氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量 被引量：9

1

作者 赵凤岐 萨茹拉 乌仁图雅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期719-722,共4页

采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/A lxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系。研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1 s→2p&#... 采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/A lxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物理量随抛物量子阱宽度变化的函数关系。研究结果表明,基态能量、第一激发态能量、基态结合能和1 s→2p±跃迁能量随着阱宽L的增大而减小,最后接近于GaN中3D值。GaN/A l0.3Ga0.7N抛物量子阱对杂质态的束缚程度比GaAs/A l0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/A l0.3-Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/A l0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定。 展开更多

关键词 氮化物抛物量子阱 类氢杂质态 结合能

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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响 被引量：2

2

作者 戴宪起 郑冬梅 黄凤珍 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期38-42,共5页

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应,研究类氢杂质对GaN/AlxGa1-xN量子点中激子态的影响.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的结合能升高,基态能降低,QD系统的稳定性增强,发光波长红移.杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定.随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小,带间发光蓝移. 展开更多

关键词 类氢杂质 量子点 自发极化和压电极化 激子结合能 发光波长

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闪锌矿GaN量子点中类氢杂质态的束缚能 被引量：4

3

作者 楚兴丽 张莹 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期173-176,共4页

在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值... 在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(量子点高度H、半径R及Al含量x)对施主束缚能有很大的影响.当杂质位于量子点中心时,施主束缚能E_b有最大值.此外,施主束缚能E_b随着量子点高度H(半径R)的增大而减小,随着量子点中Al含量x的增大而增大. 展开更多

关键词 量子点 类氢杂质态 施主 束缚能

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GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能 被引量：5

4

作者 郑冬梅 戴宪起 《贵州师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第1期64-68,共5页

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合... 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/A lxGa1-xN柱形量子点中类氢杂质的结合能随量子点高度、A l含量和杂质位置的变化规律。结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质结合能随量子点高度的增加先增大后减小,存在最大值;随着A l含量的增加,杂质结合能增大。而杂质从量子点下界面沿Z轴上移至上界面时,杂质结合能先增大后减小,存在最大值。 展开更多

关键词 类氢杂质 GaN/Alx Ga1-xN量子点 结合能

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量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响 被引量：1

5

作者 蒋逢春 苏玉玲 李俊玉 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 2012年第2期102-104,共3页

在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的施主束缚能在很大程度上依赖于杂质位置和量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大;当量... 在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的施主束缚能在很大程度上依赖于杂质位置和量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大;当量子点尺寸增加时,位于该量子点任一位置处的杂质束缚能均降低. 展开更多

关键词 INGAN/GAN 量子点 类氢杂质态 变分法 量子尺寸效应 束缚能

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闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态

6

作者 楚兴丽 王艳文 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期43-45,共3页

在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增... 在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增加,杂质束缚能保持着先增加,然后不变的趋势. 展开更多

关键词 耦合量子点 类氢杂质态 施主 束缚能

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类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN和GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中束缚激子态的影响 被引量：1

7

作者 赵玉岭 戴宪起 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2009年第4期53-57,共5页

在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在Q... 在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在QD中激子的基态能降低,激子态的稳定性增强,在较高的温度下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰,发光波长增大.而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的基态能降低,杂质可能使在更高温度下观察到GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子,发光波长增大.研究发现类氢施主杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子基态能增加,激子的解离温度下降,发光波长减小. 展开更多

关键词 类氢施主杂质 量子点 束缚激子 激子基态能 发光波长

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含类氢杂质的量子点的基态能

8

作者 王正茂 周义昌 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第6期49-52,共4页

用Ｐｅｋｅｒ－Ｌａｎｄａｕ变分法计算了含类氢杂质的量子点基态能，发现外磁场、量子点固有禁闭势、电子杂质相互作用、电声子相互作用对量子点基态能都有影响。

关键词 量子点 类氢杂质 电声子相互作用

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磁场对量子阱中类氢杂质性质的影响

9

作者 赵培基 李双九 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1990年第3期14-19,共6页

本文在弱场极限下应用微扰变分法,在强场极限下应用绝热微扰法,计算了位于,量子阱中心的一个类氢杂质在磁场中基态的束缚能和电子跃迁能量。结果表明:电子的基态束缚能随磁场的增加或量子阱宽的减小而增大;电子跃迁能量随量子阱宽的减... 本文在弱场极限下应用微扰变分法,在强场极限下应用绝热微扰法,计算了位于,量子阱中心的一个类氢杂质在磁场中基态的束缚能和电子跃迁能量。结果表明:电子的基态束缚能随磁场的增加或量子阱宽的减小而增大;电子跃迁能量随量子阱宽的减小而变大;在强场极限和弱场极限下,电子跃迁能量随磁场变化的规律不同。在强场极限下,电子跃迁能随磁场的增加变大。在弱场极限下,当电子初态有横向激发,末态是基态时,跃迁能量随磁场的增加变大;当电子初态只有纵向激发,末态有横向激发时,跃迁能量随磁场的增加变小,当电子初态与末态横向激发的程度相同时,跃迁能量不随磁场变化。 展开更多

关键词 磁场 类氢杂质 量子阱

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纤锌矿GaN柱形量子点中类氢施主杂质态 被引量：5

10

作者 郑冬梅 王宗篪 肖荣辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期628-634,共7页

在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(QD)尺寸以及杂质在量子点中位置的变化,并与以前使用不同尝试波函数的计算结果进行了比较... 在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1-xN单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(QD)尺寸以及杂质在量子点中位置的变化,并与以前使用不同尝试波函数的计算结果进行了比较。结果表明:由我们选取的两变分参数波函数得到的结果与前人选取的两变分参数波函数得到的结果相比有所改进,而与选取一个变分参数波函数得到的结果一致。同时我们还计算了体系的维里定理值随量子点半径的变化情况,所得结果与前人工作结果一致,说明本文选取的两变分参数波函数能很好地描述柱形量子点中施主杂质态的运动。 展开更多

关键词 柱形量子点 类氢施主杂质 内建电场 维里定理值

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应变纤锌矿GaN/Al_χGa_(1-χ)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能的压力效应 被引量：1

11

作者 郑冬梅 王宗篪 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期708-716,共9页

考虑应变,在有效质量、有限高势垒近似下,变分研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随流体静压力、杂质位置及量子点结构参数(量子点高度、半径、Al含量)的变化关系.结果表明,类氢施主杂质态结合能随流体静... 考虑应变,在有效质量、有限高势垒近似下,变分研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随流体静压力、杂质位置及量子点结构参数(量子点高度、半径、Al含量)的变化关系.结果表明,类氢施主杂质态结合能随流体静压力增大而增大,且在量子点尺寸较小时,流体静压力对杂质态结合能的影响更为显著.受流体静压力的影响,杂质态结合能随量子点高度、半径的增加而单调减少,且变化趋势加剧;随A1含量增加而增大的趋势变缓.无论是否施加流体静压力,随着类氢施主杂质从量子点左界面沿材料生长方向移至右界面,杂质态结合能在量子点的右半部分存在一极大值.流体静压力使得极大值点向量子点中心偏移. 展开更多

关键词 量子点 类氢施主杂质 结合能 流体静压力

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III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响 被引量：1

12

作者 郑冬梅 戴宪起 《贵州师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第1期48-51,67,共5页

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN... 在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/A lxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/A lxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。 展开更多

关键词 类氢施主杂质 量子点 束缚激子 激子结合能

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半导体量子点中杂质结合能的理论研究

13

作者 魏国柱 李媛 +1 位作者 公卫江 范爽 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1210-1212,1216,共4页

利用一维有限差分法,计算了一个圆柱形量子点中杂质基态的结合能,研究了电场、磁场和杂质位置对结合能的影响.当杂质位于量子点中心时,结合能随着电场和有效半径的增加而减小;当杂质位于过量子点中心且垂直于轴线的平面上时,结合能随杂... 利用一维有限差分法,计算了一个圆柱形量子点中杂质基态的结合能,研究了电场、磁场和杂质位置对结合能的影响.当杂质位于量子点中心时,结合能随着电场和有效半径的增加而减小;当杂质位于过量子点中心且垂直于轴线的平面上时,结合能随杂质位置远离中心的变化呈对称变化;当杂质位于z轴上时,在电场的作用下这种对称性消失. 展开更多

关键词 量子点 类氢杂质 电场 磁场 结合能 有限差分法

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纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N应变柱形量子点中杂质态结合能及其压力效应 被引量：3

14

作者 张文强 闫祖威 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期115-121,共7页

考虑应变及流体静压力,在有效质量近似下,利用变分法计算了无限高GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质结合能。结果表明,在量子点尺寸较小情况下,应变增加了杂质态结合能;而在量子点尺寸较大情况下,应变降低了杂质态结合能。随着Al... 考虑应变及流体静压力,在有效质量近似下,利用变分法计算了无限高GaN/AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质结合能。结果表明,在量子点尺寸较小情况下,应变增加了杂质态结合能;而在量子点尺寸较大情况下,应变降低了杂质态结合能。随着Al摩尔分数的增加,杂质态结合能减小。杂质态结合能随着流体静压力的增加而增大,在量子点尺寸较小的情况下,流体静压力对杂质态结合能的影响更明显。 展开更多

关键词 量子点 类氢杂质 应变 流体静压力

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