的市场前景以及应用价值。因而,加强对深紫外LED的前景以及市场应用价值的探究,对我国深紫外LED的推广具有十分重要的实际意义。本文就针对深紫外LED的前景及市场应用价值进行了探讨,并提出了一些合理化建议。 展开更多

关键词 深紫外led 前景及市场应用 价值探究

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紫外LED隧穿结的模拟设计

16

作者 林伟 吴雅苹 +1 位作者 李德鹏 卢诗强 《物理实验》 2018年第11期13-16,共4页

采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂移联合运动方式,有助于增大载流子在隧穿结内的迁移隧穿概率.经过优化,p^+-AlGaN中Al组分自下而上线性地由... 采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂移联合运动方式,有助于增大载流子在隧穿结内的迁移隧穿概率.经过优化,p^+-AlGaN中Al组分自下而上线性地由0.45渐变到0.70,n^+-AlGaN中Al组分自下向上线性地由0.70渐变到0.45.器件I-V曲线在开启电压以上,呈现近线性关系,表明渐变Al组分隧穿结深紫外LED器件表现出更佳的电注入特性,297nm室温电致发光峰强度高于非渐变结构深紫外LED.内量子效率、光功率和辐射复合率模拟结果进一步证实渐变Al组分隧穿结的引入增大了有源区注入的空穴浓度,量子阱内辐射复合率得到提高. 展开更多

关键词 紫外led 隧穿结 光电特性 电子结构

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ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升 被引量：2

17

作者 王雪 崔志勇 +5 位作者 王兵 薛建凯 张向鹏 段瑞飞 曾一平 李晋闽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期680-684,共5页

通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜... 通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。 展开更多

关键词 氧化铟锡(ITO) ITO/Al 透明导电膜 紫外发光二极管(led) 光电性能

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LED深紫外线杀菌特性及其在草莓保鲜中的应用

18

作者 尹国亮 王明明 +3 位作者 刘浩明 陈喆 陆乃彦 唐雪 《食品与发酵工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第22期76-82,共7页

LED深紫外灯作为替代传统汞灯的新兴力量,在未来食品杀菌方向有着广泛的应用前景。该研究首先以大肠杆菌为实验对象,获得合适的LED深紫外灯组合方案。其次通过所得到的LED深紫外灯组合分别对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、铜绿假单胞菌进... LED深紫外灯作为替代传统汞灯的新兴力量,在未来食品杀菌方向有着广泛的应用前景。该研究首先以大肠杆菌为实验对象,获得合适的LED深紫外灯组合方案。其次通过所得到的LED深紫外灯组合分别对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、铜绿假单胞菌进行不同时长的深紫外线杀菌处理,探究深紫外线照射时间对不同致病菌杀菌率的影响。最后以草莓为实验材料,通过定期调查其坏果率、腐败指数、失重率及感官变化,探究LED深紫外线照射对草莓保鲜的效果。研究发现染菌平板正上方与侧方各有3个LED深紫外灯时,杀菌效果最好。随着LED深紫外线处理时长的延长,杀菌率逐渐上升,且对LED深紫外线的敏感性:金黄色葡萄球菌<铜绿假单胞菌<大肠杆菌。草莓采摘后进行适当时长的LED深紫外线处理对控制病变、保障品质等具有良好的效果,LED深紫外线处理与密封冷藏对提高草莓保鲜效果具有协同作用。 展开更多

关键词 led深紫外灯 紫外线杀菌 杀菌率 草莓保鲜

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多LED紫外光通信系统设计与性能分析 被引量：19

19

作者 赵太飞 王小瑞 柯熙政 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第6期1544-1549,共6页

为了实现多LED紫外光通信系统,首先介绍了紫外光通信系统的理论知识,设计的发送端能采用直流驱动紫外光LED为光源,接收端采用滤光片和光电倍增管实现光电检测,详细介绍了紫外光通信系统相关电路的原理和设计方案,在不同条件下对系统进... 为了实现多LED紫外光通信系统,首先介绍了紫外光通信系统的理论知识,设计的发送端能采用直流驱动紫外光LED为光源,接收端采用滤光片和光电倍增管实现光电检测,详细介绍了紫外光通信系统相关电路的原理和设计方案,在不同条件下对系统进行了实验测试,并对通信距离和误码率进行了分析,随着LED个数及LED供电电流的增加,紫外光通信的传输距离增加,并且误码率减低,使得紫外光通信系统的性能得到了提高。结果表明:系统可以满足近距离无线紫外光通信在角度对准、空分复用及方便组网等方面的需求。 展开更多

关键词 紫外光通信 紫外led 滤光片 光电倍增管

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紫外通信研究的现状分析和改进 被引量：4

20

作者 汪科 肖沙里 +1 位作者 罗辑 柏杨 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2008年第3期56-58,共3页

以紫外荧光灯为光源,结合调频和鉴频技术可实现低速率下的紫外通信。紫外荧光灯的反应时间偏长已成为了限制通信速率的固有缺点,文章分析了限制紫外通信速率的原因,并针对这些限制因素提出了系列行之有效的解决方法,有效地提高了系统的... 以紫外荧光灯为光源,结合调频和鉴频技术可实现低速率下的紫外通信。紫外荧光灯的反应时间偏长已成为了限制通信速率的固有缺点,文章分析了限制紫外通信速率的原因,并针对这些限制因素提出了系列行之有效的解决方法,有效地提高了系统的通信速率。最后指出,大力发展紫外光源将是解决通信速率问题的最终努力方向。 展开更多

关键词 紫外通信 荧光灯 负阻特性 软件鉴频 紫外led阵列

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