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一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
被引量：
2
1
作者
严清峰
余金中
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期555-558,共4页
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 ...
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 调制区采用横向注入的PIN结构 ,模拟结果表明 :当外加偏压为 0 .86V时 ,器件的调制深度最大 ,此时注入电流为 13.2mA ,对应的器件功耗为 11.
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关键词
SOI
Mach-Zehnder干涉型电光调制器
多模干涉耦合器
等离子色散效应
硅基光波导器件
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职称材料
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计
被引量：
7
2
作者
韦丽萍
王永华
+4 位作者
臧俊斌
崔丹凤
李艳娜
刘耀英
薛晨阳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期1473-1477,共5页
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的...
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考.
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关键词
等离子
体
色散
效应
微环谐振腔
电光调制器
脊型波导
P—I—N型二极管
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职称材料
题名
一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
被引量：
2
1
作者
严清峰
余金中
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期555-558,共4页
基金
国家自然科学重大基金 ( 69990 5 40
698962 60 )
"九七三"(G2 0 0 0 0 3 66)资助项目
文摘
在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 调制区采用横向注入的PIN结构 ,模拟结果表明 :当外加偏压为 0 .86V时 ,器件的调制深度最大 ,此时注入电流为 13.2mA ,对应的器件功耗为 11.
关键词
SOI
Mach-Zehnder干涉型电光调制器
多模干涉耦合器
等离子色散效应
硅基光波导器件
Keywords
Electrooptical modulator
Plasma dispersion effect
SOI
Multimode interference coupler
Mach-Zehnder interferometer
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
TN761 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计
被引量：
7
2
作者
韦丽萍
王永华
臧俊斌
崔丹凤
李艳娜
刘耀英
薛晨阳
机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
中北大学朔州校区
中北大学电子测试技术国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期1473-1477,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61076111)资助
文摘
针对高频电光调制器的应用需求,提出了一种基于绝缘体上硅微环谐振腔的P-I-N型电光调制器.利用散射矩阵法描述了微环谐振腔谐振特性机理,结合等离子体色散效应中载流子浓度对硅有效折射率变化的影响,系统分析了微环谐振腔电光调制器的理论模型.在此基础上,利用Rsoft仿真软件对脊型波导截面光场分布进行了仿真分析,得到了光场局域性能较优的脊型纳米波导微环谐振腔设计;结合Sentaurus TCAD仿真软件对不同掺杂浓度下的P-I-N型二极管性能进行了仿真计算,理论得出了Q值仅为5×103时频移量达58.74GHz的微环谐振腔最优电光调制器结构,为电光调制器的深入研究提供了理论参考.
关键词
等离子
体
色散
效应
微环谐振腔
电光调制器
脊型波导
P—I—N型二极管
Keywords
Plasma dispersion effect
Micro-ring resonator
Electro-optic modulator
Rib waveguide
P I-N type diode
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
严清峰
余金中
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
绝缘体上硅微环谐振腔电光调制器的分析与最优设计
韦丽萍
王永华
臧俊斌
崔丹凤
李艳娜
刘耀英
薛晨阳
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
7
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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