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RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜: 1; 作者姜岩峰郝达兵黄庆安《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期180-183,197,共5页; 采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后... 展开更多; 关键词碳化硅成核生长等离子化学汽相淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究被引量：7: 2; 作者孙建海崔大付 +1 位作者苏波王海宁《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期37-40,48,共5页; 根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提... 展开更多; 关键词宽带RF-MEMS开关驱动电压高密度感应耦合等离子体化学汽相淀积二氟化氙(XeF2)干法刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用被引量：2: 3; 作者胥超徐永青杨志《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期194-197,202,共5页; 研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优... 展开更多; 关键词无氨氮化硅硅腐蚀等离子体增强化学汽相淀积(PECVD) 腐蚀比颗粒; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD法制备SiO_(x_N_(y)膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析: 4; 作者陈蒲生王锋 +2 位作者冯文修王川章晓文《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期394-398,共5页; 对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ－Ⅴ特性和击穿机理，探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例、反应空... 展开更多; 关键词等离子体增强化学汽相淀积介质膜 Ⅰ-Ⅴ特性击穿机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术: 5; 作者赵英伟路孟喜《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期180-182,193,共4页; 提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工... 展开更多; 关键词故障诊断贝叶斯网络等离子体增强化学汽相淀积; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究: 6; 作者陈蒲生刘剑 +1 位作者张昊冯文修《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期71-75,共5页; 对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室... 展开更多; 关键词 PECVD 等离子体增强化学汽相淀积薄介质膜击穿机理电学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

边缘处理对硬掩膜很重要: 7; 作者 Laura Peters 《集成电路应用》 2007年第10期29-29,共1页; 在今天的fab里，因为先进光刻技术中使用的光刻胶越来越薄，以及保持刻蚀选择性的需要，硬掩膜越来越司空见惯。Novellus Systems公司设计了一种专用于为前段应用提供有机物化学气相淀积硬掩膜的新工艺。这种系统与众不同之处在于增加... 展开更多; 关键词掩膜边缘处理等离子体增强化学汽相淀积 Systems公司 EXPRESS 化学气相淀积 VECTOR 膜工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜: 1; 作者姜岩峰郝达兵黄庆安; 机构北方工业大学信息工程学院微电子学科南京电子器件研究所东南大学教育部MEMS重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期180-183,197,共5页; 基金北京市重点实验室开放基金资助(现场总线技术与自动化实验室); 文摘采用RF辅助加热CVD方法,在76mm硅衬底上生长了β-SiC薄膜。设备为电容耦合式RF(13.56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。对样品进行了XRD、AFM检查;退火后整个样片膜厚均匀、一致性好、应力低、与衬底的粘附性好。; 关键词碳化硅成核生长等离子化学汽相淀积; Keywords silicon carbide nucleation plasma chemical vapor deposition; 分类号 TN304.02 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究被引量：7: 2; 作者孙建海崔大付苏波王海宁; 机构中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 2004年第9期37-40,48,共5页; 文摘根据国内外发展的经验,从绝缘介质膜的制备、微桥膜内的残余应力到微桥膜的弹性系数这些影响驱动电压的关键因素出发,提出了一些新的微加工工艺和设计方法,为设计性能优良的RF-MEMS开关提供一种有效的方案,也为RF-MEMS开关设计和研制提供了有意义的探讨。; 关键词宽带RF-MEMS开关驱动电压高密度感应耦合等离子体化学汽相淀积二氟化氙(XeF2)干法刻蚀; Keywords broadband RF-MEMS switches actuation voltage HDICP CVD XeF_2 dry etching; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用被引量：2: 3; 作者胥超徐永青杨志; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室; 出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期194-197,202,共5页; 文摘研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。; 关键词无氨氮化硅硅腐蚀等离子体增强化学汽相淀积(PECVD) 腐蚀比颗粒; Keywords N2 free silicon nitride silicon etch plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） etch ratio particle; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学] TH703 [机械工程—精密仪器及机械]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PECVD法制备SiO_(x_N_(y)膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析: 4; 作者陈蒲生王锋冯文修王川章晓文; 机构华南理工大学应用物理系广东省电子技术学校南方四通公司信息研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期394-398,共5页; 基金国家自然科学基金广东省自然科学基金资助课题; 文摘对等离子体增强化学汽相起积（PECVD）法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品，由集成测试系统测量Ⅰ－Ⅴ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ－Ⅴ特性和击穿机理，探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例、反应空气压、衬底工作温度的变化关系。; 关键词等离子体增强化学汽相淀积介质膜 Ⅰ-Ⅴ特性击穿机理; Keywords Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Dielectric Film I-V Characteristic Breakdown Mechanism; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术: 5; 作者赵英伟路孟喜; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期180-182,193,共4页; 文摘提出了贝叶斯网络技术在故障诊断中的一种应用,介绍了基于贝叶斯网络的故障诊断技术的基本概念和原理,分析了故障节点和维修节点之间相互作用的关系。应用GeNIe决策系统软件,以PECVD 淀积台的真空系统为例,讲述了贝叶斯网络在半导体工艺设备故障诊断中的应用。; 关键词故障诊断贝叶斯网络等离子体增强化学汽相淀积; Keywords fault diagnostics Bayesian network PECVD; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究: 6; 作者陈蒲生刘剑张昊冯文修; 机构华南大学应用物理系广东省邮电科学研究院中国电子科技集团公司第五研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期71-75,共5页; 基金广东省自然科学基金项目(950186); 文摘对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。; 关键词 PECVD 等离子体增强化学汽相淀积薄介质膜击穿机理电学性能; Keywords PECVD thin dielectric film I-V characteristic breakdown mechanism elec-trical property; 分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名边缘处理对硬掩膜很重要: 7; 作者 Laura Peters; 机构 Semiconductor International; 出处《集成电路应用》 2007年第10期29-29,共1页; 文摘在今天的fab里，因为先进光刻技术中使用的光刻胶越来越薄，以及保持刻蚀选择性的需要，硬掩膜越来越司空见惯。Novellus Systems公司设计了一种专用于为前段应用提供有机物化学气相淀积硬掩膜的新工艺。这种系统与众不同之处在于增加了边缘球状物去除（EBR）工艺以减少微粒缺陷、提高芯片边缘的成品率。Novellus电介质事业群产品管理高级总监Julian Hsieh说：“这是我们在客户演示中见到的成品率提高的关键原因。”Novellus在今年三月推向市场的Vector Express等离子体增强化学汽相淀积平台中提供可灰化硬掩膜工艺。; 关键词掩膜边缘处理等离子体增强化学汽相淀积 Systems公司 EXPRESS 化学气相淀积 VECTOR 膜工艺; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	RF等离子辅助热丝CVD法制备大面积β-SiC薄膜	姜岩峰郝达兵黄庆安	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2005	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	宽带RF-MEMS开关驱动电压的分析研究	孙建海崔大付苏波王海宁	《微纳电子技术》 CAS	2004	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用	胥超徐永青杨志	《微纳电子技术》 CAS 北大核心	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	PECVD法制备SiO_(x_N_(y)膜Ⅰ—Ⅴ特性和击穿机理的测试分析	陈蒲生王锋冯文修王川章晓文	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于贝叶斯网络的PECVD故障诊断技术	赵英伟路孟喜	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究	陈蒲生刘剑张昊冯文修	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	边缘处理对硬掩膜很重要	Laura Peters	《集成电路应用》	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料