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施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)
被引量：
6
1
作者
张立
谢洪鲸
陈传誉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期437-440,共4页
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同...
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。
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关键词
二阶非线性光学极化率
半抛物量子阱
电场强度
光整流系数
紧致密度矩阵方法
数值计算
量子光学
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职称材料
题名
施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)
被引量：
6
1
作者
张立
谢洪鲸
陈传誉
机构
番禺职业技术学院电子与机械系
广州大学物理系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期437-440,共4页
基金
SupportedbyNaturalScienceFoundationofGuangdongProvince
文摘
利用量子力学中的紧致密度矩阵方法 ,研究了施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率 (光整流系数 ) ,得到了此系统的光整流系数的解析表达式 数值计算的结果表明 ,随着电场强度的增加 ,光整流系数几乎线性随之增加 ,而且在同样的电场强度及抛物束缚势频率作用下 ,半抛物量子阱模型中的光整流系数比抛物量子阱模型中的值大一个数量级 。
关键词
二阶非线性光学极化率
半抛物量子阱
电场强度
光整流系数
紧致密度矩阵方法
数值计算
量子光学
Keywords
Second-order nonlinear optical susceptibility
Semi-parabolic quantum well
Density matrix approach
分类号
O431.2 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
施加电场的半抛物量子阱中的二阶非线性光学极化率(英文)
张立
谢洪鲸
陈传誉
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
6
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