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WC-8.0%Co基底上微波等离子化学气相沉积金刚石膜 被引量:3
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作者 刘泉 周健 +1 位作者 余卫华 刘桂珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期116-119,共4页
研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。... 研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。结果表明 ,在 1∶3的稀盐酸中酸洗 15min后用氨水浸泡 10min的基片处理方法能有效地抑制金属钴的溢出 ,从而提高金刚石涂层的质量 ,并且使刀具使用寿命提高 10倍以上。 展开更多
关键词 WC-CO刀具 金刚石膜 微波等离子化学气相沉积
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等离子化学气相沉积硅-硼-氮复合薄膜的组成和结构
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作者 于翔 于俊峰 王成彪 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期83-85,共3页
利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_... 利用X射线衍射 (XRD)和X光电子能谱 (XPS)等技术对射频 -直流 -等离子化学气相沉积 (RF -DC -PVCD)在钢基体上Si-B -N复合薄膜的组成和结构进行分析和研究 ;结果表明 ,通过给试样基体加一适当的直流负偏压 ,得到含有显著六方氮化硼 (h_BN)、立方氮化硼 (c_BN)结晶相的Si-B 展开更多
关键词 Si-B-N复合薄膜 负偏压 结构 组成 硅-硼-氮复合薄膜 金属 表面处理 等离子化学沉积
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等离子化学气相沉积(PCVD)TiN涂层的组织与性能研究
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作者 王钧石 吴大兴 杨川 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 1990年第3期37-41,共5页
本文用透射电镜和x光衍射仪揭示了PCVD法TiN涂层的物相及超细晶粒、位错、择优取向等微观结构,并对该涂层的性能进行了比较试验。
关键词 等离子化学气相沉积 涂层 氮化钛 组织 性能
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一种等离子化学气相沉积镀膜方法和设备
4
《表面技术》 EI CAS CSCD 2008年第2期84-84,共1页
本发明中等离子化学气相沉积镀膜方法和设备包括:传统的可抽成真空的炉体;将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置;放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连,将炉体与阳极相连。阳极接地,阴极施加负... 本发明中等离子化学气相沉积镀膜方法和设备包括:传统的可抽成真空的炉体;将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置;放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连,将炉体与阳极相连。阳极接地,阴极施加负电压,将电压升高到一定程度后,阴、阳级之间产生辉光等离子场;在所述炉内设置一个能喷出等离子炬的电弧喷枪。电弧喷枪喷出的等离子炬直接进入到辉光等离子场中。 展开更多
关键词 等离子化学气相沉积 镀膜方法 设备 等离子 电弧喷枪 等离子 金属氯化物 真空炉
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以100倍的沉积速度进行类金刚石碳成膜的大气压等离子化学气相沉积装置
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期92-93,共2页
日本庆臆义塾大学理工学部的铃木哲也教授开发了一种大气压等离子化学气相沉积(CVD)装置,该装置可以将类金刚石碳(DLC)在大气压下成膜为薄膜状,宽50cm的薄膜在通过1对电极间的空间过程中向表面成膜。与采用真空容器的方法相比,... 日本庆臆义塾大学理工学部的铃木哲也教授开发了一种大气压等离子化学气相沉积(CVD)装置,该装置可以将类金刚石碳(DLC)在大气压下成膜为薄膜状,宽50cm的薄膜在通过1对电极间的空间过程中向表面成膜。与采用真空容器的方法相比,膜的沉积速度提高100倍,制造成本降低为原来的1/100。 展开更多
关键词 化学沉积装置 等离子化学气相沉积 类金刚石碳 表面成膜 沉积速度 空间过程 真空容器
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微波等离子体化学气相沉积制备金刚石厚膜的研究及应用进展
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作者 刘富成 马莞杰 +3 位作者 黄江涛 张宗雁 韩培刚 何斌 《金刚石与磨料磨具工程》 北大核心 2025年第3期285-299,F0003,共16页
近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气... 近年来,随着化学气相沉积(CVD)制备金刚石技术的发展,关于金刚石的研究与应用受到越来越多的关注。目前,主要的CVD技术有微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、热丝化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积和热阴极等离子体化学气相沉积等。MPCVD技术因其生长的金刚石品质高,被认为是制备大面积、高质量金刚石厚膜的最佳方法。首先介绍MPCVD的基本原理和设备,比较几种主要MPCVD技术的优缺点,并对国内外的研究进展进行总结,包括金刚石生长工艺的研究,特别是国内外单晶/多晶金刚石厚膜的制备研究,然后总结近年来金刚石厚膜在电子、光学、热沉等高新技术领域的应用,最后对金刚石厚膜的发展前景进行展望。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 微波等离子化学沉积(MPCVD) CVD设备
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直流射频等离子体增强化学气相沉积类金刚石碳薄膜的结构及摩擦学性能研究 被引量:22
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作者 李红轩 徐洮 +2 位作者 陈建敏 周惠娣 刘惠文 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页
利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在UMT-2MT型摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度... 利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜.采用Raman光谱、红外光谱、X射线光电子能谱和原子力显微镜等研究了薄膜的微观结构和表面形貌,在UMT-2MT型摩擦磨损试验机上考察了薄膜在不同载荷与滑动速度下的摩擦学性能.结果表明:所制备的类金刚石碳薄膜具有典型的类金刚石结构特征,薄膜均匀、致密,表面粗糙度小,硬度较高;薄膜与Si3N4陶瓷球对摩时显示出良好的抗磨减摩性能;随着试验载荷与滑动速度的提高,薄膜的摩擦系数降低,耐磨寿命降低;薄膜的减摩抗磨性能同其在Si3N4陶瓷球偶件磨损表面形成的转移膜相关. 展开更多
关键词 直流射频等离子增强化学沉积 类金刚石碳薄膜 结构 摩擦学性能
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子化学沉积 低温 镍基板
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脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜摩擦磨损特性研究 被引量:24
9
作者 马胜利 马大衍 +2 位作者 王昕 徐可为 介万奇 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期179-182,共4页
对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有... 对比研究了脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积TiN和TiCN薄膜的摩擦磨损特性,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪及销-盘摩擦磨损试验机分析薄膜形貌和结合力,考察了不同沉积条件下2种薄膜的摩擦磨损过程及其影响因素.结果表明,TiCN薄膜具有较高硬度、良好的膜基结合力,相对于TiN薄膜而言表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能.在实际使用中应注重成分和结构优化设计,以保证薄膜具有良优良的减摩性能. 展开更多
关键词 硬质薄膜 PCVD 结合力 摩擦磨损性能 脉冲直流等离子体辅助化学沉积 TIN薄膜 TiCN薄膜
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脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti-Si-N纳米薄膜的摩擦磨损特性 被引量:9
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作者 马大衍 王昕 +2 位作者 马胜利 徐可为 徐洮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期476-479,共4页
采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子... 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCr15钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%~35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7~50nm;Ti-Si-N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积(PCVD) Ti—Si—N 纳米薄膜 摩擦磨损性能
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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜 被引量:4
11
作者 江锦春 程文娟 +2 位作者 张阳 朱鹤孙 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期930-934,939,共6页
利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ... 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β 展开更多
关键词 立方 晶体薄膜 衬底温度 微波等离子化学沉积 原子 喇曼光谱 β-C3N4 结晶质量 X射线能谱
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用等离子体增强化学气相沉积技术制备类金刚石碳薄膜的摩擦磨损性能研究 被引量:5
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作者 常海波 徐洮 +2 位作者 李红轩 张治军 刘惠文 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期298-302,共5页
利用射频-直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积类金刚石碳薄膜,采用激光拉曼光谱仪和原子力显微镜对薄膜的结构和表面形貌进行表征,采用纳米压痕仪测定薄膜的硬度,并用UMT型微摩擦磨损试验机考察了薄膜在不同试验条件... 利用射频-直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积类金刚石碳薄膜,采用激光拉曼光谱仪和原子力显微镜对薄膜的结构和表面形貌进行表征,采用纳米压痕仪测定薄膜的硬度,并用UMT型微摩擦磨损试验机考察了薄膜在不同试验条件下的摩擦磨损性能.结果表明:所制备的类金刚石碳薄膜表面光滑致密且硬度较高;在干摩擦条件下与GCr15钢球或Al2O3球配副时显示出良好的减摩抗磨性能,摩擦系数较低,耐磨寿命较长,而在水润滑条件下同Al2O3球配副时发生灾难性磨损. 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积 类金刚石碳薄膜 结构 摩擦磨损性能
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永磁电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统 被引量:5
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作者 吴振宇 刘毅 +1 位作者 汪家友 杨银堂 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期317-320,共4页
研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学... 研制了一台永磁ECR等离子体化学气相沉积系统。通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,利用高磁能积Nd Fe B磁钢块的合理分布形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积均匀的高密度等离子体。进行了ECR等离子体化学气相沉积氧化硅和氮化硅薄膜工艺的研究。6英寸片内膜厚均匀性优于 95 % ,沉积速率高于 10 0nm/min ,FTIR光谱分析表明薄膜中H含量很低。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子化学沉积 膜厚均匀性 同轴 表面波 ECR 氮化硅薄膜 高密度等离子 FTIR光谱 强磁场
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直流电弧等离子体喷射化学气相沉积高质量金刚石膜残余应力分布的拉曼谱分析(英文) 被引量:5
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作者 杨胶溪 李成明 +4 位作者 陈广超 吕反修 唐伟忠 宋建华 佟玉梅 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期674-678,共5页
不同工艺条件下在钼衬底 (6 0mm)上用 10 0kW直流电弧等离子体喷射化学气相沉积设备进行金刚石膜的制备。金刚石膜用扫描电镜 (SEM)、拉曼谱 (激光激发波长为 4 88nm)和X射线衍射来表征。研究结果表明 ,在直流电弧等离子体喷射化学气... 不同工艺条件下在钼衬底 (6 0mm)上用 10 0kW直流电弧等离子体喷射化学气相沉积设备进行金刚石膜的制备。金刚石膜用扫描电镜 (SEM)、拉曼谱 (激光激发波长为 4 88nm)和X射线衍射来表征。研究结果表明 ,在直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜的过程中 ,内应力大小从金刚石膜的中央到边缘是增加的 ,并且应力形式是压应力。这说明了在金刚石膜中存在明显的应力不均。甲烷浓度和衬底温度都影响金刚石膜中的内应力。随着甲烷浓度和衬底温度的提高 ,金刚石膜中的内应力呈增加的趋势。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射化学沉积 金刚石膜 制备 扫描电镜 拉曼谱 X射线衍射 残余应力
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取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备 被引量:4
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作者 陈易明 张海燕 +3 位作者 朱清锋 陈雨婷 陈列春 杨大勇 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期470-474,共5页
采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析... 采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性. 展开更多
关键词 取向碳纳米管阵列 热丝射频等离子体复合化学沉积 旋涂法
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常压等离子体化学气相沉积制备UHMWPE/SiO_xC_yH_z锂离子杂化隔膜 被引量:5
16
作者 王超梁 彭释 +2 位作者 戴协 石建军 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期179-184,共6页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)方法裂解六甲基二硅氧烷(HMDSO),在高强高模聚乙烯(UHMWPE)隔膜表面进行沉积,形成双面微纳米颗粒膜涂覆的UHMWPE/SiO_xC_yH_z杂化隔膜,并分别通过扫描电子显微镜(SEM)、衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)、热性能测试方法等,研究了不同O2/HMDSO流量比对杂化隔膜结构与热性能的影响.研究结果表明,沉积薄膜为具有一定结晶特性的SiO_xC_yH_z微纳米颗粒薄膜,具有较好的多孔特性及与UHMWPE隔膜纤维的黏结.随着O2/HMDSO流量比的增加,在颗粒薄膜的亲水性、透气率及对隔膜的覆盖率提高的同时,明显地改善了杂化隔膜的耐热收缩性能,120℃下热处理30 min,热收缩率仅为2%左右,在具有较高耐热性要求的锂离子动力电池隔膜方面具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 常压等离子化学沉积(APECVD) SiOxCyHz多孔纳米颗粒薄膜 高强高模聚乙烯(UHMWPE) 离子电池隔膜 热收缩
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纳米多孔硅基薄膜的常压等离子体化学气相沉积过程研究 被引量:3
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作者 夏磊 周荃 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期117-121,共5页
采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下... 采用常压等离子体化学气相沉积(APECVD)的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光(400nm左右)发光特性的硅基薄膜.通过在自行研制的等离子体反应装置中通入按100∶1∶1的体积比进行配比的SiH4∶H2∶Ar混合气体进行APECVD,在加负偏压条件下获得了由Si基组成的絮状多孔纳米结构薄膜.通过等离子体发射光谱测定了沉积过程中的电子温度在2.2eV左右,扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜表面形貌后肯定了偏压对薄膜纳米结构的形成起着重要的作用. 展开更多
关键词 常压等离子化学沉积(APECVD) 多孔硅基薄膜 负偏压 荧光(PL)
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微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文) 被引量:2
18
作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。 展开更多
关键词 微波等离子化学沉积 制备 SiCN结晶膜 SiCN微米棒 CH4 H2 N2 氰化硅 甲烷
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等离子体化学气相沉积参量对Ar等离子体电子特性的影响 被引量:2
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作者 魏俊红 林璇英 +6 位作者 赵韦人 池凌飞 余云鹏 林揆训 黄锐 王照奎 余楚迎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期755-757,共3页
 采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响。
关键词 调谐单探针 等离子化学沉积 Ar等离子
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等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中光发射谱和朗谬尔探针原位诊断 被引量:3
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作者 朱晓东 温晓辉 +1 位作者 周海洋 詹如娟 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期67-70,共4页
报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强... 报道了利用光发射谱 (OES)和朗谬尔探针对热阴极直流放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的等离子体条件进行原位研究的部分结果 ,研究了几种过程参数变化中等离子体状态 ,并与金刚石膜的沉积相联系。当CH4 浓度变化时 ,CH基团的发射强度和电子密度ne 的变化表现出相似趋势 ,均出现一极大值。而在高CH4 浓度 ,C2 的发射出现。在气压变化过程中 ,CH的发射强度和ne 均随气压的升高而下降 ,C2 的发射强度变化不大。用OES和朗谬尔探针测量的电子温度Te 所显示的结果是一致的。在这些过程中 ,电子碰撞应该是CH发射的主要机制 ,C2 展开更多
关键词 电子温度 电子密度 金刚石薄膜 等离子化学沉积 光发射谱 朗谬尔探针原位诊断 生长机理
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