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通过TRL校准提取管芯S参数的技术
被引量:
5
1
作者
董四华
刘英坤
+1 位作者
冯彬
孙艳玲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期174-177,共4页
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数。此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较...
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数。此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数。实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件。
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关键词
TRL校准
管芯s参数
仿真
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职称材料
题名
通过TRL校准提取管芯S参数的技术
被引量:
5
1
作者
董四华
刘英坤
冯彬
孙艳玲
机构
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期174-177,共4页
文摘
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数。此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数。实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件。
关键词
TRL校准
管芯s参数
仿真
Keywords
TRL calibration
chip
s
- parameter
s
s
imilation
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
通过TRL校准提取管芯S参数的技术
董四华
刘英坤
冯彬
孙艳玲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
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