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Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 被引量:2
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作者 王华 黄竹 +1 位作者 许积文 杨玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1206-1210,共5页
以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六... 以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。 展开更多
关键词 MgxZn1-xO∶Al 紫外透明导电薄膜 Mg掺杂 光电性能
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溅射压强和退火气氛对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 被引量:1
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作者 王华 燕红 +2 位作者 许积文 江民红 杨玲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1526-1530,共5页
以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄... 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响;薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低;不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85%以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响;室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降。 展开更多
关键词 Mg0.2Zn0.8O∶Al 紫外透明导电薄膜 磁控溅射 溅射压强 退火气氛 光电性能
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溅射功率对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响
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作者 王华 燕红 +2 位作者 黄竹 许积文 杨玲 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1317-1322,共6页
以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓... 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺室温条件下在石英玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜。研究溅射功率对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响。测试结果表明:溅射功率不会明显影响薄膜中的成分及其浓度,并与靶材基本吻合;不同溅射功率下Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜均具有非常好的c轴择优取向生长特性,透光区域均扩展到紫外区域,而且随溅射功率从100W增大到200W,薄膜的晶粒有所增大,结晶程度明显提高,电阻率从50Ω·cm降低到不足1Ω·cm,透光率无明显差别,约为89%,带隙宽度略有减小,光吸收边略向长波方向移动,但溅射功率达到250W以后,薄膜质量有所下降,粗糙度增大,电阻率略有回升,透光率有所降低。 展开更多
关键词 紫外透明导电薄膜Mg0 2Zn0 8O A1磁控溅射 溅射功率 光电性能
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