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籽晶辅助化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列 被引量:4
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作者 潘景伟 马向阳 +1 位作者 张辉 杨德仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1304-1308,共5页
采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液... 采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液中Zn源的初始浓度等对ZnO纳米棒阵列生长的影响,由此得到了结晶性好且几乎垂直于衬底方向的ZnO纳米棒阵列的生长条件,为制备基于ZnO纳米棒阵列的器件提供了条件。 展开更多
关键词 ZNO 纳米阵列 籽晶辅助化学水浴沉积法 扫描电子显微镜 X射线衍射
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化学水浴沉积法制备太阳能电池用CdS薄膜及其性能研究
2
作者 郭小杰 成宇飞 《功能材料》 北大核心 2025年第9期9147-9154,共8页
基于化学水浴沉积法在氯化镉、硫脲和氨水的溶液体系中制备出硫化镉(CdS)薄膜,通过XRD、UV-Vis、SEM、EDS和XPS等表征手段研究了沉积温度对CdS薄膜物相结构、微观形貌和光学性能的影响,并以该薄膜为基础组装了薄膜太阳能电池,探究了不... 基于化学水浴沉积法在氯化镉、硫脲和氨水的溶液体系中制备出硫化镉(CdS)薄膜,通过XRD、UV-Vis、SEM、EDS和XPS等表征手段研究了沉积温度对CdS薄膜物相结构、微观形貌和光学性能的影响,并以该薄膜为基础组装了薄膜太阳能电池,探究了不同沉积温度下CdS薄膜对电池器件光伏性能的影响。结果表明,制备的CdS薄膜为六方纤锌矿结构,CdS的结晶度较高,Cd和S分别以+2价和-2价的稳定态存在。70℃沉积的CdS薄膜在320~520 nm范围内表现出最强的光吸收,其晶粒尺寸分布均匀、结构紧密堆积,呈现出柱状生长模式。70℃沉积的CdS薄膜界面具有高效的电荷分离与收集能力,组装的薄膜太阳能电池具有最优的光伏性能,其平均V oc、J sc、FF和PCE均达到了最大值,分别为383.5 mV、29.75 mA/cm^(2)、54.92%和6.6%。当沉积温度升高至80℃时,CdS薄膜的界面复合损失加剧,结晶度变差,对应的薄膜太阳能电池的光伏性能下降。因此,70℃是CdS薄膜沉积温度优化的临界点。 展开更多
关键词 化学水浴沉积 CDS薄膜 太阳能电池 微观形貌 光伏性能
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热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS_2薄膜的影响 被引量:3
3
作者 汤会香 严密 +1 位作者 张辉 杨德仁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期363-366,共4页
采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高... 采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。 展开更多
关键词 CuInS2薄膜 化学水浴沉积 热处理
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高分子辅助化学溶液沉积法制备La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/Si薄膜及电磁输运研究 被引量:1
4
作者 刘其娅 张敏 宋婷婷 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第4期621-626,共6页
利用高分子辅助化学溶液沉积法在Si(100)衬底上外延生长La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜。并利用X射线衍射仪结果、扫描电子显微镜结果和电阻率-温度曲线(ρ-T曲线)结果、磁电阻(MR)曲线结果对其晶体结构、表面形貌和电磁输运机制进行了研究... 利用高分子辅助化学溶液沉积法在Si(100)衬底上外延生长La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜。并利用X射线衍射仪结果、扫描电子显微镜结果和电阻率-温度曲线(ρ-T曲线)结果、磁电阻(MR)曲线结果对其晶体结构、表面形貌和电磁输运机制进行了研究。结果显示实验制备的La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜为赝立方钙钛矿多晶结构,薄膜表面均匀平滑,结晶性好,晶粒尺寸约为50~70 nm。随着温度降低,薄膜电输运机制从绝缘体行为向转变金属导电行为。金属绝缘转变转变点温度(T_(MI))随磁场的增加而升高,在0 T和1 T分别为T_(MI)=238K、246 K。电输运测试结果说明,低温(T<T_(MI))时,电子-电子的散射对薄膜的电导性能起主导作用,高温(T>T_(MI))时薄膜按照绝热近似的小极化子输运。 展开更多
关键词 La0.7Sr0.3Mn O3薄膜 高分子辅助化学溶液沉积 电磁输运性质
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高分子辅助化学溶液沉积法制备高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层的研究
5
作者 张欣 王文涛 +4 位作者 张敏 张勇 张酣 雷鸣 赵勇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期1854-1857,共4页
采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整... 采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整致密,无裂纹存在,并具有优异的双轴织构。通过台阶仪测试该BZO缓冲层的膜厚,结果显示膜厚超过250nm。 展开更多
关键词 高分子辅助 化学溶液沉积 涂层导体 BaZrO3缓冲层
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双源气溶胶辅助化学气相沉积制备AZO薄膜 被引量:3
6
作者 秦秀娟 王晓娟 +2 位作者 张丽茜 王丽欣 柳林杰 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期158-164,共7页
采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACV... 采用双源气溶胶辅助化学气相沉积法制备了Al掺杂Zn O薄膜。研究了不同的乙醇和甲醇溶液比例对AZO薄膜各种性能的影响。通过紫外-可见光吸收光谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射对薄膜性能进行表征。结果表明通过使用双源AACVD法可以获得具有明显(002)择优取向AZO薄膜,并且在15 m L乙醇和20 m L甲醇时具有最佳的结晶性能,同时具有最优的光电学性能。不同乙醇和甲醇比例下薄膜的形貌不同。 展开更多
关键词 气溶胶辅助化学气相沉积 掺杂 AZO薄膜
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化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究 被引量:1
7
作者 詹红 李建康 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期120-123,共4页
基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火... 基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60min。 展开更多
关键词 化学水浴沉积 太阳能电池 硫化镉薄膜 退火 结晶
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水浴法制备CdS薄膜产生的本征缺陷对光电学性质的影响
8
作者 徐娜 陈哲 +1 位作者 索忠源 谭乃迪 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期111-116,共6页
采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质... 采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS随CdSO_4浓度的降低而逐渐减少。同时,VS缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率。根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致。 展开更多
关键词 本征缺陷 CDS薄膜 化学水浴沉积 电学性质 光学性质
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GPCVD法低温合成纳米金刚石薄膜 被引量:1
9
作者 葛大勇 赵庆勋 +1 位作者 杨保柱 何雷 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第8期22-24,共3页
为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,... 为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理。对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析。结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40~90 nm,Raman光谱在1 331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰。XRD谱在2θ=43.907、5.30处出现了金刚石的(111)(、220)特征衍射峰。实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6%;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1 100~1 300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)(、111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1 300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长。 展开更多
关键词 纳米 金刚石薄膜 辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积
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CdS薄膜中“白斑”的研究 被引量:3
10
作者 薛玉明 孙云 +4 位作者 周志强 孟广保 汲明亮 郑贵波 李长键 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期620-623,共4页
本论文对CdS薄膜中的“白斑”进行了研究。化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等。文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵。所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表... 本论文对CdS薄膜中的“白斑”进行了研究。化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等。文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵。所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表征,成分由EDX表征。当镉盐和铵盐分别采用氯化镉和氯化铵时,生成的薄膜中存在大量的“白斑”。这些“白斑”的成分不是CdS,而是(CdCl)2S。增加氨水的浓度可以大大减少这些“白斑”,但是不能彻底消除这些“白斑”。当镉盐和铵盐分别采用乙酸镉和乙酸铵时,生成的薄膜均匀、平整,薄膜中根本就不存在所谓的“白斑”。因此,沉积CdS薄膜时,镉盐和铵盐不宜采用氯化镉和氯化铵,应该采用乙酸镉和乙酸铵。 展开更多
关键词 化学水浴沉积 CDS 白斑
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枝状ZnO-TiO_2复合纳米棒阵列的制备及表征 被引量:3
11
作者 王璟 丁雨田 +2 位作者 胡勇 张杨 董小丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期731-736,共6页
采用化学水浴沉积法,在预制晶种层的基底上得到垂直底面生长的有序ZnO纳米棒阵列,再用反应磁控溅射方法,沉积制备ZnO-TiO2复合结构的纳米棒阵列。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备得到的样品进行结构和形貌表征,研究了晶... 采用化学水浴沉积法,在预制晶种层的基底上得到垂直底面生长的有序ZnO纳米棒阵列,再用反应磁控溅射方法,沉积制备ZnO-TiO2复合结构的纳米棒阵列。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备得到的样品进行结构和形貌表征,研究了晶种层、水浴生长液浓度和磁控溅射氧氩比对复合纳米阵列的影响。制备得到了具有TiO2分枝的复合纳米棒阵列,并初步探讨了TiO2分枝的形成机理,为制备基于复合纳米棒阵列的器件提供了条件。 展开更多
关键词 ZNO 化学水浴沉积 纳米阵列 TIO2 反应磁控溅射
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石墨衬底上具有(220)/(400)择优取向多晶硅薄膜的制备及性质(英文) 被引量:3
12
作者 辛雅焜 陈诺夫 +6 位作者 吴强 白一鸣 陈吉堃 何海洋 李宁 黄添懋 施辉伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期4153-4158,共6页
在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜。首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先制备Zn O过渡层,再在Zn O过渡层上制备非晶硅薄膜层;然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化,使其形成多晶硅... 在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜。首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先制备Zn O过渡层,再在Zn O过渡层上制备非晶硅薄膜层;然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化,使其形成多晶硅薄膜籽晶层。XRD测试表明,未引入Zn O过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向,而引入Zn O过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向;最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(Co CVD)制备多晶硅薄膜。根据SEM、XRD、拉曼测试表明,多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质,未引入Zn O过渡层的样品,具有高度(220)择优取向。引入Zn O过渡层后的样品,具有高度(400)择优取向,(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作。同时对Si(220)和Si(400)择优取向的形成原因做了初步分析。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 石墨衬底 籽晶 氧化锌 择优取向 对流辅助化学气相沉积
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脉冲辉光PECVD制备DLC薄膜的结构和性能研究 被引量:6
13
作者 苟伟 李剑锋 +2 位作者 楚信谱 张礼平 李国卿 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期33-37,共5页
类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压... 类金刚石碳膜以其优异的性能,诸如高电阻率、高硬度、低摩擦系数、良好的光学特性等显示出良好的应用前景,越来越受到人们的关注。本文利用脉冲辉光PECVD在不同的脉冲电压下成功地制备了DLC薄膜。采用拉曼光谱仪、原子力显微镜、纳米压痕仪等设备对薄膜的相结构、表面形貌和力学性能进行了综合分析。 展开更多
关键词 脉冲放电 等离子体辅助化学气相沉积 类金刚石碳膜 RAMAN光谱 表面形貌
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对低温下制得的CdS薄膜电学性质的研究 被引量:2
14
作者 陈婷婷 王瑞林 +3 位作者 姜春萍 赵北君 朱世富 王育伟 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-748,共3页
采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合... 采用化学水浴沉积法研究在低温条件下以及硫尿浓度不同的溶液中生长出的硫化镉薄膜的电学性质。采用X-射线衍射(XRD)仪确定退火后的样品是六方相,在(002)、(112)和(004)方向优势生长;使用紫外-可见分光光度计发现各样品的光学性质符合硫化镉作为窗口材料的要求;利用原子力显微镜发现各样品的晶粒形状、均匀性和致密性差异较大;利用化学工作站进行样品的电容-电压测试发现,各样品的掺杂浓度差异很大,其中有的样品掺杂浓度为1.2×1017cm-3,这样的掺杂浓度适合制造光电器件。 展开更多
关键词 CDS薄膜 化学水浴沉积(CBD) 电容-电压测试
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ZnO基紫外探测器的制作与研究 被引量:7
15
作者 杨晓天 刘博阳 +7 位作者 马艳 赵佰军 张源涛 杨天鹏 杨洪军 李万程 刘大力 杜国同 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期156-158,共3页
利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-... 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。 展开更多
关键词 等离子体辅助金属有机化学气相沉积 氧化锌薄膜 紫外探测器 半导体材料 禁带宽度
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硅纳米线的制备与生长机理 被引量:9
16
作者 裴立宅 唐元洪 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期922-928,共7页
硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料。本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展 ,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气 液 固机理的生长机理、氧化物辅... 硅纳米线是一种新型的一维半导体光电材料。本文较系统地介绍了硅纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展 ,主要就激光烧蚀法、化学气相沉积法、热气相沉积法及溶液法等制备方法和基于气 液 固机理的生长机理、氧化物辅助生长机理及固 液 固生长机理等作了较为详尽的论述。 展开更多
关键词 纳米线 生长机理 氧化物辅助生长 激光烧蚀 化学气相沉积 制备方 制备技术 溶液 新型 气-液-固
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氢气流量对金刚石膜生长的影响研究
17
作者 杨广亮 王立秋 +1 位作者 吕宪义 金曾孙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1735-1737,共3页
研究了电子辅助热灯丝法生长金刚石厚膜过程中氢气流量对沉积速度和膜品质的影响 .随氢气流量从 1 0 0增加到 75 0 cm3/min,金刚石膜的沉积速率单调上升 ,但金刚石膜品质不断下降 ,从 75 0到 1 0 0 0cm3/min,金刚石膜沉积速率下降 ,但... 研究了电子辅助热灯丝法生长金刚石厚膜过程中氢气流量对沉积速度和膜品质的影响 .随氢气流量从 1 0 0增加到 75 0 cm3/min,金刚石膜的沉积速率单调上升 ,但金刚石膜品质不断下降 ,从 75 0到 1 0 0 0cm3/min,金刚石膜沉积速率下降 ,但金刚石膜品质随氢气流量增加而提高 .拉曼光谱和电子顺磁共振谱研究发现 ,在所制备的金刚石膜中含有替代形式的氮 ,氮含量随氢气流量的增加而减小 ,1 0 0 0 cm3/min流量下沉积的金刚石膜的含氮量仅为 1 0 0 cm3/min流量下沉积的金刚石膜的 1 /4 0 . 展开更多
关键词 氢气流量 金刚石膜 顺磁氮 顺磁共振 薄膜生长 电子辅助热灯丝 化学气相沉积
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松枝状纳米结构钴的制备
18
作者 李云 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2009年第5期44-47,共4页
采用表面活性剂十二烷基苯磺酸钠,利用低温热还原沉降法获得了松枝状钠米结构钴,研究了反应时间及反应物摩尔比与产物形貌的关系。通过SEM、EDX、XRD分析所获得的纳米结构Co为形貌均一的薄片状松枝状结构,长约10~15nm,厚约200nm。
关键词 松枝状纳米结构钴 低温化学沉积 表面活性剂辅助
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纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文) 被引量:1
19
作者 胡广 王林军 +4 位作者 祝雪丰 刘建民 黄健 徐金勇 夏义本 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期548-552,共5页
由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜... 由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。 展开更多
关键词 纳米金刚石 光学性质 表面粗糙度 偏压增强成核-热丝辅助化学气相沉积
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薄膜材料与器件
20
《中国光学》 EI CAS 2000年第1期71-72,共2页
O484.1 2000010458激光辅助化学气相沉积金刚石薄膜实验研究=Synthesisof diamond films by laser-assistedchemical vapour deposition[刊,中]/任德明,胡孝勇,刘逢梅,赵景山,王楠楠,马祖光(哈尔滨工业大学光电子技术研究所.黑龙江,哈... O484.1 2000010458激光辅助化学气相沉积金刚石薄膜实验研究=Synthesisof diamond films by laser-assistedchemical vapour deposition[刊,中]/任德明,胡孝勇,刘逢梅,赵景山,王楠楠,马祖光(哈尔滨工业大学光电子技术研究所.黑龙江,哈尔滨(150001))//光电子·激光.—1998,9(6).—446-449采用激光辅助化学气相沉积法合成了厚度为15μm的金刚石薄膜。实验结果表明:以丙酮为碳源气体,并用XeCl(308 nm)准分子激光解离,H<sub>2</sub>用灯丝进行预先解离,适当选择和控制各种实验参数,可获得高质量的金刚石薄膜。还讨论了衬底温度以及灯丝温度等实验参数对薄膜生长速率与薄膜质量的影响。图9表1参8(郑锦玉)O484.2 2000010459离化团束沉积中的分子动力学模拟=Molecular dynamicssimulation in ionized clusterbeams deposition[刊,中]/张豪,夏宗宁(清华大学材料科学与工程系.北京(100084))//人工晶体学报.—1998,27(4). 展开更多
关键词 化学气相沉积金刚石薄膜 分子动力学模拟 薄膜材料 化学气相沉积 激光辅助 人工晶体 离化团束沉积 实验参数 实验研究 激光解离
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