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一种紫外截止型POE光伏封装胶膜的制备与性能研究
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作者 何和智 熊华威 赖文 《中国塑料》 北大核心 2025年第4期1-7,共7页
本研究采用氢化烃类树脂(H-HCR)与聚烯烃弹性体(POE)熔融共混,并添加过氧化二异丙苯(DCP)与3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲酸十六酯(UV2908)作为交联剂和紫外吸收剂,制备一种高体积电阻的紫外截止型光伏封装胶膜。随着H-HCR含量的增加,POE胶... 本研究采用氢化烃类树脂(H-HCR)与聚烯烃弹性体(POE)熔融共混,并添加过氧化二异丙苯(DCP)与3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲酸十六酯(UV2908)作为交联剂和紫外吸收剂,制备一种高体积电阻的紫外截止型光伏封装胶膜。随着H-HCR含量的增加,POE胶膜在紫外光区(250~380 nm)的透光率明显降低,同时其在可见光/近红外区(380~1 100 nm)具有较高透光率,而UV2908在250~292 nm范围有较强的紫外截止性能,两者能够协同阻挡紫外线进入光伏组件,从而制备出高紫外截止功能的光伏胶膜。同时复合材料的力学性能和体积电阻率均有明显增强,体积电阻率在H-HCR含量为15%(质量分数,下同)的组分中到达最高值。当POE/H-HCR/DCP/UV2908共混物的配比为85/15/1.5/0.2时,复合材料在可见光/近红外区的平均透过率和紫外截止波长为91.6%和284 nm,而拉伸强度、断裂伸长率、体积电阻率分别能达到20.1 MPa、904%和5.9×10^(15)Ω·cm,该复合材料既具有较好的体积电阻和力学性能,又具有优异的紫外截止性能。 展开更多
关键词 光伏胶膜 高透光率 紫外截止 体积电阻率 复合材料
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碳酸钙镁石家族非线性光学晶体研究进展 被引量:2
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作者 张雨彤 朱梦淇 +3 位作者 王彪 贾鑫辉 李静 王继扬 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1608-1625,共18页
自倍频晶体是将激光和非线性光学效应集于一体的一类晶体,可以实现波长变换、调幅、开关、记忆等功能,被广泛应用于光电子、光通信、激光等领域。然而现有的Nd∶LiNbO_(3)(Nd∶LN)、Nd∶Na_(3)La_(9)O_(3)(BO_(3))_(8)(Nd∶NLBO)、Nd∶L... 自倍频晶体是将激光和非线性光学效应集于一体的一类晶体,可以实现波长变换、调幅、开关、记忆等功能,被广泛应用于光电子、光通信、激光等领域。然而现有的Nd∶LiNbO_(3)(Nd∶LN)、Nd∶Na_(3)La_(9)O_(3)(BO_(3))_(8)(Nd∶NLBO)、Nd∶La_(2) CaB_(10)O_(19)(Nd∶LCB)等晶体由于固有的光折变效应、二次谐波(SHG)输出功率低、光学均匀性差等缺点限制了其进一步的应用,发展新的激光自倍频晶体具有重要的意义和价值。碳酸钙镁石家族硼酸盐晶体由于具有较大的非线性光学(NLO)系数、不易潮解、优异的光学性能和机械性能等优点,近几十年来成为人们重点研究的对象。本文从晶体结构、生长方法、性能、发展趋势等方面,着重介绍了碳酸钙镁石家族REM_(3)(BO_(3))_(4)(RE为稀土元素La-Lu和Y;M为Al,Ga,Sc)和La_(x)RE_(y )Sc_(z)(BO_(3))_(4)(RE=Gd,Y,Nd,Lu,Sm,Tb;x+y+z=3)共取代型硼酸盐非线性光学晶体。对比了不同助熔剂、气氛、方法生长的晶体的紫外(UV)截止边、光学性能、非线性性能的差异。通过改善生长工艺,进行元素掺杂等可以得到光学性能良好、非线性性能显著、有广泛市场应用前景的自倍频(SFD)晶体。 展开更多
关键词 碳酸钙镁石 非线性光学 助熔剂法 提拉法 紫外截止 硼酸盐
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氩氧流量比对CeO_x-SnO_x膜微观结构及光学性能的影响
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作者 那聪 姜宏 +2 位作者 蔡思翔 冯建 王红燕 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期861-866,873,共7页
采用磁控反应共溅射的方法,以金属Ce和Sn为金属源,成功地制备出CeO_x-SnO_x薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜的结构、表面形貌及成分进行了分析和表征。结... 采用磁控反应共溅射的方法,以金属Ce和Sn为金属源,成功地制备出CeO_x-SnO_x薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对薄膜的结构、表面形貌及成分进行了分析和表征。结果表明薄膜以岛状模式生长,随氩氧比降低,结晶性增强,出现CeO_2和SnO相。此外,利用紫外-可见分光光度计对薄膜的光学性能进行了研究,测试结果表明薄膜对紫外光有极强的吸收作用。当氩氧流量比为3∶1时,紫外光平均透过率仅为5.80%,而可见光平均透过率为81.48%。 展开更多
关键词 磁控反应共溅射 CE Ox-Sn Ox薄膜 氩氧流量比 紫外截止
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