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MCP成像探测器前端电子学增益补偿
被引量：
1
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作者
窦双团
付利平
+1 位作者
贾楠
王天放
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期1165-1174,共10页
基于微通道板电子倍增电荷分割型阳极的成像探测器常用于行星大气、气辉等微弱信号探测。针对探测器读出电路增益不相等导致探测器成像产生畸变的问题,利用理论分析结合MATLAB仿真揭示了不同畸变图像的形成机制,在该基础上提出了一种探...
基于微通道板电子倍增电荷分割型阳极的成像探测器常用于行星大气、气辉等微弱信号探测。针对探测器读出电路增益不相等导致探测器成像产生畸变的问题,利用理论分析结合MATLAB仿真揭示了不同畸变图像的形成机制,在该基础上提出了一种探测器读出电路增益补偿方法减小探测器成像畸变。通过MATLAB仿真和实验测试结果表明该文提出的方法能够有效减小由于读出电路增益不相等导致的探测器成像畸变。
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关键词
紫外光子探测器
探测器
前端电
子
学
模型和仿真
图像畸变
探测器
增益补偿
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职称材料
p型GaN器件欧姆接触的研究进展
被引量：
2
2
作者
王忆锋
唐利斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2009年第2期69-76,共8页
III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接...
III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接触一直是一个挑战。主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。
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关键词
GAN
欧姆接触
紫外光子探测器
发光二极管
高电
子
迁移率晶体管
异质结场效应晶体管
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职称材料
题名
MCP成像探测器前端电子学增益补偿
被引量：
1
1
作者
窦双团
付利平
贾楠
王天放
机构
中国科学院国家空间科学中心
中国科学院大学
北京天基空间环境探测重点实验室
空间环境态势感知科技重点实验室
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期1165-1174,共10页
基金
国家自然科学基金(42174226,41874187)。
文摘
基于微通道板电子倍增电荷分割型阳极的成像探测器常用于行星大气、气辉等微弱信号探测。针对探测器读出电路增益不相等导致探测器成像产生畸变的问题,利用理论分析结合MATLAB仿真揭示了不同畸变图像的形成机制,在该基础上提出了一种探测器读出电路增益补偿方法减小探测器成像畸变。通过MATLAB仿真和实验测试结果表明该文提出的方法能够有效减小由于读出电路增益不相等导致的探测器成像畸变。
关键词
紫外光子探测器
探测器
前端电
子
学
模型和仿真
图像畸变
探测器
增益补偿
Keywords
ultraviolet photo detector
front-end electronics for detector
models and simulations
image distortion
detector gain compensation
分类号
TN366 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
p型GaN器件欧姆接触的研究进展
被引量：
2
2
作者
王忆锋
唐利斌
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2009年第2期69-76,共8页
文摘
III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因,p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接触一直是一个挑战。主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析,介绍了近年来在改进p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。
关键词
GAN
欧姆接触
紫外光子探测器
发光二极管
高电
子
迁移率晶体管
异质结场效应晶体管
Keywords
GaN： ohmic contact： ultraviolet photodetector： light emitting diode： heterostructure field-effecttransistor： high electron mobility transistor
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MCP成像探测器前端电子学增益补偿
窦双团
付利平
贾楠
王天放
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
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职称材料
2
p型GaN器件欧姆接触的研究进展
王忆锋
唐利斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2009
2
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职称材料
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