采用空穴传输兼发光层CBP和电子传输兼发光层TAZ构建了紫外有机电致发光器件（UVOLED）,通过调控功能层厚度可以优化激子形成区域,进而改善器件性能。实验结果表明：CBP厚度的变化对器件性能影响甚微,而TAZ厚度变化则有显著影响。当CBP...采用空穴传输兼发光层CBP和电子传输兼发光层TAZ构建了紫外有机电致发光器件（UVOLED）,通过调控功能层厚度可以优化激子形成区域,进而改善器件性能。实验结果表明：CBP厚度的变化对器件性能影响甚微,而TAZ厚度变化则有显著影响。当CBP和TAZ厚度分别为50 nm和30 nm时,获得了最大辐照度为4.4 m W/cm2@270 m A/cm2、外量子效率（EQE）为0.94%@12.5 m A/cm2,发光来自于CBP主发光峰~410nm以及TAZ肩峰~380 nm的UVOLED器件。在此基础上,通过在CBP/TAZ界面引入超薄[CBP∶TAZ]掺杂层可以加速激子复合,降低器件驱动电压,同时还有利于改善载流子平衡性,提高发光效率（最大EQE达到了0.97%@20 m A/cm2）而不影响光谱特性。展开更多
文摘采用空穴传输兼发光层CBP和电子传输兼发光层TAZ构建了紫外有机电致发光器件（UVOLED）,通过调控功能层厚度可以优化激子形成区域,进而改善器件性能。实验结果表明：CBP厚度的变化对器件性能影响甚微,而TAZ厚度变化则有显著影响。当CBP和TAZ厚度分别为50 nm和30 nm时,获得了最大辐照度为4.4 m W/cm2@270 m A/cm2、外量子效率（EQE）为0.94%@12.5 m A/cm2,发光来自于CBP主发光峰~410nm以及TAZ肩峰~380 nm的UVOLED器件。在此基础上,通过在CBP/TAZ界面引入超薄[CBP∶TAZ]掺杂层可以加速激子复合,降低器件驱动电压,同时还有利于改善载流子平衡性,提高发光效率（最大EQE达到了0.97%@20 m A/cm2）而不影响光谱特性。
