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                题名266 nm紫外弱聚焦激光触发伪火花开关研究
                    被引量:1
            
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                            作者
                                聂少豪
                                孙国祥
                                余锟浩
                                袁琪
                                丁卫东
                                王霞
                
            
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                    机构
                    
                            西安交通大学电工材料电气绝缘全国重点实验室
                    
                
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                出处
                
                
                    《强激光与粒子束》
                    
                            CAS
                            CSCD
                            北大核心
                    
                2024年第11期76-83,共8页
            
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                        基金
                        
                                    国家自然科学基金项目(52377159)。
                        
                    
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                    文摘
                        当前对于光触发伪火花开关的研究主要集中在使用紫外激光触发,触发物理机制普遍认为是光电发射。然而,当紫外弱聚焦激光在低电场环境中照射光电材料(靶材)时,由光电发射产生的种子电子非常有限。为了进一步揭示紫外弱聚焦激光触发物理机制,利用266 nm紫外弱聚焦激光,搭建了开关测试实验平台和种子电子测试实验平台,研究了激光能量、开关电压、气压、靶材料、触发位置对开关触发特性的影响,分析了种子电子的来源和对触发开关的贡献。研究结果表明,在阴极背面孔边缘触发时,光电发射产生的瞬发电子不是种子电子的主要来源,与烧蚀等离子有关的超快电子才是。因此,当在阴极背面孔边缘触发时,密度和熔沸点低,易烧蚀的材料更适合作为紫外弱聚焦激光触发伪火花开关的靶材。经测试,当在阴极背面孔边缘触发,工作电压为−15 kV,气压为80 Pa(氦气)时,以镁为靶材的开关能实现稳定触发导通的最低激光能量为2 mJ,远低于铜(6 mJ)和钼(8 mJ)。此外,在上述相同条件下,激光在开关阴极孔内壁触发时,触发时延和抖动分别为36.9 ns和1.41 ns,远低于在阴极背面孔边缘触发时的时延和抖动(116.4 ns和5.39 ns)。
                        
                    
            
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                    关键词
                    
                            紫外弱聚焦激光
                            伪火花开关
                            触发特性
                            超快电子
                            靶材料
                    
                
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                    Keywords
                    
                            weakly focused ultraviolet laser
                            pseudospark switch
                            trigger characteristics
                            ultrafast electrons
                            target material
                    
                
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                    分类号
                    
                            
                                
                                    TN134
[电子电信—物理电子学]                                
                            
                    
                
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