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添加纳米SiO_2对Mg-Al-Si-O系陶瓷烧结及介电性能的影响 被引量:5
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作者 支晓洁 彭金辉 +4 位作者 郭胜惠 孟彬 陈菓 李军 吴小方 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第4期419-422,共4页
通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2,采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明:纳米SiO2含量为10~20%时可以有效降低材料的... 通过在分析纯MgO、Al2O3、SiO2原料中添加纳米SiO2,采用直接烧结法在1400℃合成Mg-Al-Si-O系陶瓷材料。系统研究了纳米SiO2含量对Mg-Al-Si-O系陶瓷材料力学和介电性能的影响。实验结果表明:纳米SiO2含量为10~20%时可以有效降低材料的介电常数;含量为30%时可以获得最大体积密度和弯曲强度。 展开更多
关键词 Mg-Al-Si-O系陶瓷 纳米SIO2 介电常数
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耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料的研究(英文) 被引量:1
2
作者 张伟儒 王重海 +2 位作者 李伶 刘建 陈文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期348-352,共5页
本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系,通过气氛压力烧结工艺(Gas Pressure Sintering,GPS)研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响,分析了该材料的显微结构特点及增强机... 本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系,通过气氛压力烧结工艺(Gas Pressure Sintering,GPS)研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响,分析了该材料的显微结构特点及增强机理。实验结果表明:通过控制材料组分和工艺参数的变化,制备的Si-B-O-N系陶瓷透波材料性能良好,弯曲强度:74.7~174.83MPa;介电常数:3.5-4.2;介电损耗:0.5-4.5×10^-3,可满足高性能导弹用陶瓷天线罩对透波材料的要求。 展开更多
关键词 透波材料 Si-B-O-N系陶瓷 介电常数
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复合氧化物掺杂法制备抗还原BCTZ系陶瓷的研究 被引量:1
3
作者 王升 周晓华 +2 位作者 张树人 李波 陈祝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期119-125,共7页
提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺.采用溶胶-凝胶法在500-800℃下合成复合氧化物掺杂剂,此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料,该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的,... 提出了一种制备抗还原BCTZ系陶瓷材料的新工艺.采用溶胶-凝胶法在500-800℃下合成复合氧化物掺杂剂,此掺杂剂与水热法合成的超细(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3粉体混合球磨可得抗还原介质瓷料,该瓷料可在还原性气氛中烧成适用于贱金属电极的,具有高介电常数和低介质损耗的多层陶瓷电容器陶瓷材料.本文讨论了复合氧化物掺杂剂的合成温度、陶瓷烧结温度和退火时间等工艺参数对陶瓷介电性能和微结构的影响.研究表明,在低温下合成的纳米颗粒的复合氧化物掺杂剂(纳米掺杂剂)很适合超细瓷料的掺杂改性.在500-800℃内,复合氧化物掺杂剂的合成温度升高将导致BCTZ系陶瓷的居里点、介质损耗和介电常数最大值的降低.对陶瓷烧结工艺的研究表明,采用此新工艺可获得符合Y5V标准的BCTZ系抗还原介质陶瓷,其室温相对介电常数不小于18000,介质损耗低于0.7%,绝缘电阻率达到1012Ω·cm,居里点在5-20℃之间可调,平均晶粒尺寸GAV小于4μm.该新工艺可望用于大容量Y5V镍内电极多层陶瓷电容器的生产. 展开更多
关键词 多层陶瓷电容器 BCTZ系陶瓷 复合氧化物掺杂剂 溶胶-凝胶法 介电性能 退火处理
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钛酸铋钠系陶瓷的介电热滞现象 被引量:1
4
作者 赵明磊 王春雷 +1 位作者 钟维烈 张沛霖 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期227-229,239,共4页
测量了 (Na0 .5 Bi0 .5 ) Ti O3和 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷从 2 0~ 5 0 0°C的介电温谱。发现 (Na0 .5 Bi0 .5 )Ti O3陶瓷在 15 0~ 35 0°C和 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷在 30~ 30 0°... 测量了 (Na0 .5 Bi0 .5 ) Ti O3和 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷从 2 0~ 5 0 0°C的介电温谱。发现 (Na0 .5 Bi0 .5 )Ti O3陶瓷在 15 0~ 35 0°C和 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷在 30~ 30 0°C的热滞现象。作者认为此热滞现象是该类材料发生缓慢相变过程的外在表现 ,对于 (N a0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti O3陶瓷直至室温附近的热滞现象 ,与其常温下处于三角 -四方准同型相界 (MPB)附近有关 ,而且这一热滞的存在必然影响 (Na0 .5 Bi0 .5 ) 0 .94Ba0 .0 6 Ti 展开更多
关键词 介电常数 热滞 钛酸铋钠系陶瓷 压电陶瓷材料
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ZnO籽晶对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2-Sb_2O_3系陶瓷微观结构和压敏性能的影响 被引量:3
5
作者 徐庆 陈文 袁润章 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期69-72,共4页
研制了添加预制ZnO籽晶的ZnO Bi2 O3 TiO2 Sb2 O3系压敏陶瓷 ,测量了添加不同含量籽晶的ZnO陶瓷的压敏电压 (V1mA)、非线性系数 (α)和漏电流 (IL)等电学性能参数 ,采用XRD和SEM研究了籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构的影响。研究结果表明 ... 研制了添加预制ZnO籽晶的ZnO Bi2 O3 TiO2 Sb2 O3系压敏陶瓷 ,测量了添加不同含量籽晶的ZnO陶瓷的压敏电压 (V1mA)、非线性系数 (α)和漏电流 (IL)等电学性能参数 ,采用XRD和SEM研究了籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构的影响。研究结果表明 ,籽晶的含量对晶粒的生长状况以及Ti4+离子的分布状况都具有显著的影响 ,当ZnO籽晶添加量为 1 0 %时可获得压敏性能最为优化的ZnO陶瓷。 展开更多
关键词 ZnO-Bi2O3-TiO2-Sb2O3系陶瓷 ZnO籽晶 晶粒生长 压敏性能
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TiO_2含量对BaO-Sm_2O_3-TiO_2系陶瓷性能的影响 被引量:1
6
作者 贾杪蕾 李晓云 +1 位作者 丘泰 贾琳蔚 《有色金属》 CSCD 北大核心 2010年第3期19-25,共7页
以BaCO3,Sm2O3,TiO2为原料,制备BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷,运用XRD,SEM和矢量网络分析仪对BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征,研究TiO2含量对材料烧结性能、主晶相生长与微波性能的影响。结果表明,随着x值增... 以BaCO3,Sm2O3,TiO2为原料,制备BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷,运用XRD,SEM和矢量网络分析仪对BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征,研究TiO2含量对材料烧结性能、主晶相生长与微波性能的影响。结果表明,随着x值增加,最佳烧结温度下降,样品的密度降低,BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷微波性能得到改进。当x=4时,主晶相为BaSm2Ti4O12,该样品为单相物质,当x=6时,TiO2以第二相的形式出现在晶相中。 展开更多
关键词 无机非金属材料 BaO-Sm2O3-xTiO2系陶瓷 微波介电性能 类钨青铜结构
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低温合成ZnO-Li_2O-B_2O_3-SiO_2系陶瓷材料 被引量:3
7
作者 王少洪 周和平 陈克新 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期433-438,共6页
采用微晶玻璃工艺,制备出一种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系材料可在900℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频... 采用微晶玻璃工艺,制备出一种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系材料可在900℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频多层片式电感领域. 展开更多
关键词 烧结温度 介电常数 介电损耗 高频MLCI ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料 微晶玻璃工艺 低温合成
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(1-y)Ca_(1-x)La_(2x/3)TiO_3-yCa(Mg_(1/3) Nb_(2/3))O_3系陶瓷的缺位结构与微波介电性能研究 被引量:2
8
作者 王浩 陈文 刘涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期515-518,共4页
采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0... 采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0°C下烧结保温 4小时所得到材料的微波介电性能最佳 :εr=5 5 ,Q×f值 =4 5 0 0 0GHz(7.6GHz下 ) ,τf=0 .0 4× 10 - 6 °C。同时还探讨了三价阳离子La3+ 固溶时产生的A点缺陷VCa2 + 对固溶体结构及微波介电性能的影响。 展开更多
关键词 固相合成法 微波介质陶瓷 复合钙钛矿 介电性能 A位点缺陷 (1-Y)Ca1-xLa2x/3TiO3-yCa(Mg1/3Nb2/3)O3系陶瓷
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KPS-NaHSO_3体系梳型聚羧酸系陶瓷分散剂的合成及性能研究
9
作者 王芳 张力冉 +3 位作者 刘伟 王栋民 李娟 张述雄 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期3045-3050,共6页
以羟基纤维素(HEC)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯磺酸钠(SMAS)为单体,采用水溶液自由基聚合的方法制备了一种梳型阴离子型陶瓷分散剂。通过试验,研究了各反应条件对添加了0.3%(相对于绝干料浆质量)梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸系高效陶瓷分散剂的陶... 以羟基纤维素(HEC)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯磺酸钠(SMAS)为单体,采用水溶液自由基聚合的方法制备了一种梳型阴离子型陶瓷分散剂。通过试验,研究了各反应条件对添加了0.3%(相对于绝干料浆质量)梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸系高效陶瓷分散剂的陶瓷坯体料浆流动时间和厚化度的影响。结果表明,梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸高效陶瓷分散剂最佳合成条件为:HEC的用量为0.05 g,NaHSO3的用量为0.45 g,聚合温度为80℃,聚合时间为2 h。当梳型HEC/AA/SMAS聚羧酸系高效陶瓷分散剂掺量为0.3%(相对于绝干料浆质量)时,陶瓷坯体料浆体系的流出时间降至36.3 s,厚化度降至10.05。 展开更多
关键词 梳型聚羧酸系陶瓷分散剂 厚化度 红外光谱 显微结构
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SrTiO_3-Nd_2O_3系陶瓷的介电频谱研究
10
作者 肖洪地 王成建 马洪磊 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期61-63,共3页
研究SrTiO3-Nd2O3系陶瓷的介电频谱特性。由介电频谱确定了此种陶瓷的介电弛豫频率和介电弛豫时间,并对介电频谱进行了理论分析和讨论。
关键词 SrTiO3-Nd2O3系陶瓷 介电频谱 介电弛豫频率 介电弛豫时间
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La2O3—TiO2系陶瓷物相与介电性能研究
11
作者 向勇 郝建民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期167-169,共3页
固相法合成La2O3-TiO2系陶瓷介质材料,XRD、SEM、EDS分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。La2O3/TiO2比1∶2、2∶19组分可获得极低介质损耗,XRD分析主晶相为La2Ti2... 固相法合成La2O3-TiO2系陶瓷介质材料,XRD、SEM、EDS分析其结构、形貌和成分。高精度电容测量仪测试其介电性能。La2O3/TiO2比1∶2、2∶19组分可获得极低介质损耗,XRD分析主晶相为La2Ti2O7和La4Ti9O24。La2O3/TiO2比1∶3组分可获得La2/3TiO3、La4Ti9O24复相、缺陷型钙钛矿相La2/3TiO3不利于介质损耗降低。EDS分析表明晶界富集Si杂质,有效促进了液相烧结。 展开更多
关键词 La2O3-TiO2系陶瓷 介电性能 微观结构
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Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5系陶瓷介电常数及温度系数的优化
12
作者 任庆利 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期65-69,共5页
研究了Bi2 O3 ZnO Nb2 O5 (BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化 .讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2 对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响 .结果表明 ,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择 ,对... 研究了Bi2 O3 ZnO Nb2 O5 (BZN)系复相区陶瓷介电常数的温度稳定性及其温度系数的优化 .讨论了不同的预烧工艺以及掺杂不同晶型的TiO2 对所得BZN系陶瓷的相组成以及介电性能的影响 .结果表明 ,预烧工艺中合理的预烧升温速率的选择 ,对其介电常数的温度稳定性有决定性影响 ,锐钛型TiO2 的掺杂可优化温度系数 ,得到介电性能优异的BZN陶瓷 . 展开更多
关键词 焦绿石结构 BZN系陶瓷 介电常数 温度
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工艺对SrTiO_3-MgTiO_3-Bi_2O_3·nTiO_2系陶瓷结构和性能的影响 被引量:2
13
作者 陈维 刘斌 +2 位作者 张守斌 王冲 陈寿田 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期1-5,22,共6页
研究了SrTiO3-MgTiO3-Bi2O3nTiO2系陶瓷的初始原料及合成工艺对材料结构和性能的影响.研究表明,采用不同初始原料和合成工艺制成的材料的结构和性能差别很大.以SrTiO3、碱式碳酸镁、TiO2为初始原... 研究了SrTiO3-MgTiO3-Bi2O3nTiO2系陶瓷的初始原料及合成工艺对材料结构和性能的影响.研究表明,采用不同初始原料和合成工艺制成的材料的结构和性能差别很大.以SrTiO3、碱式碳酸镁、TiO2为初始原料以及经过预先合成烧块的工艺,有利于Mg2+和Bi3+在SrTiO3晶格中发生电价补偿置换,促进Bi2O3nTiO2在SrTiO3中的固溶,并可获得充分烧结的。 展开更多
关键词 合成工艺 陶瓷电容器 显微结构 钛酸锶铋系陶瓷
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BTNT系陶瓷的微波特性研究
14
作者 田宏敏 谢道华 +2 位作者 张昊 刑晓东 高伟 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第5期392-394,共3页
研究了 Ba O- Ti O2 - Nd2 O3- Ta2 O5(BTNT)系陶瓷材料的结构和微波特性。实验结果证明 :五种组分的BTNT系材料具有钨青铜结构 ,用此类材料研制的微波单片陶瓷电容器 (SL C)具有良好的高频和微波特性。
关键词 BTNT系陶瓷 微波特性 微波单片陶瓷电容器 等效串联电阻 钨青铜结构 SLC
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非氧化物系陶瓷复合材料的开发动向
15
作者 杨琪 《现代科技译丛(哈尔滨)》 2003年第4期3-4,共2页
1.开发背景 氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧氮化铝、赛隆(Sialon)等非氧化物系陶瓷,由于耐热性、耐腐蚀性优异,正被应用于众多工业领域.此外,这类陶瓷材料分散了六方晶氮化硼的复合材料,由于耐腐蚀性、耐热性、耐热冲击性等综合机械性质进... 1.开发背景 氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧氮化铝、赛隆(Sialon)等非氧化物系陶瓷,由于耐热性、耐腐蚀性优异,正被应用于众多工业领域.此外,这类陶瓷材料分散了六方晶氮化硼的复合材料,由于耐腐蚀性、耐热性、耐热冲击性等综合机械性质进一步提高,所以,可望应用于钢铁工业等方面. 展开更多
关键词 非氧化物系陶瓷复合材料 合成反应 烧结工艺 SiC-BN 氮化硼 碳化硅 气孔率
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基于两步烧结改善ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷性能研究
16
作者 周利斌 刘远 +3 位作者 陈红霖 苟晨源 曹文斌 刘建科 《陕西科技大学学报》 北大核心 2025年第2期149-155,162,共8页
采用两步烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷,通过单一变量法控制烧结过程中烧结温度T_(1)、T_(2)和保温时间t_(1)、t_(2)来改善压敏陶瓷性能.研究结果表明,平均晶粒尺寸d随着T_(1)的增大而增大,漏电流密度J_(L)随着T_(2)的增大而减小... 采用两步烧结法制备ZnO-Bi_(2)O_(3)系压敏陶瓷,通过单一变量法控制烧结过程中烧结温度T_(1)、T_(2)和保温时间t_(1)、t_(2)来改善压敏陶瓷性能.研究结果表明,平均晶粒尺寸d随着T_(1)的增大而增大,漏电流密度J_(L)随着T_(2)的增大而减小;t_(1)增大会使压敏陶瓷本征缺陷锌间隙和氧空位的数量增大,t_(2)时间过长会抑制锌间隙的生成;所有样品在低频时的损耗比高频时小很多;样品的击穿场强E_(1mA)与d的变化规律相反;非线性系数α与漏电流密度J_(L)的变化规律相反.当T_(1)为950℃,t_(1)达到30min,T_(2)为925℃,t_(2)达到45 min时,α为最大值67.91,J_(L)为最小值0.48μA/cm^(2),E_(1mA)为最大值477.32 V/mm.本研究对提升ZnO压敏陶瓷性能有重要意义. 展开更多
关键词 ZNO ZnO-Bi_(2)O_(3)压敏陶瓷 两步烧结
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Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料研究进展 被引量:4
17
作者 贾德昌 张鹏飞 +3 位作者 杨治华 叶丹 孙振淋 周玉 《中国材料进展》 CAS CSCD 2011年第1期5-11,25,共8页
Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料微观结构独特,高温性能优良,在高温结构材料与航天防热领域表现出诱人的应用前景。从Si-B(Al)-C-N系陶瓷的主要制备方法与工艺特点,典型的组织特征和高温性能,以及Si-B(Al)-C-N基复合材料的性能特点等... Si-B(Al)-C-N系非晶和纳米陶瓷材料微观结构独特,高温性能优良,在高温结构材料与航天防热领域表现出诱人的应用前景。从Si-B(Al)-C-N系陶瓷的主要制备方法与工艺特点,典型的组织特征和高温性能,以及Si-B(Al)-C-N基复合材料的性能特点等几方面,综述了该系陶瓷材料的研究现状,展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 Si—B(Al)-C—N系陶瓷 非晶态 纳米陶瓷 抗氧化性 高温蠕变 复合材料
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SiO_2-MgO-Al_2O_3-F系玻璃陶瓷的析晶 被引量:3
18
作者 田清波 翟玉春 +2 位作者 王修慧 田丁 高宏 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期66-68,88,共4页
本文应用TEM ,XRD和EDAX等技术 ,系统研究了SiO2 MgO Al2 O3 F系玻璃陶瓷的析晶过程。结果表明 :在玻璃熔体的冷却过程中 ,由于弛豫作用而形成晶核 ,在随后的热处理过程中 ,中间相Mg2 FBO3 和KAlSiO4 以此核为中心析出 ;氟的存在促进... 本文应用TEM ,XRD和EDAX等技术 ,系统研究了SiO2 MgO Al2 O3 F系玻璃陶瓷的析晶过程。结果表明 :在玻璃熔体的冷却过程中 ,由于弛豫作用而形成晶核 ,在随后的热处理过程中 ,中间相Mg2 FBO3 和KAlSiO4 以此核为中心析出 ;氟的存在促进了晶体的整体析出 。 展开更多
关键词 玻璃陶瓷 形核 析晶 二氧化硅 氧化镁 系陶瓷 氧化铝
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稀土掺杂钛酸钡系电子陶瓷的交流阻抗谱研究 被引量:1
19
作者 翟学良 赵海燕 贾密英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1271-1274,1277,共5页
用溶胶凝胶法制备了镧、铈、镨和钍等稀土掺杂的钛酸钡粉体,用传统制陶方法将粉体压片、烧陶、被银,用交流阻抗谱法测试其电学性质.通过对稀土掺杂钛酸钡系陶瓷的阻抗谱的拟和分析,找出了表征介电性能从绝缘体过渡到半导体的四个不同的... 用溶胶凝胶法制备了镧、铈、镨和钍等稀土掺杂的钛酸钡粉体,用传统制陶方法将粉体压片、烧陶、被银,用交流阻抗谱法测试其电学性质.通过对稀土掺杂钛酸钡系陶瓷的阻抗谱的拟和分析,找出了表征介电性能从绝缘体过渡到半导体的四个不同的等效电路,对稀土掺杂钛酸钡陶瓷的晶界电阻、晶粒电阻和极化能力由于不同含量、不同稀土元素的掺入而引起的变化做了系统分析. 展开更多
关键词 稀土 掺杂 钛酸钡系陶瓷 交流阻抗 拟和 等效电路
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用于深油井超声探测换能器的PT-PSN系压电陶瓷 被引量:1
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作者 肖鸣山 张承琚 +1 位作者 王成建 兰建胜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第1期72-74,共3页
如果在PbTiO3(PT)粉末中添加适量的Pb(Sn1/3Nb2/3)O3(PSN)粉末,可以制成高温PT-PSN系陶瓷,并可以把此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器。本文主要报导PT-PSN系压电陶瓷的制备工艺、性... 如果在PbTiO3(PT)粉末中添加适量的Pb(Sn1/3Nb2/3)O3(PSN)粉末,可以制成高温PT-PSN系陶瓷,并可以把此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器。本文主要报导PT-PSN系压电陶瓷的制备工艺、性能参数和试验结果。 展开更多
关键词 PT-PSN系陶瓷 超声探测换能器 压电陶瓷
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