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氧和氩等离子辅助电子束蒸发制备高质量ZnO薄膜 被引量:9
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作者 汤庆鑫 路丽霞 +3 位作者 齐秀英 钟殿强 初国强 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期284-288,共5页
采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大,形成纳米氧化锌多晶... 采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜。X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随着热氧化温度的升高氧化锌纳米晶粒长大,形成纳米氧化锌多晶薄膜且薄膜结晶性增强;光致发光谱表明:样品均具有较强的紫外自由激子发光。由于未经热氧化样品中氧化锌纳米晶粒较小,具有较强的量子限域效应,因而经高温氧化后样品发光峰有较大红移。随着热氧化温度的进一步升高,束缚激子发射随热氧化温度升高而减弱,且发光峰位随热氧化温度升高出现蓝移;变温光致发光谱表明:紫外发光主要来自自由激子发射。 展开更多
关键词 等离子辅助电子束蒸发技术 制备 ZNO薄膜 氧化锌薄膜 多晶薄膜 光致发光
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等离子体辅助电子束蒸发低温制备SiO_2纳光子薄膜
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作者 盛明裕 赵源 +3 位作者 刘富强 胡巧多 郑玉祥 陈良尧 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期237-241,共5页
SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光子薄膜样品,通过椭圆偏振光谱分析法研究薄膜光学性质随3种工艺条件(生长速率、衬底温度和射频等离子辅... SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光子薄膜样品,通过椭圆偏振光谱分析法研究薄膜光学性质随3种工艺条件(生长速率、衬底温度和射频等离子辅助功率)的变化规律,获得了薄膜的机械、化学和光学性能优于传统方法的纳光子薄膜工艺制备条件. 展开更多
关键词 等离子辅助 电子束蒸发 纳光子薄膜
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离子源偏压对PIA-EB-Hf法制备的HfO2激光薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 付朝丽 杨勇 +3 位作者 马云峰 魏玉全 焦正 黄政仁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期69-74,共6页
探究HfO_2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值(Laser Induced Damage Threshold,简称LIDT),对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义。在不同的离子源偏压下,采用等离子体辅助电子束蒸发金属铪(Hf)并充氧(O_2)进行反... 探究HfO_2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值(Laser Induced Damage Threshold,简称LIDT),对其在高功率激光系统中的广泛应用具有重要的意义。在不同的离子源偏压下,采用等离子体辅助电子束蒸发金属铪(Hf)并充氧(O_2)进行反应沉积法制备了中心波长为1064 nm,光学厚度为4H的HfO_2薄膜样品。测试了薄膜组分和残余应力;根据透射谱拟合了薄膜的折射率;通过XRD谱图和SEM表面形貌图分析了薄膜的微观结构;对激光损伤阈值、损伤特性和机理进行了论述。结果表明:偏压100 V时制备的薄膜具有最佳O/Hf配比;薄膜压应力和折射率均随偏压降低而减小。薄膜内存在结晶,激光能量在晶界缺陷处被强烈聚集和吸收,加速了膜层的破坏,形成由几百纳米的烧灼坑聚集而成的海绵状损伤结构。随着偏压降低,膜结晶取向由(111)晶面向(002)晶面转变,界面能降低;晶粒减小,结构更均匀,缓解了激光能量在晶界处的局部聚集与吸收,表现出较大的激光损伤阈值。 展开更多
关键词 HFO2薄膜 等离子辅助电子束蒸发 离子源偏压 微观结构 激光损伤
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808nm大功率半导体激光器腔面膜的制备 被引量:9
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作者 套格套 尧舜 +4 位作者 张云鹏 路国光 初国强 刘云 王立军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页
采用等离子体辅助电子束蒸发方法在 80 8nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2 /SiO2 系前后腔面膜 用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值 增透膜的反射率为 12 .2 % ,高反膜的反射率为 97.9% 对于 10 0 μ... 采用等离子体辅助电子束蒸发方法在 80 8nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2 /SiO2 系前后腔面膜 用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值 增透膜的反射率为 12 .2 % ,高反膜的反射率为 97.9% 对于 10 0 μm条宽、10 0 0 μm腔长的条形结构通过器件测量结果是出光功率提高 79%、外微分量子效率提高 80 %、功率效率由没镀膜之前的 2 2 .2 %提高到镀膜之后的 39.8% 展开更多
关键词 半导体激光器 等离子辅助电子束蒸发 高反膜 增透膜 灾变性光学损伤
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红外线治疗仪中宽波段带通滤光片的研究 被引量:12
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作者 刘冬梅 刘爽 +2 位作者 付秀华 张静 何松霖 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期1-6,共6页
研究了一种用于红外线治疗仪的新型滤光片.该滤光片通过对红外线治疗仪光源所发出的光进行选择性滤波,能够降低部分波段光的承载能量,提高治疗仪的安全使用性能.针对红外线治疗仪对滤光片的使用要求,选择Ti3O5和SiO2作为高低折射率材料... 研究了一种用于红外线治疗仪的新型滤光片.该滤光片通过对红外线治疗仪光源所发出的光进行选择性滤波,能够降低部分波段光的承载能量,提高治疗仪的安全使用性能.针对红外线治疗仪对滤光片的使用要求,选择Ti3O5和SiO2作为高低折射率材料,采用电子束加热蒸发方式,配合离子辅助淀积技术,利用石英晶控控制法对膜层厚度进行监控,通过反复优化各项工艺参量,制备出在600~1 200nm波段平均透过率高于92%,300~550nm、1 270~2 000nm波段平均透过率低于2%的宽波段带通滤光片.研究中运用“拆分技术要求”的设计思想,对颜色片进行双面镀制,解决了单面膜层过厚难以制备的问题,降低了制备难度,易于批量生产.测试结果表明,该滤光片满足使用要求. 展开更多
关键词 带通滤光片 膜系设计 拆分技术要求 红外线治疗仪 电子束蒸发 离子辅助淀积技术 石英晶控控制法
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ZnO/Zn界面对纳米ZnO薄膜光学性质的影响 被引量:2
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作者 路丽霞 季辉 +2 位作者 汤庆鑫 童艳红 刘益春 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期229-233,共5页
采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果... 采用氧等离子体辅助电子束蒸发金属Zn后低温退火的方法制备纳米ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)谱、拉曼(Ram an)谱、X射线光电子能谱(XPS)以及光致发光(PL)谱等手段,分析了退火温度及ZnO/Zn界面对样品的结构和发光性质的影响。Ram an结果表明随着退火温度的升高,界面模式(Es)振动减弱并向低波数方向移动。当退火温度为400℃时,界面振动消失,Zn全部转化成具有六方纤锌矿结构的ZnO,得到化学配比的纳米ZnO薄膜。PL谱表明,经400℃退火处理的样品紫外发射最强,发光性质最好。 展开更多
关键词 等离子辅助电子束蒸发 纳米ZNO薄膜 ZnO/Zn界面 光致发光
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β-BBO基ZrO_2/SiO_2倍频增透膜的结构和成分对光学性能的影响
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作者 陈长琦 鲁嘉 +3 位作者 方应翠 王君 李万福 周瑞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期413-417,430,共6页
利用Macload软件对四层ZrO2/SiO2膜系进行优化设计,以β-偏硼酸钡晶体(-βBaB2O4)为基底,采用电子束蒸发方法、离子束辅助沉积技术和真空退火处理,制备出ZrO2/SiO2非规整倍频增透膜,其在波长532 nm和1064 nm处反射率小于0.35%和透射率高... 利用Macload软件对四层ZrO2/SiO2膜系进行优化设计,以β-偏硼酸钡晶体(-βBaB2O4)为基底,采用电子束蒸发方法、离子束辅助沉积技术和真空退火处理,制备出ZrO2/SiO2非规整倍频增透膜,其在波长532 nm和1064 nm处反射率小于0.35%和透射率高于90%,与软件设计膜系得到的理论值相一致。研究结果表明薄膜的填隙密度越高,致密度越好,其光学性能也越好。 展开更多
关键词 ZrO2/SiO2非规整倍频增透膜 光学性能 电子束蒸发 离子辅助沉积技术 真空退火
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PIA-EB-Hf法制备的单层HfO_2激光薄膜残余应力及化学计量比的调控 被引量:1
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作者 付朝丽 杨勇 +2 位作者 马云峰 黄政仁 焦正 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期515-523,共9页
Hf O_2作为最有前景的抗激光薄膜材料之一,最佳的制备方法是利用等离子体辅助电子束蒸发金属Hf并充氧进行反应沉积即PIA-EB-Hf法,而化学计量比失配导致的强吸收和高残余应力造成的力损伤成为其主要的激光损伤机制。采用正交优化手段,探... Hf O_2作为最有前景的抗激光薄膜材料之一,最佳的制备方法是利用等离子体辅助电子束蒸发金属Hf并充氧进行反应沉积即PIA-EB-Hf法,而化学计量比失配导致的强吸收和高残余应力造成的力损伤成为其主要的激光损伤机制。采用正交优化手段,探究了沉积速率、APS离子源偏压和放电电流、沉积温度、以及充氧量和充氧位置对薄膜残余应力和O/Hf配比的影响,并针对优化薄膜进行了激光损伤性能研究。研究表明速率太大导致膜成分不均匀;过高的离子源偏压使O/Hf配比反升,但薄膜向m(-1 1 1)面取向显著,残余应力很大,且容易引入杂质原子Ar,造成强吸收;沉积温度对薄膜性能的影响主要体现在促进粒子反应、改变结晶状态和改善薄膜均匀性等,不同范围内发挥的作用不同。解决离子源的污染问题,以及获得结构疏松均匀和平整的非晶膜层是进一步提高激光损伤阈值的关键。 展开更多
关键词 氧化铪 等离子辅助电子束蒸发 激光损伤 残余应力 化学计量比
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