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杂质和粗糙界面散射影响下NIS结的隧道谱和束缚态: 1; 作者魏健文《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-83,共5页; 在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导.计算表明:(1)电导峰的位置与绝缘层的厚度密切相关,当绝... 展开更多; 关键词 NIS结杂质散射粗糙界面散射隧道谱束缚态; 在线阅读下载PDF 职称材料

海底声散射特性进展及展望: 2; 作者郑毅秦志亮 +3 位作者于盛齐马本俊赵吉祥刘梦婷《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期748-757,共10页; 为了对海底声散射特性进行系统分析和规律总结,本文梳理了国内外有关海底声散射特性的研究进展。介绍了海底声散射的基本概念,并对界面粗糙散射及沉积物体积散射的理论模型进行了总结;从高频(>10 kHz)和中频(1~10 kHz)2个方面阐述了... 展开更多; 关键词声散射特性声散射理论粗糙界面散射体积散射高频中频声散射实验宽掠射角; 在线阅读下载PDF 职称材料

ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运性质研究: 3; 作者白雅楠吕燕伍《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期441-449,共9页; Ga_(2)O_(3)是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景。前期研究以β-Ga_(2)O_(3)为主,并且已经对β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/Ga_(2)O_(3)异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(A... 展开更多; 关键词 2DEG浓度电子迁移率 ε-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)/ε-Ga_(2)O_(3)异质结合金无序散射界面粗糙度散射极性光学声子散射; 在线阅读下载PDF 职称材料